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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S4PKHM3/87A | - | ![]() | 4073 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | S4p | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 4 A | 2,5 µs | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 1N5553US | 11.1900 | ![]() | 2143 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 1N5553 | Padrão | B, Sq-Melf | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA A 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||
![]() | IDD09SG60CXTMA2 | 3.8742 | ![]() | 9340 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IDD09SG60 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 2.1 V @ 9 A | 0 ns | 80 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 9a | 280pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | VS-20CTQ040HN3 | 1.6088 | ![]() | 7762 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | 20ctq040 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs20ctq040hn3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 20a | 760 mV @ 20 A | 2 mA a 40 V | 175 ° C (max) | ||||
![]() | MBR2050DC_R2_00001 | 0,3267 | ![]() | 8888 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | MBR2040DC | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBR2050 | Schottky | To-263 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 57.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 20a | 750 mv @ 10 a | 50 µA a 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | Bas521bf | 0,3200 | ![]() | 42 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | Bas521 | Padrão | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 250 v | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 250mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | BAS40-04-TP | 0,2100 | ![]() | 748 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 40 v | 200Ma (DC) | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 Na @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||
![]() | MD120C16D1N | 20.4720 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | D1n | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MD120C16D1N | Ear99 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1600 v | 120a | 1,35 V @ 300 A | 6 mA a 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
![]() | P2000DTL | 1.0284 | ![]() | 6946 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | P600, axial | Padrão | P600 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-P2000DTLTR | 8541.10.0000 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 20 A | 1,5 µs | 10 µA A 200 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 20a | - | ||||||
![]() | MSRT250140A | 54.2296 | ![]() | 9385 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Três Torre | MSRT250140 | Padrão | Três Torre | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1400 v | 250a (DC) | 1,2 V @ 250 A | 15 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | Jan1n6642ubd | 23.9400 | ![]() | 2745 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1N6642 | Padrão | Ub | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | 5pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | BAV70DW-TP | 0,2800 | ![]() | 2857 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bav70 | Padrão | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 par cátodo comum | 75 v | 150mA | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 2,5 µA A 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | DA3X101F0L | - | ![]() | 7190 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DA3X101 | Padrão | Mini3-G3-B | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 80 v | 100mA (DC) | 1,2 V @ 100 Ma | 3 ns | 100 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | APT50SCE120B | - | ![]() | 2482 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Tubo | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | |||||||||||||||||||
![]() | MBR7560R | 21.9195 | ![]() | 8324 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR7560 | Schottky, reversa polaridada | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR7560RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mV @ 75 A | 1 mA a 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 75a | - | |||||
![]() | SS315BQ | 0,1300 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS315BQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | FR70JR02 | 17.7855 | ![]() | 6539 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR70JR02GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 70 A | 250 ns | 25 µA A 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 70A | - | |||||
![]() | MDMA1400C1600CC | 218.7567 | ![]() | 1289 | 0,00000000 | Ixys | MDMA1400C1600CC | CAIXA | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | MDMA1400 | Padrão | Compack | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-MDMA1400C1600CC | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 1600 v | 700A | 1,14 V @ 700 A | 500 µA @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | BAT54CD Reg | - | ![]() | 5772 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAT54 | Schottky | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 par cátodo comum | 30 v | 200Ma (DC) | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||
![]() | Jantxv1n3768r | 80.8200 | ![]() | 6149 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/297 | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3768 | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,4 V @ 110 A | 10 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - | |||||
![]() | GP10MHM3/54 | - | ![]() | 1223 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | RR263M-400TR | 0,1258 | ![]() | 2321 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | * | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | RR263 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||
Jan1n5804us | - | ![]() | 5040 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Volume | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | D-5A | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 2,5 A | 25 ns | 1 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2.5a | 25pf @ 10V, 1MHz | ||||||
S1AlHM2G | - | ![]() | 1495 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1A | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SMD210LHE-TP | - | ![]() | 1029 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123H | SMD210 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 720 mv @ 2 a | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||
![]() | UF202G_R2_00001 | 0,0810 | ![]() | 1784 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | UF202 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 2 A | 50 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 35pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | PMEG2020EJ, 115 | 0,3800 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | PMEG2020 | Schottky | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 525 mV @ 2 a | 200 µA a 20 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | 60pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | LSIC2SD120E40CCA | - | ![]() | 4860 | 0,00000000 | Littelfuse Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247 | download | 18-LSIC2SD120E40CCA | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1 par cátodo comum | 1200 v | 55a (DC) | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 100 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||
![]() | RB161MM-20TR | 0,4800 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | RB161 | Schottky | PMDU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 25 v | 350 mv @ 1 a | 700 µA A 20 V | 125 ° C (Máximo) | 1a | - | |||||
![]() | MBR35100 | 14.3280 | ![]() | 8144 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Schottky | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR35100GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 840 mV @ 35 A | 1,5 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - |
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