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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SJPB-D4VR | - | ![]() | 7559 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, J-Lead | SJPB-D4 | Schottky | Sjp | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 100 µA A 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | Jantx1N1615 | 60.0000 | ![]() | 6072 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/162 | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1615 | Padrão | Do-203aa (DO-4) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 15 A | 50 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | |||
![]() | VS-S1111 | - | ![]() | 3535 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | S1111 | - | 112-VS-S1111 | 1 | ||||||||||||||||||
DSEI20-12A | 4.5500 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | DSEI20 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 2,15 V @ 12 A | 60 ns | 750 µA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 17a | - | |||
![]() | AS1FKHM3/i | 0.1198 | ![]() | 2430 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Avalanche | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 112-AS1FKHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,15 V @ 1,5 A | 1,3 µs | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 8.8pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | RU 2V | - | ![]() | 8830 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Axial | Ru 2 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 1 A | 400 ns | 10 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | NSR20F40NXT5G | 0,6500 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 0603 (1608 Mética) | NSR20 | Schottky | 2-DSN (1.6x0.8), (0603) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mv @ 2 a | 150 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||
![]() | V12pm6hm3/h | 0,8400 | ![]() | 4486 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V12pm6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 640 mV @ 12 A | 1 mA a 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 2050pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | F1T5GHA0G | - | ![]() | 1212 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | F1T5 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | DZ600N16KB01HPSA1 | - | ![]() | 5310 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | DZ600N16 | Padrão | BG-PB501-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000091795 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1800 v | 40 mA @ 1800 V | 150 ° C (Máximo) | 735a | - | ||||
![]() | UFR10270 | 72.8700 | ![]() | 5861 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | DO-203AB (DO-5) | - | Alcançar Não Afetado | 150-UFR10270 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 700 v | 1 V @ 100 A | 120 ns | 25 µA A 700 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 100a | 210pf @ 10V, 1MHz | ||||
![]() | RB551V-30_R1_00001 | 0,2100 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | RB551V | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-RB551V-30_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 470 mV @ 500 mA | 100 µA a 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500mA | - | ||
![]() | 1N5402G B0G | - | ![]() | 2276 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | 1N5402 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 3 A | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | G5S12010D | 12.6300 | ![]() | 2899 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-263 | download | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30.9a | 825pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | CD5819 | 4.9600 | ![]() | 142 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/586 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | Schottky | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 600 mV @ 1 a | 100 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | MURS160B | 0,4800 | ![]() | 3874 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 14pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | BAV16W-7 | - | ![]() | 1771 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SOD-123 | BAV16 | Padrão | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA A 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | Jantx1N6643 | 6.5200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Volume | Ativo | Através do buraco | Axial | 1N6643 | Padrão | 05 Pacote de Plástico | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 125 v | 1,2 V @ 100 Ma | 6 ns | 50 Na @ 20 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | 5pf @ 0V, 1MHz | ||
VS-HFA25TB60-M3 | 1.8900 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | HFA25 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 50 A | 75 ns | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | |||
![]() | 1N3672 | 34.7100 | ![]() | 7917 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3672 | Padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 900 v | 1,2 V @ 30 A | 10 µA A 900 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 22a | - | ||||
![]() | D3040N68T | - | ![]() | 4920 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | D3040 | - | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | SP000948892 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||
Bas70-00-HE3-18 | 0,0570 | ![]() | 9519 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 Na @ 50 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 2pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | AP01CWK | - | ![]() | 7913 | 0,00000000 | Sanken Electric USA Inc. | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Axial | AP01 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | AP01CWK DK | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1000 v | 4 V @ 200 mA | 200 ns | 100 µA A 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | - | ||
![]() | MBRB1035-E3/45 | - | ![]() | 5393 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB10 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 840 mV @ 20 A | 100 µA A 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
![]() | Sblb8l40he3/81 | - | ![]() | 2897 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Sblb8l40 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 8 a | 1 mA a 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - | |||
![]() | VS-MBRB1045TRRPBF | - | ![]() | 5600 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB10 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSMBRB1045TRRPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 840 mV @ 20 A | 200 µA A 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 600pf @ 5V, 1MHz | ||
![]() | IRKE166/16 | - | ![]() | 1674 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Int-a-pak (2) | IRKE166 | Padrão | Módlo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 20 mA a 1600 V | 165a | - | |||||
![]() | NRVBS410LT3G | - | ![]() | 7744 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | NRVBS410 | Schottky | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 10 v | 330 mv @ 4 a | 5 mA a 10 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 4a | - | |||
![]() | SF14M-TP | - | ![]() | 3850 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SF14 | Padrão | DO-214AC (HSMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 35 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | AZ23C15Q | 0,0460 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-AZ23C15QTR | Ear99 | 3.000 |
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