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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-6FR40 | 3.3089 | ![]() | 7993 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 6fr40 | Polaridada reversa padrão | Do-203aa (DO-4) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 19 A | 12 mA a 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | |||||
![]() | U3D-E3/9AT | 0,6200 | ![]() | 8316 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | U3d | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||
![]() | MUH1PDHM3/89A | - | ![]() | 2974 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | MicroSMP | MUH1 | Padrão | MicroSMP (DO-219AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 1 A | 40 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 1N5402K | 0,3787 | ![]() | 3713 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO15/DO204AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-1N5402KTR | 8541.10.0000 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | VS-150SQ030 | - | ![]() | 8925 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ar, axial | 150SQ030 | Padrão | Do-204ar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | VS150SQ030 | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 540 mV @ 15 A | 1,75 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 900pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | Jantxv1n3768r | 80.8200 | ![]() | 6149 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/297 | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3768 | Polaridada reversa padrão | Do-5 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,4 V @ 110 A | 10 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - | |||||
![]() | ES1D-E3/61T | 0,4000 | ![]() | 108 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 920 mV @ 1 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MBR200100CTS | - | ![]() | 8978 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Tubo | Obsoleto | Montagem do parafuso | SOT-227-4 | Schottky | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1133 | Ear99 | 8541.10.0080 | 13 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 100 v | 200a (DC) | 950 mV @ 100 A | 10 µA A 80 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | SF801G C0G | - | ![]() | 2838 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF801 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | UPS120E/TR7 | 0,5550 | ![]() | 7880 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-216AA | UPS120 | Schottky | Powermite | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 450 mv @ 1 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 80pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | CDBA140SLR-HF | - | ![]() | 8058 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | CDBA140 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 400 mv @ 2 a | 1 mA a 40 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 120pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | MBR35100 | 14.3280 | ![]() | 8144 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Schottky | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MBR35100GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 840 mV @ 35 A | 1,5 mA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - | ||||||
![]() | RBR3L60BTE25 | 0,2752 | ![]() | 2826 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | RBR3L60 | Schottky | PMDS | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 560 mV @ 3 a | 150 µA A 60 V | 150 ° C (Máximo) | 3a | - | |||||
![]() | DA3X101F0L | - | ![]() | 7190 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DA3X101 | Padrão | Mini3-G3-B | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 80 v | 100mA (DC) | 1,2 V @ 100 Ma | 3 ns | 100 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | S07D-GS18 | 0,0875 | ![]() | 5583 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S07 | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 1N4588R | - | ![]() | 7180 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N4588 | Polaridada reversa padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 9,5 mA a 200 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||||||
![]() | GP10J-4005HE3/54 | - | ![]() | 8224 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | - | 1a | - | |||||||
![]() | RL256GP-AP | 0,1096 | ![]() | 8872 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | R-3, axial | RL256 | Padrão | R-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 2,5 A | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | GN1P20 | 0,4000 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2000 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA @ 2000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 5.4pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | SS8P2CL-M3/87A | 0,2749 | ![]() | 4718 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SS8P2 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 20 v | 4a | 540 mV @ 4 a | 300 µA A 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | S12KCHM6G | - | ![]() | 6099 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S12K | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 12 A | 1 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 78pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | PCFFS2065AF | - | ![]() | 4625 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | PCFFS2065 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Morrer | - | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-PCFFS2065AF | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,75 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA A 650 V | 175 ° C (max) | 20a | - | |||
![]() | B350A-E3/5AT | 0,4100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | B350 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 720 mv @ 3 a | 200 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 145pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | IDD09SG60CXTMA2 | 3.8742 | ![]() | 9340 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IDD09SG60 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 2.1 V @ 9 A | 0 ns | 80 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 9a | 280pf @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | GSXD300A170S2D5 | - | ![]() | 2356 | 0,00000000 | Semiq | AMP+™ | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Add-a-pak (3) | GSXD300 | Padrão | Add-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1700 v | 1,9 V @ 300 A | 540 ns | -40 ° C ~ 150 ° C. | 300A | - | ||||||
![]() | V10pm63hm3/h | 0,6600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 650 mV @ 10 A | 25 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4.5a | 2190pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | MBR2050DC_R2_00001 | 0,3267 | ![]() | 8888 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | MBR2040DC | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBR2050 | Schottky | To-263 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 57.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 20a | 750 mv @ 10 a | 50 µA a 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | |||||
Jan1n5804us | - | ![]() | 5040 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Volume | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | D-5A | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 2,5 A | 25 ns | 1 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2.5a | 25pf @ 10V, 1MHz | ||||||
1n6662us/tr | 16.1400 | ![]() | 3962 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/587 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | A, SQ-Melf | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N6662US/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 400 mA | 50 Na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | - | |||||||
![]() | SMD210LHE-TP | - | ![]() | 1029 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123H | SMD210 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 720 mv @ 2 a | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - |
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