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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CGRC301-HF | 0,1488 | ![]() | 4715 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | CGRC301 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-CGRC301-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 3 A | 5 µA a 50 V | 150 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | VS-25CTQ035STRL-M3 | 0,8993 | ![]() | 5675 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 25ctq035 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 15a | 560 mV @ 15 a | 1,75 mA a 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MURF10L60 C0G | - | ![]() | 6868 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Murf10 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 10 A | 65 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||||
![]() | SE30NGHM3/i | 0,4500 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 3 A | 1,5 µs | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 19pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | 1N4936GP-TPS01 | - | ![]() | 7129 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4936 | Padrão | DO-41 | - | 353-1N4936GP-TPS01TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | ES3A R6 | - | ![]() | 3341 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-ES3AR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 3 a | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | S115Q | 0,0430 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-S115qtr | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | ES1C | 0,0300 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES1CTR | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||||
![]() | MBRL1060FCT | 0,3380 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Guia Isolada parágrafo 220-3 | Schottky | ITO-220AB | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBRL1060FCTTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 600 mV @ 5 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | G2DF | 0,0210 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-G2DFTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | MBRAD845H | 0,7200 | ![]() | 2252 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRAD845 | Schottky | Thindpak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 700 mv @ 8 a | 100 µA A 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 384pf @ 4V, 1MHz | |||||
Rs3mfsh | 0,1035 | ![]() | 7782 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Padrão | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-rs3mfshtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 3 A | 160 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | Ug1f-tp | 0,0630 | ![]() | 7306 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Ug1f | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | 353-UG1F-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,25 V @ 1 A | 25 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | US1JWF-HF | 0,0690 | ![]() | 2491 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | US1J | Padrão | SOD-123F | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-US1JWF-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,65 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | S4pdhm3_b/h | - | ![]() | 9604 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4pd | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | 112-S4PDHM3_B/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | MBRD1530-TP | 0,4186 | ![]() | 7508 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD1530 | Schottky | DPAK (TO-252) | download | 353-MBRD1530-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 630 mV @ 15 A | 100 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||||||
SS14lHRQG | - | ![]() | 9450 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS14 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 400 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||||
![]() | Tuar4gh | 0,2022 | ![]() | 6727 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Tuar4 | Padrão | SMPC4.6U | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-Tuar4Ghtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 4 a | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 31pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 1N2432 | 102.2400 | ![]() | 4093 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N2432 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 350 v | 1,2 V @ 200 A | 50 µA @ 350 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - | |||||||
![]() | CD214A-S1J | 0,0494 | ![]() | 2151 | 0,00000000 | Bourns Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | Padrão | 2-SMD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 118-CD214A-S1JTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | HS1KH | 0,0827 | ![]() | 4677 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HS1KHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 15.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||
DSC08A065 | 4.0500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | DSC08 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO220AC (TIPO WX) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 31-DSC08A065 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 650 v | 1,5 V @ 8 A | 230 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 355pf @ 100mv, 1MHz | ||||||
![]() | Jantxv1n647-1/tr | - | ![]() | 1353 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/240 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N647-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 400 mA | 50 Na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | - | ||||||
![]() | 1N1612Ra | 1.9500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N1612Ra | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 30 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - | |||||
![]() | 1n6076us/tr | 23.5500 | ![]() | 4809 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | Padrão | E-Melf | - | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,76 V @ 18,8 A | 30 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 155 ° C. | 1.3a | - | ||||||||||
![]() | 1N2061 | 158.8200 | ![]() | 1093 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N2061 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA A 400 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||||||
![]() | 1PS76SB21-QZ | 0,0441 | ![]() | 7251 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1727-1PS76SB21-QZTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 550 mV a 200 mA | 15 µA a 30 V | 150 ° C. | 200Ma | 40pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | S2JHE3-LTP | 0,4200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S2J | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-S2JHE3-LTPTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MBR30H60CT-E3/45 | 1.9800 | ![]() | 487 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR30 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 15a | 680 mV @ 15 A | 60 µA A 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | VS-42CTQ030SL-M3H | - | ![]() | 2846 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | - | - | 42CTQ030 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-42CTQ030SL-M3H | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | - | - | - | - |
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