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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VBT1080C-E3/4W | 0,5115 | ![]() | 2948 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | VBT1080 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 80 v | 5a | 720 mV @ 5 A | 400 µA A 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
STPS3170UF | 0,6200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Ecopack® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-221aa, SMB plat do | STPS3170 | Schottky | SMBFLAT | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 170 v | 820 mv @ 3 a | 4 µA A 170 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||||||
ES2CA R3G | - | ![]() | 4915 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES2C | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||
Rs1klhmhg | - | ![]() | 1064 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1k | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | IRKE166/04 | - | ![]() | 5381 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Int-a-pak (2) | IRKE166 | Padrão | Módlo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *Irke166/04 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 20 mA a 400 V | 165a | - | ||||||
![]() | SBR20A150CT | 1.0700 | ![]() | 1102 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SBR20 | Super Barreira | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | SBR20A150CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 820 mV @ 10 A | 100 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | 1N3620 | 44.1600 | ![]() | 9228 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-203aa (DO-4) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N3620 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 30 A | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 25a | - | ||||||
![]() | Vs-vskj320-08pbf | 201.0700 | ![]() | 9521 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | 3-MAGN-A-PAK ™ | Vskj320 | Padrão | Magn-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskj32008pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 800 v | 160a | 50 mA a 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | 1N4004GHA0G | - | ![]() | 5701 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4004 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | BYM07-400HE3_A/i | - | ![]() | 8576 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | BYM07 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | BYM07-400HE3_B/i | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,35 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | RS3K-M3/9AT | 0.1881 | ![]() | 9255 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | RS3K | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 2,5 A | 500 ns | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 34pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MBRT40035RL | - | ![]() | 3676 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 35 v | 200a | 600 mv @ 200 a | 3 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||
![]() | VS-20CTQ040STRL-M3 | 0,9298 | ![]() | 2517 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 20ctq040 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 40 v | 10a | 640 mV @ 10 A | 2 mA a 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | V10pwm12chm3/i | 0,4193 | ![]() | 2036 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Schottky | Slimdpak | download | Alcançar Não Afetado | 112-V10PWM12CHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 5a | 860 mV @ 5 A | 150 µA A 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||
SS15LHRHG | - | ![]() | 5034 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS15 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 400 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||
![]() | FEPB16BT-E3/45 | 0,8732 | ![]() | 8134 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FEPB16 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 8a | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | CN5179 BK | - | ![]() | 3904 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 20 v | 3,7 V @ 100 Ma | 10 µA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | - | - | |||||||
![]() | B0540WSHE3-TP | 0,3300 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | B0540 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-B0540WSHE3-TPTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV a 500 mA | 80 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500mA | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||
QRT10A06D_R2_00001 | 0,9300 | ![]() | 2476 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | QRT10A06 | Padrão | To-263 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,4 V @ 10 A | 32 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | ||||||
![]() | Jantxv1n6874utk2as/tr | 521.6100 | ![]() | 1863 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantxv1N6874utk2as/tr | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | C6D10065E-TR | 2.7999 | ![]() | 3711 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Z-REC® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | C6D10065 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-252-2 | - | 1697-C6D10065E-TR | 800 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 35a | 611pf @ 0V, 1MHz | ||||||||
![]() | SD101B-TAP | 0,0446 | ![]() | 6641 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | SD101 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 50.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 15 mA | 200 Na @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 30Ma | 2.1pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | 1N4449 BK | - | ![]() | 3559 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | download | Solicita Verificações de Inventário | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 730 mV @ 5 mA | 4 ns | 25 Na @ 20 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||
BAS70WT-06 | 0,0200 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bas70 | Schottky | SOT-323 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BAS70WT-06TR | Ear99 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||
![]() | Gf1dhe3/67a | - | ![]() | 5369 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214BA | GF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | Nsd070alt1g | 0,2700 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NSD070 | Padrão | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par ânodo comum | 70 v | 200Ma | 1,25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 Na @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | HER102G B0G | - | ![]() | 6794 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | HER102 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | V10P10-E3/87A | - | ![]() | 1302 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V10p10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 680 mV @ 10 a | 150 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||
![]() | 1PS70SB85,115 | 0,1000 | ![]() | 362 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | 1ps70 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | DSS13U | 0,2200 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | DSS13 | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 100 µA A 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz |
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