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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CMR3-04 TR13 PBFREE | 0,6100 | ![]() | 358 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | CMR3-04 | Padrão | SMC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 3 A | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | 1ss119-041ta-eq | 0,1000 | ![]() | 645 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MBRTA40020L | - | ![]() | 8335 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 200a | 580 mV @ 200 A | 3 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | V20100SHM3/4W | - | ![]() | 6717 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | V20100 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,07 V @ 20 A | 350 µA A 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||
![]() | VS-30WQ04FNTRHM3 | 0,8379 | ![]() | 8115 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 30WQ04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS30WQ04FNTRHM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 530 mV @ 3 a | 2 mA a 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.5a | 189pf @ 5V, 1MHz | ||||
![]() | 1N4148UBCC | 27.0900 | ![]() | 2645 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1N4148 | Padrão | UBC | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 75 v | 200Ma | 1,2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | |||||
![]() | SF35G A0G | - | ![]() | 9621 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF35 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||
LS412660 | 196.4300 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo Pow-R-Blok ™ | Padrão | Módlo Pow-R-Blok ™ | download | Rohs Compatível | Não Aplicável | 835-1202 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2600 v | 1,18 V @ 1500 A | 40 mA A 2600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 600A | - | |||||||
![]() | SBR20U150CTFP | 1.5300 | ![]() | 5442 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SBR20 | Super Barreira | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | SBR20U150CTFPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 780 mV @ 10 a | 500 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | B190-13 | - | ![]() | 7776 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | B190 | Schottky | SMA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 790 mV @ 1 a | 500 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | FMC-26ua | - | ![]() | 9665 | 0,00000000 | Sanken | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | TO-220F-2L | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FMC-26ua DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 4 V @ 3 A | 70 ns | 500 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | VS-HFA30PB120HN3 | 9.6878 | ![]() | 8156 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | HFA30 | Padrão | TO-247AC Modifado | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSHFA30PB120HN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 4.1 V @ 30 A | 170 ns | 40 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |||
![]() | SK55_R1_00001 | 0,1704 | ![]() | 6868 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK55 | Schottky | SMC (DO-214AB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 80.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 750 mv @ 5 a | 100 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||
![]() | S12JC R6G | - | ![]() | 9948 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S12JCR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 12 A | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 78pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | MBR2X100A180 | 55.4800 | ![]() | 5262 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | MBR2X100 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1303 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 180 v | 100a | 920 mV @ 100 A | 3 ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | SBL1030-E3/45 | - | ![]() | 9080 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | SBL1030 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 600 mV @ 10 A | 1 mA a 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10a | - | |||||
![]() | Vs-vs38cdr04m | - | ![]() | 6121 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Vs38 | - | 112-VS-VS38CDR04M | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | RS3KB-T R5G | 0,4700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | RS3K | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 3 A | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Rs1g_r1_00001 | 0,3900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Rs1g | Padrão | SMA (DO-214AC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-RS1G_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SS2P4-M3/84A | 0,4600 | ![]() | 76 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | SS2P4 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mv @ 2 a | 150 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | VS-SD703C12S20L | 106.1767 | ![]() | 8529 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Prenda | Do-200ab, B-Puk | SD703 | Padrão | Do-200ab, B-Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 2,2 V @ 1500 A | 2 µs | 50 mA A 1200 V | 700A | - | |||||
SS215L M2G | - | ![]() | 5030 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS215 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 2 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||
![]() | SS2040FL_R1_00001 | 0,4100 | ![]() | 87 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | SS2040 | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 2 a | 100 µA A 40 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||
![]() | DSC10065D1 | 3.1521 | ![]() | 4686 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | DSC10 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252 (TIPO WX) | download | Alcançar Não Afetado | 31-DSC10065D1tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 250 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 400pf @ 100mv, 1MHz | |||||
![]() | SDT05S60 | - | ![]() | 5434 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | SDT05S | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-PARA220-2-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 200 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 170pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | MB400K01F3 | 18.1150 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | Schottky | F3 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MB400K01F3 | Ear99 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 200a | 820 mv @ 200 a | 5 mA A 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||
![]() | SMBD1488LT1G | 0,0200 | ![]() | 111 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | Esh2dh | 0,1470 | ![]() | 6067 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-NESH2DHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 2 a | 20 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | GS5DQ | 0,1550 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-GS5DQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | FST10020 | 65.6445 | ![]() | 9552 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FST10020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 100a | 650 mV @ 100 A | 2 mA a 20 V |
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