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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANS1N5712UR-1 | - | ![]() | 3245 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N5712UR-1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 50 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 16 v | 1 V @ 35 mA | 150 Na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75mA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||
SBYV28-150-E3/73 | - | ![]() | 4741 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SBYV28 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,1 V @ 3,5 A | 20 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3.5a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | MSASC150H45LR | - | ![]() | 9282 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 3 | Schottky, reversa polaridada | Thinkey ™ 3 | - | Alcançar Não Afetado | 150-MSASC150H45LR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 600 mV @ 150 A | 10 mA a 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150a | - | |||||||
![]() | S4J R6 | - | ![]() | 8412 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S4JR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 4 A | 1,5 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | BZX84C3V6Q | 0,0280 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZX84C3V6QTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | MBRS1645 | 0,6433 | ![]() | 4025 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS1645 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRS1645TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 630 mV @ 16 a | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||||
![]() | MBRF1060CT_HF | - | ![]() | 7730 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF106 | Schottky | ITO-220AB | download | 31-MBRF1060CT_HF | Obsoleto | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 5a | 750 mv @ 5 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | RFS30TZ6SGC13 | 6.1700 | ![]() | 600 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | RFS30 | Padrão | TO-247GE | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-RFS30TZ6SGC13 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 650 v | 2,3 V @ 30 A | 35 ns | 5 µA A 650 V | 175 ° C. | 30a | - | |||
![]() | Uf1dlw | 0,0907 | ![]() | 6839 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UF1DLWTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 1 a | 20 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | Esh1bh | 0,0926 | ![]() | 4970 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-NESH1BHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 15.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 900 mV @ 1 a | 15 ns | 1 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 16pf @ 4V, 1MHz | |||||
Rs1klshrvg | 0,0909 | ![]() | 1084 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | Rs1k | Padrão | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1,2 A | 300 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - | |||||
Pu1jls | 0,0978 | ![]() | 7340 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | Pu1j | Padrão | SOD-123H | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-PU1JLST | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 1 A | 28 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | VS-80-7897 | - | ![]() | 2930 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7897 | - | 112-VS-80-7897 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N3168 | 21.0000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Padrão | Do-9 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N3168 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 240 A | 75 µA A 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 240a | - | |||||
![]() | S1A_R1_00001 | 0,2700 | ![]() | 778 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S1A | Padrão | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 1 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SD103CWS-E3-08 | 0,3800 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | SD103 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 600 mV a 200 mA | 10 ns | 5 µA A 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 350mA | 50pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | 1N4053R | 158.8200 | ![]() | 8184 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N4053R | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 700 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA @ 700 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||||||
![]() | Janhcb1n6642 | 4.0166 | ![]() | 7995 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/394 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | D, axial | Padrão | D-5D | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANHCB1N6642 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | Esh3c R6g | - | ![]() | 2111 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-NESH3CR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SBRS5641T3G-VF01 | - | ![]() | 2307 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SBRS5641 | Schottky | SMB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-SBRS5641T3G-VF01TR | 2.500 | - | - | - | - | |||||||||
![]() | Mur820f | 0,3470 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Guia Isolada parágrafo 220-2 | Padrão | ITO-220AC | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MUR820FTR | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||||
![]() | 1N4045 | 21.0000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Padrão | Do-9 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N4045 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA A 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||||
![]() | NRTS6100TFSTBG | 0,2636 | ![]() | 6400 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | Schottky | 8-WDFN (3,3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-NRTS6100TFSTBGTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 680 mV @ 6 a | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 782pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | V12pm63hm3/h | 0,7500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 650 mV @ 12 A | 30 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4.6a | 2400pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SS315B | 0,0600 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS315BTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | RA202825XX | - | ![]() | 6439 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Do-200d | RA202825 | Padrão | Pow-R-Disc | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2800 v | 1,25 V @ 3000 A | 25 µs | 200 mA @ 2800 V | 2500A | - | ||||||
![]() | BAS40_R1_00001 | 0,1600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-BAS40_R1_00001CT | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 1 V @ 40 Ma | 1 µA A 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 5pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | SK5150LHE3-TP | 0,5600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK5150 | Schottky | SMC (DO-214AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 870 mV @ 5 A | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 100pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | V8pm63-m3/h | 0,6300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 640 mV @ 8 a | 20 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4.3a | 1460pf @ 4V, 1MHz | |||||||
SS12LS | 0,1418 | ![]() | 1451 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | SS12 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SS12LSTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 450 mv @ 1 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz |
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