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Diodos únicos (57622)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TUAU6MH | 0,2961 |  | 3551 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | TUAU6 | Padrão | SMPC4.6U | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TUAU6MHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 6 A | 50 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 64pf @ 4V, 1MHz | ||
| A15MX24 | 0,4000 | | 2 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||
 | PMEG2010EPAS115 | - | | 9770 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||
| PC6D10065Q-TR | 2.6866 | | 9195 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 1697-PC6D10065Q-TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | |||||||||||||||||
 | 1N3613GP-E3/73 | - | | 9428 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N3613 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 1 A | 2 µs | 1 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
| VS-73-4720 | - | | 8608 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-73-4720 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||
 | SD175SB45B.T1 | 2.5267 | | 8436 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Bandeja | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | SD175 | Schottky | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0040 | 49 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 640 mV @ 30 A | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 1600pf @ 5V, 1MHz | |||
 | BYS10-45-E3/TR | 0,4300 | | 70 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Bys10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | |||
 | BY459X-1500S, 127 | - | | 2238 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | By45 | Padrão | TO-220FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934052990127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1500 v | 1,35 V @ 6,5 A | 220 ns | 250 µA @ 1300 V | 150 ° C (Máximo) | 10a | - | |
| R42130 | 102.2400 | | 8780 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-R42130 | 1 | ||||||||||||||||||
 | S2KFSH | 0,0683 | | 2711 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Padrão | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-S2KFSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 28.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 2 A | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||
| S2dhe3-ltp | 0,0783 | | 5445 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S2d | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | 353-S2DHE3-LTP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 2 A | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | Hs1b | 0,1900 | | 5392 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
 | S3MC | 0,2155 | | 417 | 0,00000000 | Mdd | SMC | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-214AB, SMC | Padrão | SMC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | 1000 v | 1 V @ 3 A | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||
 | BAS3005A-02VE6327 | 0,0400 | | 4118 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | Schottky | PG-SC79-2-1 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 500 mA | 300 µA A 30 V | 150 ° C. | 500mA | 10pf @ 5V, 1MHz | ||||
 | 1ss355l-tp | 0,0426 | | 2459 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 1SS355 | Padrão | SOD-323fl | download | 353-1SS355L-TP | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | 3pf @ 6V, 1MHz | ||||
 | Jan1n4148ur-1/tr | 1.1970 | | 4733 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/241 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA | Padrão | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N4148UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 800 mV a 10 mA | 20 ns | 25 Na @ 20 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 2.8pf @ 1.5V, 1MHz | |||
 | 1N2022R | 2.5000 | | 100 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N2022R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 250 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA A 250 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | |||
 | Jantx1n6638/tr | 5.2402 | | 1441 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Polaridada reversa padrão | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1n6638/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 134 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,1 V @ 200 mA | 4,5 ns | 500 Na @ 125 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||
 | BZX84C6V8WQ | 0,0280 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZX84C6V8WQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | IDV03S60CXKSA1 | - | | 4936 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | IDV03S60 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Pacote pg-paa220-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 1,9 V @ 3 A | 0 ns | 30 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 90pf @ 1V, 1MHz | |||
| TS4148 RWG | - | | 4528 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | 1005 (2512 Mética) | Padrão | 1005 | - | 1801-TS4148RWG | Obsoleto | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1 V @ 50 Ma | 25 µA A 75 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||||
 | Gr2ba | 0,0360 | | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-gr2batr | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||
| 1N6657 | 242.5050 | | 8755 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/616 | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | 1N6657 | Padrão | To-254 | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | 150pf @ 10V, 1MHz | |||
| DPG10I600APA | 1.6092 | | 5086 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | - | - | DPG10 | - | - | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-DPG10I600APA | 50 | - | - | - | - | ||||||||
 | MURS160BJ | 0,4300 | | 8 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Murs1 | Padrão | SMB | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,25 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 1a | - | |||
 | 1N6620E3/tr | 8.2950 | | 2532 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | Padrão | A, axial | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-1N6620E3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,4 V @ 1,2 A | 30 ns | 500 Na @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - | |||
| 1N4590 | 35.5695 | | 3928 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N4590 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N4590GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 150 A | 9 mA a 400 V | -60 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||
| 1N1189 | 7.4730 | | 1109 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1189 | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1n1189gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 35 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - | |||
 | SS10U60 | 0,2410 | | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS10U60TR | Ear99 | 5.000 |
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