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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
MBR15120AULPS-TP Micro Commercial Co MBR15120AULPS-TP -
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 ECAD 6361 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN MBR15120 Schottky TO-277A - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 120 v 840 mV @ 15 A 250 µA A 120 V -55 ° C ~ 125 ° C. 15a -
SS520 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SS520 0,4300
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 ECAD 4106 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 900 mV @ 5 A 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 100pf @ 4V, 1MHz
BZT52C10Q Yangjie Technology BZT52C10Q 0,0220
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 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-BZT52C10QTR Ear99 3.000
BAT54-02V-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54-02V-HG3-08 0,3800
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 ECAD 464 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BAT54 Schottky SOD-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 8.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V 125 ° C. 200Ma 10pf @ 1V, 1MHz
JANTXV1N6767 Microchip Technology Jantxv1N6767 -
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 ECAD 7295 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) Padrão To-254 - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,55 V @ 12 A 60 ns 10 µA @ 480 V - 12a 300pf @ 5V, 1MHz
DMA80IM1600HB IXYS DMA80IM1600HB 7.4400
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 ECAD 4 0,00000000 Ixys DMA Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 DMA80 Padrão To-247 (ixth) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 238-DMA80IM1600HB Ear99 8541.10.0080 30 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,17 V @ 80 A 40 µA A 1600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 80a 43pf @ 400V, 1MHz
SD3220S100S5R0 KYOCERA AVX SD3220S100S5R0 0,8000
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 ECAD 19 0,00000000 Kyocera Avx - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo SD3220S100S5R0 Schottky 3220/DO-214AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 5 a 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 125 ° C. 5a -
JANTXV1N5196 Microchip Technology Jantxv1N5196 -
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 ECAD 8232 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/118 Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Padrão DO-35 (DO-204AH) - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 225 v 1 V @ 100 Ma 1 µA A 250 V -65 ° C ~ 175 ° C. 100mA -
SS3P5LHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss3p5lhm3_a/i 0,2145
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 ECAD 1374 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN SS3P5 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 600 mv @ 3 a 150 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
BYW72-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW72-TAP 1.0900
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 ECAD 12 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Sod-64, axial BYW72 Avalanche SOD-64 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 3 A 200 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a -
WNSC2D04650Q WeEn Semiconductors WNSC2D04650Q 1.4100
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores de Ween - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 WNSC2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 1740-WNSC2D04650Q Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 4 a 0 ns 20 µA A 650 V 175 ° C. 4a 125pf @ 1V, 1MHz
PMEG3010BEA,115 Nexperia USA Inc. PMEG3010BEA, 115 0,4400
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 ECAD 92 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 PMEG3010 Schottky SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 560 mV @ 1 a 150 µA A 30 V 150 ° C (Máximo) 1a 70pf @ 1V, 1MHz
SS310LW RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS310LW RVG -
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 ECAD 8416 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SOD-123W Schottky SOD-123W download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 3 a 20 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
HSM124STL-E Renesas Electronics America Inc HSM124STL-E 0,1100
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 ECAD 331 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Volume Ativo download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0070 3.000
GPP10A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP10A-E3/54 0,0521
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 ECAD 5077 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial GPP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,1 V @ 1 A 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
RB075BGE40STL Rohm Semiconductor RB075BGE40STL 1.5500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 RB075 Schottky TO-252GE download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 750 mv @ 5 a 5 µA A 40 V 150 ° C. 5a -
SS215Q Yangjie Technology SS215Q 0,0620
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-SS215QTR Ear99 3.000
VSKE320-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKE320-08 -
RFQ
 ECAD 4425 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Obsoleto Montagem do chassi 3-MAGN-A-PAK ™ Vske320 Padrão Magn-a-Pak® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 50 mA a 800 V 320a -
FR805 Diodes Incorporated FR805 -
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 ECAD 1288 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 8 A 250 ns 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 8a -
R7001404XXUA Powerex Inc. R7001404XXUA -
RFQ
 ECAD 1866 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano Do-200aa, a-puk R7001404 Padrão DO-200AA, R62 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1400 v 1,6 V @ 1500 A 11 µs 50 mA A 1400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 450a -
VS-HFA04SD60S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA04SD60S-M3 1.7300
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 ECAD 1 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Hexfred® Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 HFA04 Padrão D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VS-HFA04SD60S-M3GI Ear99 8541.10.0080 75 - 600 v 1,8 V @ 4 a 3 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a -
EGL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Egl41g-e3/96 0,5100
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 ECAD 7 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) Egl41 Padrão DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 14pf @ 4V, 1MHz
RS2BA-13 Diodes Incorporated RS2BA-13 -
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 ECAD 2496 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Rs2b Padrão SMA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,3 V @ 1,5 A 150 ns 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 30pf @ 4V, 1MHz
EP01CV0 Sanken EP01CV0 -
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 ECAD 4623 0,00000000 Sanken - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Axial EP01 Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) EP01CV0 DK Ear99 8541.10.0070 1.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1000 v 4 V @ 200 mA 200 ns 5 µA A 1000 V -40 ° C ~ 150 ° C. 200Ma -
1N4933GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933GHA0G -
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 ECAD 4377 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4933 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,2 V @ 1 A 200 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
MUR140S R5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR140S R5G -
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 ECAD 2080 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB MUR140 Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 1 A 50 ns 150 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a -
SF28GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF28GHA0G -
RFQ
 ECAD 9710 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SF28 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 2 A 35 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
UPS170E3/TR13 Microchip Technology UPS170E3/TR13 0,4800
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 ECAD 7695 0,00000000 Microchip Technology * Tape & Reel (TR) Ativo UPS170 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 12.000
B170B-13-F Diodes Incorporated B170B-13-F 0,4600
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 ECAD 8243 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB B170 Schottky SMB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 70 v 790 mV @ 1 a 500 µA A 70 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1MHz
SIDC81D120F6X1SA1 Infineon Technologies SIDC81D120F6X1SA1 -
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 ECAD 2594 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Descontinuado no sic Montagem na Superfície Morrer SIDC78D Padrão Serra Em Papel Alumínio download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 2,1 V @ 100 A 27 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 100a -
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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