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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
SBR40U300CTB Diodes Incorporated SBR40U300CTB 2.2700
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SBR40 Super Barreira TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 300 v 20a 920 mV @ 20 A 50 ns 100 µA @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C.
VS-6CWQ10FNTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ10FNTRPBF -
RFQ
 ECAD 5968 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 6CWQ10 Schottky D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 3.5a 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C.
RGP10D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10D-E3/73 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial RGP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
UFR7150 Microchip Technology UFR7150 99.3000
RFQ
 ECAD 6035 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AB, DO-5, Stud UFR7150 Padrão Do-5 download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,25 V @ 70 A 75 ns 25 µA A 500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 70A 150pf @ 10V, 1MHz
1N5402K Diotec Semiconductor 1N5402K 0,3787
RFQ
 ECAD 3713 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO15/DO204AC download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcance como informação de disponição mediana solicitada 2721-1N5402KTR 8541.10.0000 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 3 A 1,5 µs 5 µA A 200 V -50 ° C ~ 175 ° C. 3a -
SBRT3U60P1-7 Diodes Incorporated SBRT3U60P1-7 0,4100
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 ECAD 113 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi®123 SBRT3 Super Barreira Powerdi ™ 123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 60 v 560 mV @ 3 a 150 µA A 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a -
FFAF15U120DNTU onsemi FFAF15U120DNTU -
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 ECAD 1238 0,00000000 Onsemi - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo para 3p-3 FFAF15 Padrão TO-3PF download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 1200 v 15a 3,5 V @ 15 A 100 ns 15 µA A 1200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
MBR30H100CTF-E1 Diodes Incorporated MBR30H100CTF-E1 -
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 ECAD 5657 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Schottky TO-220F-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 15a 800 mV @ 15 A 4,5 µA a 100 V -65 ° C ~ 175 ° C.
MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor MBR200100CTS -
RFQ
 ECAD 8978 0,00000000 Genesco semicondutors - Tubo Obsoleto Montagem do parafuso SOT-227-4 Schottky SOT-227 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1133 Ear99 8541.10.0080 13 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 100 v 200a (DC) 950 mV @ 100 A 10 µA A 80 V -40 ° C ~ 175 ° C.
CDST-16-G Comchip Technology CDST-16-G 0,0368
RFQ
 ECAD 4545 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CDST-16 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1,25 V @ 150 Ma 6 ns 1 µA A 75 V 150 ° C (Máximo) 150mA 2pf @ 0V, 1MHz
UPS120E/TR7 Microchip Technology UPS120E/TR7 0,5550
RFQ
 ECAD 7880 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-216AA UPS120 Schottky Powermite download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 450 mv @ 1 a 400 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 80pf @ 5V, 1MHz
1N6662US/TR Microchip Technology 1n6662us/tr 16.1400
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 ECAD 3962 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/587 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, a Padrão A, SQ-Melf - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-1N6662US/TR Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1 V @ 400 mA 50 Na @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500mA -
CN240610 Powerex Inc. CN240610 -
RFQ
 ECAD 6593 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Obsoleto Montagem do chassi Módlo Padrão Módlo download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 600 v 100a (DC) 1,5 V @ 100 A 800 ns 20 mA a 600 V
BAW156HYT116 Rohm Semiconductor BAW156HYT116 0,3700
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 ECAD 5 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW156 Padrão SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 80 v 215mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 3 µs 5 Na @ 75 V 150 ° C.
NRVTSA4100ET3G onsemi NRVTSA4100ET3G 0,5800
RFQ
 ECAD 5285 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA NRVTSA4100 Schottky SMA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 680 mV @ 4 a 9 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 55pf @ 4V, 1MHz
1N4588R Powerex Inc. 1N4588R -
RFQ
 ECAD 7180 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano Do-205AA, DO-8, Stud 1N4588 Polaridada reversa padrão Do-205AA (DO-8) download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 9,5 mA a 200 V -60 ° C ~ 200 ° C. 150a -
SRS10150H Taiwan Semiconductor Corporation SRS10150H 0,7126
RFQ
 ECAD 8039 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SRS10150 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 10a 1 V @ 5 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
UES1104 Microchip Technology UES1104 23.4000
RFQ
 ECAD 1658 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco A, axial UES1104 Padrão A, axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,25 V @ 1 A 50 ns 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
IDP18E120XKSA1 Infineon Technologies IDP18E120XKSA1 2.8300
RFQ
 ECAD 435 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 IDP18E120 Padrão PG-PARA220-2-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 2,15 V @ 18 A 195 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 31a -
SR502 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR502 B0G -
RFQ
 ECAD 3711 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Descontinuado no sic Através do buraco Do-201D, axial SR502 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 5 A 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 5a -
EGL41BHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Egl41bhe3/96 -
RFQ
 ECAD 9527 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) Egl41 Padrão DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
R9G21209ASOO Powerex Inc. R9G21209ASOO -
RFQ
 ECAD 9831 0,00000000 Powerex Inc. * Volume Obsoleto - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3
UGB8AT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8AT-E3/81 -
RFQ
 ECAD 5673 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab UGB8 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
DHG40C600PB IXYS DHG40C600PB -
RFQ
 ECAD 6274 0,00000000 Ixys - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-3 DHG40 Padrão To-220-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 20a 2,32 V @ 20 A 35 ns 30 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-45APS16LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-45APS16LHM3 3.9300
RFQ
 ECAD 158 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 45APS16 Padrão TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,16 V @ 45 A 100 µA A 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 45a -
MBR2045CT Solid State Inc. MBR2045CT 0,6000
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Solid State Inc. - Volume Ativo Através do buraco To-220-3 Schottky To-220 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-MBR2045CT Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 45 v 20a -
BAV199E6433HTMA1 Infineon Technologies BAV199E6433HTMA1 0,4300
RFQ
 ECAD 77 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV199 Padrão PG-SOT23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 80 v 200Ma (DC) 1,25 V @ 150 Ma 1,5 µs 5 Na @ 75 V 150 ° C (Máximo)
VS-150SQ030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150SQ030 -
RFQ
 ECAD 8925 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Através do buraco Do-204ar, axial 150SQ030 Padrão Do-204ar download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) VS150SQ030 Ear99 8541.10.0080 300 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 30 v 540 mV @ 15 A 1,75 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a 900pf @ 5V, 1MHz
S1DL RTG Taiwan Semiconductor Corporation S1DL RTG -
RFQ
 ECAD 7417 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S1D Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
FR104G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR104G B0G -
RFQ
 ECAD 4774 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial FR104 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

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