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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SKL36 | 0,1322 | ![]() | 594 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Schottky | SOD-123F (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-SKL36TR | 8541.10.0000 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 200 µA A 60 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | Vs-murrb820-m3 | 0,8800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MURB820 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs-murrb820-m3gi | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |
![]() | Jantx1N5190 | 14.3100 | ![]() | 140 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/424 | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | 1N5190 | Padrão | B, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 9 A | 400 ns | 2 µA A 600 V | - | 3a | - | ||
![]() | 1N4003GP-M3/73 | - | ![]() | 6933 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4003 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | S3D-M3/57T | 0,1549 | ![]() | 9376 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3d | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 2,5 A | 2,5 µs | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 6A100GH | 0,2682 | ![]() | 3697 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | 6A100 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1 V @ 6 A | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||
CRS04 (TE85L, Q, M) | 0,4600 | ![]() | 112 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | CRS04 | Schottky | S-flat (1,6x3.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 510 mV @ 1 a | 100 µA A 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 47pf @ 10V, 1MHz | |||||
![]() | BY228-13TAP | 0,5148 | ![]() | 9668 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Sod-64, axial | BY228 | Avalanche | SOD-64 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,5 V @ 5 A | 2 µs | 5 µA A 1000 V | 140 ° C (Máximo) | 3a | - | ||
![]() | El 1V1 | 0,7100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Sanken | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Através do buraco | Axial | Padrão | - | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1,5 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | |||||
![]() | CR3-005 TR | - | ![]() | 2476 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | 1514-CR3-005TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 3 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||
![]() | Sft15g | 0.1095 | ![]() | 5971 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SFT15 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Bas16 | - | ![]() | 1725 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | * | Volume | Ativo | Bas16 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS16-1727 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||
![]() | Jan1n6492U4 | 564.7200 | ![]() | 2417 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/567 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | Schottky | U4 | - | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N6492U4 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 560 mV @ 2 a | 2 mA a 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3.6a | 450pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | Rs1dhe3_a/h | 0,4800 | ![]() | 9273 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Rs1d | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | PR1504-T | - | ![]() | 3693 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | PR1504 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | ||
![]() | VS-8EWS16STRPBF | - | ![]() | 6030 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ews16 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs8ews16strrpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,1 V @ 8 A | 50 µA A 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
![]() | SSC54HE3/57T | - | ![]() | 5022 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SSC54 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 490 mV @ 5 A | 500 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||
![]() | Es3gq | 0,2840 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-ES3GQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | RGP10D | 0,4500 | ![]() | 8359 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | RGP10 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SE70PJ-M3/87A | 0,3787 | ![]() | 3536 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | SE70 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,05 V @ 7 A | 2,6 µs | 20 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.9a | 76pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | CDSQR400B-HF | 0,4000 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 0402 (1005 Mética) | CDSQR400 | Padrão | 0402/SOD-923F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 3pf @ 0,5V, 1MHz | ||
![]() | PCFG75N60SMF | - | ![]() | 4969 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 488-PCFG75N60SMFTR | Obsoleto | 2.500 | ||||||||||||||||
![]() | Esh1pd-e3/85a | - | ![]() | 7998 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-220AA | Esh1 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N1187 | 2.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N1187 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA A 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | |||
![]() | Ss35He-tp | - | ![]() | 4790 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123H | SS35 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 3 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||
![]() | Tsod1f2hm rvg | - | ![]() | 4738 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Tsod1 | Padrão | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 4pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | FR6MR05 | 5.3355 | ![]() | 4214 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | FR6MR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,4 V @ 6 A | 500 ns | 25 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||
![]() | SK510C | 0.1897 | ![]() | 4940 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK510 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||
![]() | JANS1N6873UTK2AS/TR | 608.5500 | ![]() | 6446 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N6873utk2as/tr | 50 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-1EMH02-M3/5AT | 0,4500 | ![]() | 9482 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1emh02 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 1 a | 15.2 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - |
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