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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S215FA | 0,4200 | ![]() | 1415 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | S215 | Schottky | SOD-123FA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 2 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 120pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1N2055 | 21.0000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Padrão | Do-9 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N2055 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA A 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||
![]() | 1N2132A | 74.5200 | ![]() | 4010 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | DO-5 (DO-203AB) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N2132A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 250 v | 1,25 V @ 200 A | 25 µA A 250 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70A | - | |||||
![]() | SF54G | 0,2150 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SF54GTB | Ear99 | 1.250 | ||||||||||||||||
![]() | MBR10150CD | 0,2720 | ![]() | 250 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | MBR10150 | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBR10150CDTR | Ear99 | 2.500 | |||||||||||||||
![]() | RGL1JR13 | 0,0810 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Padrão | DO-213AA, Mini-Melf | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-RGL1JR13TR | 8541.10.0000 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | SB340-T | - | ![]() | 1031 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | SB340 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | SF18-T/B. | 0,1955 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Mdd | DO-41 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3372-SF18-T/BTB | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | GI852/MR852 | 0,3200 | ![]() | 188 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | Rohs Não Compatível | 2368-GI852/MR852 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,25 V @ 3 A | 200 ns | 10 µA A 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Gr2ma | 0,0280 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-gr2matr | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||
![]() | SRC4200UF_R1_00001 | 0,4200 | ![]() | 155 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-221aa, SMB plat do | SRC4200 | Schottky | SMBF | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 840 mV @ 4 a | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - | |||
ES1AL RTG | - | ![]() | 2435 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | ES1A | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | G3S06503H | 2.7300 | ![]() | 1027 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 3 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 181pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | ES3B-E3/9AT | 0,6300 | ![]() | 467 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ES3B | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SIDC56D120F6YX1SA1 | - | ![]() | 8578 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Sidc56d | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||
![]() | GS1J | 0,0200 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (HSMA) | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-GS1JTR | Ear99 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SK12_R1_00001 | 0,3900 | ![]() | 789 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK12 | Schottky | SMB (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA a 20 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
![]() | Rfn3bge2stl | 1.1300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Rfn3b | Padrão | TO-252GE | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 980 mV @ 3 a | 25 ns | 10 µA A 200 V | 150 ° C. | 3a | - | ||
![]() | Jan1n5415/tr | 6.7800 | ![]() | 4275 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N5415/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||
Jantx1n5554us | 10.5600 | ![]() | 9375 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | Padrão | B, Sq-Melf | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1,3 V @ 9 A | 2 µs | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||||
![]() | SRAF560H | - | ![]() | 8706 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SRAF560H | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 5 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||
![]() | CGRTS4002-HF | 0,0690 | ![]() | 1918 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | CGRTS4002 | Padrão | TS/SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | VS-S1662 | - | ![]() | 6581 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | S1662 | - | 112-VS-S1662 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | US1BAFC_R1_00001 | 0,0465 | ![]() | 4465 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | US1B | Padrão | SMAF-C | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 120.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 1 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SK2020YD2 | 0,5436 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-SK2020YD2 | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 580 mV @ 20 A | 200 µA a 20 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||||
![]() | SSL34 | 0,1250 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SSL34TR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | SM5402-CT | 0,3220 | ![]() | 3409 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | SM5402 | Padrão | Mell Do-213ab | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-SM5402-CT | 8541.10.0000 | 30 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||
![]() | 1N4942E3/tr | 5.4450 | ![]() | 1021 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | - | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N4942E3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 174 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 45pf @ 12V, 1MHz | ||||
![]() | RB520S-30-TP-HF | - | ![]() | 1424 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | RB520 | Schottky | SOD-523 | download | 353-RB520S-30-TP-HF | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 600 mV a 200 mA | 1 µA A 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 200Ma | - | |||||
HS1FL R3G | - | ![]() | 6597 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | HS1F | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz |
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