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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
UF4007-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4007-E3/53 0,4900
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 ECAD 5 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial UF4007 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,7 V @ 1 A 75 ns -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
RS1KHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1khe3/61t -
RFQ
 ECAD 1654 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Rs1k Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 7pf @ 4V, 1MHz
EGL34D-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34D-E3/83 0,4100
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-213AA (Vidro) Egl34 Padrão DO-213AA (GL34) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 9.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,25 V @ 500 mA 50 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500mA 7pf @ 4V, 1MHz
VS-MURB2020CT-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURR2020CT-1PBF -
RFQ
 ECAD 8310 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tubo Descontinuado no sic Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MURB2020 Padrão TO-262-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 850 mv @ 8 a 35 ns 15 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C.
RB501V-40TE-17 Rohm Semiconductor RB501V-40TE-17 0,4100
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 ECAD 36 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F RB501 Schottky Umd2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 550 mV @ 100 Ma 30 µA a 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 6pf @ 10V, 1MHz
IDK05G65C5XTMA1 Infineon Technologies IDK05G65C5XTMA1 -
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 ECAD 5259 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab IDK05G65 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-A263-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,8 V @ 5 A 0 ns 830 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 160pf @ 1V, 1MHz
RA255GP-BP Micro Commercial Co RA255GP-BP -
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 ECAD 7986 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Obsoleto Montagem na Superfície Ra RA255 Padrão Ra - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1.1 V @ 25 A 3 µs 5 µA A 600 V -50 ° C ~ 150 ° C. 25a 300pf @ 4V, 1MHz
APT15DQ100BCTG Microchip Technology APT15DQ100BCTG 2.8700
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 ECAD 1 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 APT15 Padrão To-247 [b] download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1000 v 15a 3 V @ 15 A 235 ns 100 µA A 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C.
VS-40HF40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HF40 8.2200
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 ECAD 203 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 40HF40 Padrão DO-203AB (DO-5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 125 A 9 mA a 400 V -65 ° C ~ 190 ° C. 40A -
VS-40L15CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40L15CT-M3 2.0400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 40L15 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 15 v 20a 520 mV @ 40 A 10 mA a 15 V -55 ° C ~ 125 ° C.
NTE573-1 NTE Electronics, Inc NTE573-1 1.3100
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 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Através do buraco Do-201D, axial Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 2368-NTE573-1 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 5 a 500 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a 380pf @ 4V, 1MHz
RL104-N-0-2-BP Micro Commercial Co RL104-N-0-2-BP -
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 ECAD 8977 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Axial RL104 Padrão A-405 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) RL104-N-0-2-BPMS Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
S1JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S1JB R5G -
RFQ
 ECAD 8096 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB S1J Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 12pf @ 4V, 1MHz
HER107G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER107G B0G -
RFQ
 ECAD 6291 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial HER107 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
MBR2035CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2035CT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 5828 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 MBR20 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 10a 650 mV @ 10 A 100 µA A 35 V -65 ° C ~ 150 ° C.
SBRS8120T3G-VF01 onsemi SBRS8120T3G-VF01 -
RFQ
 ECAD 5086 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SBRS8120 Schottky SMB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 600 mV @ 1 a 1 mA a 20 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a -
V40PW60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40pw60c-m3/i 1.4900
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 ECAD 228 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 V40pw60 Schottky Slimdpak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 20a 680 mV @ 20 A 2,4 mA a 60 V -40 ° C ~ 150 ° C.
UG06D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG06D-E3/54 -
RFQ
 ECAD 7090 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco MPG06, axial UG06 Padrão MPG06 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 600 mA 25 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 600mA 9pf @ 4V, 1MHz
VS-15CTQ045-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ045-N3 -
RFQ
 ECAD 1346 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 15ctq045 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs15ctq045n3 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 15a 700 mV @ 15 a 800 µA @ 45 V 150 ° C (Máximo)
SS3030HE_R1_00001 Panjit International Inc. SS3030HE_R1_00001 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123H SS3030 Schottky Sod-123He download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 520 mv @ 3 a 160 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
IDFW60C65D1XKSA1 Infineon Technologies IDFW60C65D1XKSA1 5.1120
RFQ
 ECAD 9423 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 IDFW60 Padrão PG-PARA247-3-AI download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 240 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 650 v 56a (DC) 1,75 V @ 30 A 112 ns 40 µA A 650 V -40 ° C ~ 175 ° C.
1N1613R Microchip Technology 1N1613R 38.3850
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 ECAD 3460 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Padrão DO-4 (DO-203AA) download Alcançar Não Afetado 150-1N1613R Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,3 V @ 30 A 10 µA A 100 V -65 ° C ~ 200 ° C. 7a -
SET100111 Semtech Corporation SET100111 -
RFQ
 ECAD 2378 0,00000000 Semtech Corporation - Volume Descontinuado no sic Chassi, montagem em pântano Módlo SET100 - - download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) - 150 v 45a 1,1 V @ 54 A 30 ns 60 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
CD214B-F2100 Bourns Inc. CD214B-F2100 -
RFQ
 ECAD 7978 0,00000000 Bourns Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AA, SMB CD214b Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 920 mV @ 1 a 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a 200pf @ 4V, 1MHz
SDM100K30L-7 Diodes Incorporated SDM100K30L-7 0,4400
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 ECAD 2 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 SDM100K30 Schottky SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 485 mV @ 1 a 100 µA a 20 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a 22pf @ 10V, 1MHz
189NQ135 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 189NQ135 -
RFQ
 ECAD 7470 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem do chassi D-67 Half-Pak 189NQ135 Schottky D-67 Half-Pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado *189NQ135 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 135 v 1,07 V @ 180 A 4,5 mA a 135 V 180A 4500pf @ 5V, 1MHz
VIT2080S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vit2080S-E3/4W 0,5858
RFQ
 ECAD 5565 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA Vit2080 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 80 v 920 mV @ 20 A 700 µA A 80 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a -
1N5189US Microchip Technology 1N5189US 9.2550
RFQ
 ECAD 2525 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, e 1N5189 Padrão D-5b download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,5 V @ 9 A 300 ns 2 µA A 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
RMPG06GHE3_A/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rmpg06ghe3_a/73 -
RFQ
 ECAD 9160 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco MPG06, axial Rmpg06 Padrão MPG06 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 6.6pf @ 4V, 1MHz
1N4046R Powerex Inc. 1N4046R -
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 ECAD 7605 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-205AB, DO-9, Stud 1N4046 Polaridada reversa padrão DO-205AB (DO-9) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 1N4046RPX Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 150 v 15 mA a 150 V -65 ° C ~ 190 ° C. 275a -
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