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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDBU0130 | 0,4100 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | CDBU0130 | Schottky | 0603C/SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 440 mV @ 100 Ma | 30 µA a 30 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 9pf @ 10V, 1MHz | |||||
![]() | MBRD1035CTL | - | ![]() | 3147 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD1035 | Schottky | DPAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 5a | 470 mV @ 5 A | 2 mA a 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | VBT1080C-M3/8W | 0,6791 | ![]() | 7941 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT1080 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 5a | 720 mV @ 5 A | 400 µA A 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | 1n649ur-1/tr | 3.9102 | ![]() | 6685 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | Padrão | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N649ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 400 mA | 50 Na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | - | ||||||
![]() | UH4PCC-M3/87A | - | ![]() | 6119 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Uh4 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 2a | 1,05 V @ 2 A | 25 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | BAT54A/6215 | 0,0300 | ![]() | 207 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, BAT54 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SOT-23-3 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 30 v | 200Ma (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 150 ° C (Máximo) | ||||
![]() | BAT54W | 0,0289 | ![]() | 1965 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BAT54 | Schottky | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | MF200C06F2 | 30.9063 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | F2 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MF200C06F2 | Ear99 | 8 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 600 v | 200a | 1,6 V @ 200 A | 140 ns | 500 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | TST40L200CW | 2.8500 | ![]() | 1787 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | TST40 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 880 mV @ 20 A | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||
![]() | S1BA-E3/61T | - | ![]() | 6168 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1b | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 1 µs | 3 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Jantx1n6941utk3cs/tr | 438.9902 | ![]() | 6498 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/726 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTX1N6941UTK3CS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 50 A | 5 mA a 30 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150a | 7500pf @ 5V, 1MHz | ||||||
![]() | NTE6112 | 134.6500 | ![]() | 14 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Prenda | Do-200aa, a-puk | Padrão | DO-2000AA | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6112 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,4 V @ 500 A | 15 mA a 1200 V | -30 ° C ~ 190 ° C. | 500A | - | |||||||
![]() | DH40-18A | 9.4600 | ![]() | 3198 | 0,00000000 | Ixys | Sonic-Frd ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | Dh40 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DH4018A | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1800 v | 2,7 V @ 40 A | 300 ns | 100 µA @ 1800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 40A | - | |||
![]() | MUR8100E | - | ![]() | 8173 | 0,00000000 | Harris Corporation | SwitchMode ™ | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Padrão | To-220-2 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,8 V @ 8 A | 100 ns | 25 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | NRVHP8H200MFDT1G | - | ![]() | 2480 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101, SwitchMode ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Nrvhp8 | Padrão | Sinalizoça Dupla de 8-DFN (5x6) (SO8FL-DUN) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 4a | 910 mV @ 8 a | 30 ns | 500 Na @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | VS-1N3208 | 6.9600 | ![]() | 4250 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3208 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,5 V @ 15 A | 10 mA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | |||||
![]() | VS-6EWX06fntrlhm3 | 1.0025 | ![]() | 1082 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 6EWX06 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs6ewx06fntrlhm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 3,1 V @ 6 A | 21 ns | 20 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | |||
![]() | MBR30H100MFST3G | 2.0600 | ![]() | 7158 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | MBR30 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 900 mV @ 30 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |||||
![]() | HER108G-TP | 0,0515 | ![]() | 1085 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | HER108 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MBR860_T0_00001 | 0,6600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | MBR860 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-MBR860_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 8 a | 50 µA A 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||||
![]() | V10pm63hm3/h | 0,6600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 650 mV @ 10 A | 25 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4.5a | 2190pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SB3045CT_T0_00001 | 0,9300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | SB3020CT | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SB3045 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-SB3045CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 30a | 550 mV @ 15 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | 1N1612R | 1.9500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N1612R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 30 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - | |||||
![]() | VS-30CTQ035S-M3 | 0,9182 | ![]() | 4233 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 30CTQ035 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 15a | 620 mV @ 15 a | 2 mA a 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | VS-12CWQ03FNTLPBF | - | ![]() | 9738 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 12CWQ03 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 30 v | 6a | 470 mV @ 6 A | 3 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | GDB5818WS | 0,2200 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 600 mV @ 1 a | 1 mA a 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 120pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | NRVBB1645T4G | - | ![]() | 7125 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | NRVBB1645 | Schottky | D²pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 630 mV @ 16 a | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - | |||||
MBR1060HE3/45 | - | ![]() | 4951 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | MBR106 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||||||
![]() | CMPD7000 BK PBFREE | 0,0659 | ![]() | 3968 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPD7000 | Padrão | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 100 v | 200Ma | 1,1 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 Na @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | 1N4935-TP | - | ![]() | 1108 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4935 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz |
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