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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Rbr40ns60afhtl | 2.0500 | ![]() | 466 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | RBR40 | Schottky | LPDS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 40A | 600 mV @ 20 A | 800 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | SCS212AGC17 | 5.9100 | ![]() | 189 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220ACFP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-SCS212AGC17 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,55 V @ 12 A | 0 ns | 240 µA A 600 V | 175 ° C. | 12a | 438pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | JANS1N5554 | 81.1500 | ![]() | 2182 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1,3 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||||||
![]() | 1N5396 | - | ![]() | 6467 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N539 | Padrão | DO-15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,4 V @ 1,5 A | 5 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | F1857D400 | 103.5940 | ![]() | 5894 | 0,00000000 | Sensata-Crydom | - | Volume | Não é para desenhos para Novos | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Rohs Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 165 A | 55a | - | |||||||||
![]() | F1842CCD1200 | 128.5780 | ![]() | 6115 | 0,00000000 | Sensata-Crydom | - | Volume | Não é para desenhos para Novos | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Rohs Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 40A (DC) | 1,4 V @ 120 A | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||
![]() | Rs1khe3/61t | - | ![]() | 1654 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Rs1k | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SET100111 | - | ![]() | 2378 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Chassi, montagem em pântano | Módlo | SET100 | - | - | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | - | 150 v | 45a | 1,1 V @ 54 A | 30 ns | 60 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | Esh1pdhe3/85a | - | ![]() | 9657 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-220AA | Esh1 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MBRF30150CT | 2.9400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Littelfuse Inc. | Mbr | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF30150 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 15a | 1 V @ 15 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | RA255GP-BP | - | ![]() | 7986 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | Ra | RA255 | Padrão | Ra | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1.1 V @ 25 A | 3 µs | 5 µA A 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 300pf @ 4V, 1MHz | |||||
UF5406-E3/73 | 0,8900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UF5406 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 36pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | S1JB R5G | - | ![]() | 8096 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S1J | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | Bas32l, 115 | 0,1300 | ![]() | 70 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Bas32 | Padrão | LLDS; Mínimo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 200 ° C (max) | 200Ma | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | SURS8360T3G-VF01 | - | ![]() | 2476 | 0,00000000 | Onsemi | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-SURS8360T3G-VF01TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | SDM20U30LP-7 | 0,3900 | ![]() | 162 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 0402 (1006 Mética) | SDM20 | Schottky | X1-DFN1006-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 575 mV @ 200 mA | 150 µA A 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200Ma | 20pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | PMEG3010EB-QX | 0.1154 | ![]() | 3835 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | PMEG3010 | Schottky | SOD-523 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1727-PMEG3010EB-QXTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 680 mV @ 1 a | 500 µA A 30 V | 150 ° C. | 1a | 24pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | MBRF760-E3/45 | - | ![]() | 2098 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | MBRF7 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mV @ 7.5 A | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | |||||
![]() | RGL34D/1 | - | ![]() | 7413 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | RGL34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 1N4248 | 2.7300 | ![]() | 256 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | 2368-1N4248 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,2 V @ 1 A | 2 µs | 1 µA A 800 V | - | 1a | - | ||||||
![]() | 1N5819A-01 | - | ![]() | 1110 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Obsoleto | - | - | 1N5819 | - | - | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 31-1N5819A-01 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | - | - | - | - | ||||||||
![]() | SDT660VD1-13 | 0,1725 | ![]() | 1032 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Schottky | TO-252, (D-PAK) TIPO TH | download | Alcançar Não Afetado | 31-SDT660VD1-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 500 mV @ 6 A | 30 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||||||
![]() | MBR10200CTC0 | - | ![]() | 9745 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR1020 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 980 mV @ 10 A | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MBRF735 C0G | - | ![]() | 1397 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | MBRF735 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 840 mV @ 15 A | 100 µA A 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | |||||
![]() | MBR20100CT-LJ | - | ![]() | 3226 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | MBR20100CT-LJDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 840 mV @ 10 A | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | S1PD-M3/84A | 0,3900 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | S1p | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | VS-80CNQ040ASLPBF | - | ![]() | 8293 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | D-61-8-SL | 80CNQ040 | Schottky | D-61-8-SL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS80CNQ040ASLPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 40A | 520 mV @ 40 A | 5 mA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
Rmpg06ghe3_a/73 | - | ![]() | 9160 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | MPG06, axial | Rmpg06 | Padrão | MPG06 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6.6pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | IDK05G65C5XTMA1 | - | ![]() | 5259 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IDK05G65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A263-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 830 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 160pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | VS-10BQ100-M3/5BT | 0,4500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 10BQ100 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 750 mv @ 1 a | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 65pf @ 5V, 1MHz |
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