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Retificadores (74344)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
SS8P2CL-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P2CL-M3/87A 0,2749
RFQ
 ECAD 4718 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN SS8P2 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 20 v 4a 540 mV @ 4 a 300 µA A 20 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S12KCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S12KCHM6G -
RFQ
 ECAD 6099 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S12K Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 12 A 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a 78pf @ 4V, 1MHz
PCFFS2065AF onsemi PCFFS2065AF -
RFQ
 ECAD 4625 0,00000000 Onsemi - Bandeja Ativo Montagem na Superfície Morrer PCFFS2065 Sic (carboneto de Silíc) Schottky Morrer - ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 488-PCFFS2065AF Ear99 8541.10.0080 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,75 V @ 20 A 0 ns 200 µA A 650 V 175 ° C (max) 20a -
B350A-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division B350A-E3/5AT 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA B350 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 720 mv @ 3 a 200 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 145pf @ 4V, 1MHz
IDD09SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD09SG60CXTMA2 3.8742
RFQ
 ECAD 9340 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Última Vez compra Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IDD09SG60 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-A252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 600 v 2.1 V @ 9 A 0 ns 80 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9a 280pf @ 1V, 1MHz
GSXD300A170S2D5 SemiQ GSXD300A170S2D5 -
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 ECAD 2356 0,00000000 Semiq AMP+™ Volume Obsoleto Montagem do chassi Add-a-pak (3) GSXD300 Padrão Add-a-Pak® download ROHS3 Compatível ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 6 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1700 v 1,9 V @ 300 A 540 ns -40 ° C ~ 150 ° C. 300A -
V10PM63HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pm63hm3/h 0,6600
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 ECAD 4 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Schottky TO-277A (SMPC) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 650 mV @ 10 A 25 µA A 60 V -40 ° C ~ 175 ° C. 4.5a 2190pf @ 4V, 1MHz
MBR2050DC_R2_00001 Panjit International Inc. MBR2050DC_R2_00001 0,3267
RFQ
 ECAD 8888 0,00000000 Panjit International Inc. MBR2040DC Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBR2050 Schottky To-263 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 57.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 20a 750 mv @ 10 a 50 µA a 50 V -50 ° C ~ 150 ° C.
JAN1N5804US Microchip Technology Jan1n5804us -
RFQ
 ECAD 5040 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/477 Volume Descontinuado no sic Montagem na Superfície SQ-Melf, a Padrão D-5A download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 975 mV @ 2,5 A 25 ns 1 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2.5a 25pf @ 10V, 1MHz
1N6662US/TR Microchip Technology 1n6662us/tr 16.1400
RFQ
 ECAD 3962 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/587 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, a Padrão A, SQ-Melf - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-1N6662US/TR Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1 V @ 400 mA 50 Na @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500mA -
SMD210LHE-TP Micro Commercial Co SMD210LHE-TP -
RFQ
 ECAD 1029 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SOD-123H SMD210 Schottky Sod-123He download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 720 mv @ 2 a 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
BAW156HYT116 Rohm Semiconductor BAW156HYT116 0,3700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW156 Padrão SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 80 v 215mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 3 µs 5 Na @ 75 V 150 ° C.
JANTX1N6640US Microchip Technology Jantx1n6640us 8.4900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/609 Volume Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, d 1N6640 Padrão D-5D download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 200 mA 4 ns 100 Na @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 300mA -
RB550VM-30FHTE-17 Rohm Semiconductor RB550VM-30FHTE-17 0,4500
RFQ
 ECAD 3795 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F RB550 Schottky Umd2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 590 mV @ 500 mA 35 µA A 30 V 150 ° C (Máximo) 500mA -
V20PWM60-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20pwm60-m3/i 0,9300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 V20pwm60 Schottky Slimdpak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mV @ 20 A 1,2 mA a 60 V -40 ° C ~ 175 ° C. 20a 2320pf @ 4V, 1MHz
GP10B-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10B-M3/54 -
RFQ
 ECAD 9503 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Gp10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 1 A 3 µs 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
1N5819HW1-7-F Diodes Incorporated 1N5819HW1-7-F 0,4800
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F 1N5819 Super Barreira SOD-123F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 510 mV @ 1 a 15 ns 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 30pf @ 10V, 1MHz
STPS140Z STMicroelectronics STPS140Z 0,4900
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123 STPS140 Schottky SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 40 µA A 400 V 150 ° C (Máximo) 1a -
IDP18E120XKSA1 Infineon Technologies IDP18E120XKSA1 2.8300
RFQ
 ECAD 435 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 IDP18E120 Padrão PG-PARA220-2-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 2,15 V @ 18 A 195 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 31a -
1N5818-E3/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5818-E3/1 -
RFQ
 ECAD 4421 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N5818 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 mA a 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a -
JANTXV1N5621 Semtech Corporation Jantxv1N5621 -
RFQ
 ECAD 9986 0,00000000 Semtech Corporation * Volume Descontinuado no sic 1N5621 - Ear99 8541.10.0080 1
MBRD1040-T-F Diodes Incorporated MBRD1040-TF -
RFQ
 ECAD 3875 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MBRD1040 Schottky TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 510 mV @ 10 A 300 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a -
MBR30100PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR30100PT 1.6215
RFQ
 ECAD 4417 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 MBR30100 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 30a 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X080A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A100 53.8500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc MBR2X080 Schottky SOT-227 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1242-1302 Ear99 8541.10.0080 52 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 Independente 100 v 80a 840 mV @ 80 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C.
GP10MHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10MHM3/54 -
RFQ
 ECAD 1223 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Gp10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 1 A 3 µs 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 7pf @ 4V, 1MHz
FFSH10120A onsemi FFSH10120A 8.3400
RFQ
 ECAD 450 0,00000000 Onsemi - Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 FFSH10120 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 450 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,75 V @ 10 A 0 ns 200 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 17a 612pf @ 1V, 100kHz
A187RN Powerex Inc. A187rn 65.1523
RFQ
 ECAD 3902 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Montagem do Pino Do-205AA, DO-8, Stud A187 Polaridada reversa padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 2,3 µs -40 ° C ~ 125 ° C. 150a -
FR3MB-TP Micro Commercial Co FR3MB-TP 0.1020
RFQ
 ECAD 3589 0,00000000 Micro Commercial Co. - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB FR3M Padrão DO-214AA (SMB) download 353-FR3MB-TP Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 3 A 500 ns 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 80pf @ 4V, 1MHz
UF1503S-B Diodes Incorporated UF1503S-B -
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 ECAD 8612 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1,5 A 50 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 35pf @ 4V, 1MHz
SBR10U60CT Diodes Incorporated SBR10U60CT 1.2054
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 ECAD 2883 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SBR10 Super Barreira To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 5a 480 mV @ 5 A 500 µA A 60 V -65 ° C ~ 150 ° C.
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