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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SCPAS15FF | - | ![]() | 1184 | 0,00000000 | Semtech Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Módlo | SCPAS15 | Padrão | - | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | - | 150 v | 42.5a | 970 mV @ 30 A | 30 ns | 60 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | PMEG200G30ELPX | 0,5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | PMEG200 | SIGE (Silício Germânio) | SOD-128/CFP5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 2a (io) | 200 v | 880 mV @ 3 a | 14 ns | 30 Na @ 200 V | 175 ° C. | 3a | 80pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | DSEI2X61-02A | 33.2400 | ![]() | 2277 | 0,00000000 | Ixys | Fred | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Dsei2x6 | Padrão | SOT-227B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 71a | 1,08 V @ 60 A | 50 ns | 50 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | 189NQ135 | - | ![]() | 7470 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | D-67 Half-Pak | 189NQ135 | Schottky | D-67 Half-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *189NQ135 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 135 v | 1,07 V @ 180 A | 4,5 mA a 135 V | 180A | 4500pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | S8GCH | 0.2111 | ![]() | 1683 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 985 mV @ 8 a | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 48pf @ 4V, 1MHz | ||||||
1n458a | 2.0700 | ![]() | 5440 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N458 | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 1N458ams | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 150 v | 1 V @ 100 Ma | 1 µA A 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | - | ||||||
![]() | FERD40H100SG-TR | 1.8300 | ![]() | 61 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Ferd40 | FERD (Retificador Diodo de Efeito de Campo) | D²pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 705 mV @ 40 A | 190 µA @ 100 V | 175 ° C (max) | 40A | - | |||||
![]() | Ss1p3lHm3/84a | 0,4900 | ![]() | 529 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | Ss1p3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 450 mv @ 1 a | 200 µA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SBR30A50CTFP | - | ![]() | 6460 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SBR30 | Super Barreira | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | SBR30A50CTFPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 15a | 550 mV @ 15 A | 500 µA A 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | SS2020FL_R1_00001 | 0,4100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | SS2020 | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-SS2020FL_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 100 µA a 20 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||
![]() | BYVB32-100HE3_A/P. | 0,9405 | ![]() | 2209 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | BYVB32 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 18a | 1,15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | SBR10100CTB | 0,8200 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SBR10100 | Super Barreira | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 5a | 840 mV @ 5 A | 200 µA a 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | SBR05U20LP-7 | - | ![]() | 1255 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 0402 (1006 Mética) | SBR05 | Super Barreira | X1-DFN1006-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mV @ 500 mA | 50 µA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | - | |||||
![]() | VSB20L45-M3/54 | - | ![]() | 8410 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | P600, axial | B20L45 | Schottky | P600 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 390 mV @ 5 A | 5 mA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | 2470pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | UFS370GE3/TR13 | 1.5000 | ![]() | 1243 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-215AB, Asa de Gaivota SMC | UFS370 | Padrão | DO-215AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 700 v | 1,2 V @ 3 A | 60 ns | 10 µA A 700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||
DHG30IM600PC-Trl | 7.3608 | ![]() | 5833 | 0,00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | DHG30 | Padrão | TO-263AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,37 V @ 30 A | 35 ns | 50 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |||||
![]() | MBRM140T1G | 0,5000 | ![]() | 3601 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-216AA | MBRM140 | Schottky | Powermite | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | MBRM140T1GOSTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | V10d120c-m3/i | 0,9900 | ![]() | 8112 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | V10d120 | Schottky | Smpd | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 5a | 940 mV @ 5 A | 500 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | NRVBS360T3G | 0,9400 | ![]() | 6246 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | NRVBS360 | Schottky | SMC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 630 mV @ 3 a | 30 µA A 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | CMHD2003 TR PBFREE | 0,4700 | ![]() | 48 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | CMHD2003 | Padrão | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 250 v | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 1.5pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | SR009HB0G | - | ![]() | 8680 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR009 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mV a 500 mA | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | PNE20040EPEZ | 0,5800 | ![]() | 4813 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | PNE20040 | Padrão | CFP15B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 930 mV @ 4 a | 30 ns | 1 µA A 200 V | 175 ° C. | 4a | 61pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | S1G-E3/1 | - | ![]() | 5131 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1G | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | STTH10LCD06SB-TR | - | ![]() | 3922 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | STTH10 | Padrão | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 10 A | 50 ns | 5 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 10a | - | ||||
![]() | V8P10-M3/86A | 0,8300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V8p10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 680 mV @ 8 a | 70 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | SS1H9HE3_B/i | 0.1188 | ![]() | 8326 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS1H9 | Schottky | SMA (DO-214AC) | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 860 mV @ 2 a | 1 µA A 90 V | 175 ° C (max) | 1a | - | |||||||
![]() | Vs-95pf40w | 5.7340 | ![]() | 8421 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | 95pf40 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs95pf40w | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 267 A | -55 ° C ~ 180 ° C. | 95a | - | |||||
![]() | Rs1ahe3/61t | - | ![]() | 8698 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | RS1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | DB2X41100L | - | ![]() | 6132 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123F | DB2X411 | Schottky | Mini2-F4-B | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 580 mV @ 1 a | 6,8 ns | 100 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | 21pf @ 10V, 1MHz | ||||||
![]() | 1n457atr | - | ![]() | 5220 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N457 | Padrão | DO-35 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1 V @ 100 Ma | 25 Na @ 60 V | 175 ° C (max) | 200Ma | 8pf @ 0V, 1MHz |
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