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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
JAN1N6074 Microchip Technology Jan1n6074 14.4150
RFQ
 ECAD 6670 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/503 Volume Ativo Através do buraco A, axial 1N6074 Padrão A, axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 2,04 V @ 9,4 A 30 ns 1 µA A 100 V -65 ° C ~ 155 ° C. 3a -
V7NM153HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V7nm153hm3/h 0,6400
RFQ
 ECAD 2706 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Volume Ativo Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 2-VDFN V7nm153 Schottky DFN3820A download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 112-V7NM153HM3/H. 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 980 mV @ 7 a 70 µA @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C. 2a 390pf @ 4V, 1MHz
ES2G-13-F Diodes Incorporated ES2G-13-F 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Es2g Padrão SMB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 2 A 35 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 25pf @ 4V, 1MHz
1N4936GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4936GP-E3/54 0,5000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4936 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,2 V @ 1 A 200 ns 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
TSUP10M60SH S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSUP10M60SH S1G 1.7300
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 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Tsup10 Schottky SMPC4.6U download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 640 mV @ 10 A 250 µA A 60 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 658pf @ 4V, 1MHz
MUR840HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR840HC0G -
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 ECAD 1615 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Mur840 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 8 A 50 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a -
SDT40100CTFP Diodes Incorporated SDT40100CTFP 0,7316
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 ECAD 3984 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SDT40100 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20a 790 mV @ 20 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SBM260VAL-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. SBM260VAL-AU_R1_000A1 0,4100
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 ECAD 7 0,00000000 Panjit International Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F SBM260 Schottky SOD-123fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-SBM260VAL-AU_R1_000A1TR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 540 mV @ 2 a 50 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 100pf @ 4V, 1MHz
VX80M45PW-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vx80m45pw-m3/p 2.1115
RFQ
 ECAD 8928 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 Schottky TO-247AD download Alcançar Não Afetado 112-VX80M45PW-M3/P. Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 40A 610 mV @ 40 A 550 µA @ 45 V -40 ° C ~ 175 ° C.
MBRS1560CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1560CT 0,6496
RFQ
 ECAD 2360 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS1560 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS1560CTTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 15a 750 mV @ 7.5 A 100 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VSS8D2M6-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vss8d2m6-m3/i 0,4500
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads S8D2 Schottky Slimsmaw (DO-221AD) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 480 mV @ 1 a 200 µA A 60 V -40 ° C ~ 175 ° C. 2a 430pf @ 4V, 1MHz
30FQ045 Microchip Technology 30FQ045 64.5600
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 ECAD 2315 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Schottky DO-4 (DO-203AA) - Alcançar Não Afetado 150-30FQ045 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 30 A 1,5 mA a 45 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a -
SM2000GP Diotec Semiconductor SM2000GP 0,1263
RFQ
 ECAD 4703 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-213ab, Mell Padrão Mell Do-213ab download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2796-SM2000GPTR 8541.10.0000 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 2000 v 1,1 V @ 1 µA 1,5 µs 5 a @ 2 V -50 ° C ~ 175 ° C. 1a -
VS-80-7628 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7628 -
RFQ
 ECAD 5510 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Última Vez compra 80-7628 - 112-VS-80-7628 1
UGB10CCTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ugb10ccthe3_a/i -
RFQ
 ECAD 6057 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão TO-263AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 112-UGB10CCTHE3_A/ITR Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 5a 1,1 V @ 5 A 25 ns 10 µA A 150 V -40 ° C ~ 150 ° C.
V60D100CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60d100chm3/i 2.5900
RFQ
 ECAD 930 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante V60D100 Schottky TO-263AC (SMPD) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 30a 810 mV @ 30 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C.
STTH30L06P STMicroelectronics STTH30L06P -
RFQ
 ECAD 7333 0,00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Através do buraco SOD-93-2 STTH30 Padrão SOD-93-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 300 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,55 V @ 30 A 90 ns 25 µA A 600 V 175 ° C (max) 30a -
MD200C16D2 Yangjie Technology MD200C16D2 34.0700
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Volume Ativo Montagem do chassi Módlo Padrão D2 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-MD200C16D2 Ear99 8 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 1600 v 200a 1,3 V @ 300 A 9 MA A 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BAS21-QVL Nexperia USA Inc. BAS21-QVL 0,0175
RFQ
 ECAD 1848 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas21 Padrão TO-236AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 200 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V 150 ° C. 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
MBR1060CD Yangjie Technology MBR1060CD 0,2290
RFQ
 ECAD 250 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MBR106 Schottky TO-252 - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-MBR1060CDTR Ear99 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 10a 720 mV @ 5 A 200 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
JANTXV1N6660R Microsemi Corporation Jantxv1n6660r -
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 ECAD 6192 0,00000000 Microsemi Corporation Militar, MIL-PRF-19500/608 Volume Descontinuado no sic Através do buraco TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) 1N6660 Schottky TO-254AA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 750 mv @ 15 a 1 ma @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
LSM1100JE3/TR13 Microchip Technology LSM1100JE3/TR13 0,4350
RFQ
 ECAD 9849 0,00000000 Microchip Technology * Tape & Reel (TR) Ativo LSM1100 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000
RB511SM-30FHT2R Rohm Semiconductor RB511SM-30FHT2R 0,2100
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 ECAD 86 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 RB511 Schottky EMD2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 370 mV a 10 mA 7 µA A 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA -
S38 Yangjie Technology S38 0,0300
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-S38TR Ear99 3.000
FESB8BT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8BT-E3/81 0,7496
RFQ
 ECAD 9295 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FESB8 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 8 A 35 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
SFAF1007GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1007GHC0G -
RFQ
 ECAD 2419 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SFAF1007 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,7 V @ 10 A 35 ns 10 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 140pf @ 4V, 1MHz
FR20JR02 GeneSiC Semiconductor FR20JR02 9.3555
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 ECAD 9256 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR20JR02GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 20 A 250 ns 25 µA a 50 V -40 ° C ~ 125 ° C. 20a -
GUR460-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GUR460-E3/54 -
RFQ
 ECAD 1346 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-201D, axial Gur460 Padrão Do-201d - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.400 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,28 V @ 4 a 60 ns 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 4a -
DD435N34KHPSA1 Infineon Technologies DD435N34KHPSA1 589.0700
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 ECAD 6626 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Ativo Montagem do chassi Módlo DD435N34 Padrão Módlo download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 3400 v 573a 1,71 V @ 1200 A 50 mA A 3400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
BAV199-QR Nexperia USA Inc. BAV199-QR 0,2400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV199 Padrão TO-236AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 75 v 140mA 1,1 V @ 50 mA 3 µs 5 Na @ 75 V 150 ° C.
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