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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4007-F | 0,0220 | ![]() | 1407 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-1N4007-FTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 V @ 1 A | 200 Na @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | WNSC2D0512006Q | 0,8343 | ![]() | 8420 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,6 V @ 5 A | 0 ns | 25 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 260pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | RBS3LAM40CTR | 0,4600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Rbs3lam40 | Schottky | Pmdtm | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 400 mv @ 3 a | 800 µA A 20 V | 125 ° C. | 3a | - | |||
![]() | Vs-vske270-16pbf | 152.5500 | ![]() | 6794 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | 3-MAGN-A-PAK ™ | Vske270 | Padrão | Magn-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvske27016pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 50 mA a 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 270a | - | |||
![]() | SBYV26CHE3/73 | - | ![]() | 2703 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SBYV26 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,5 V @ 1 a | 30 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
GB05MPS17-247 | - | ![]() | 6000 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | Sic Schottky MPS ™ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-2 | GB05MPS17 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1242-1342 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1700 v | 1,8 V @ 5 A | 0 ns | 6 µA A 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 25a | 334pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | 1n914btr | 0,0300 | ![]() | 186 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 11.539 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||||
![]() | RB520S-30GCTE61 | - | ![]() | 7304 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB520 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 846-RB520S-30GCTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||
![]() | 1N4007GP-HF | 0,0560 | ![]() | 3383 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4007 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-1N4007GP-HFTB | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1 V @ 1 A | 200 Na @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | S1J-6605E3/61T | - | ![]() | 8347 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1J-6605 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | 1 (ilimito) | 112-S1J-6605E3/61TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SS22 | 0,1395 | ![]() | 9853 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS22TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | |||
![]() | 1N4006GP | - | ![]() | 2136 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4006 | Padrão | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | RBR1L40ADDTE25 | 0,5900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | RBR1L40 | Schottky | PMDS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 520 mv @ 1 a | 50 µA A 40 V | 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | Mur115g | 0,3800 | ![]() | 275 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MUR115 | Padrão | Axial | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 875 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
![]() | 1N3294A | 33.5805 | ![]() | 6744 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N3294 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N3294AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,5 V @ 100 A | 13 mA a 800 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - | |||
![]() | Shv-02Jv1 | - | ![]() | 1973 | 0,00000000 | Sanken | * | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Shv-02 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | |||||||||||||||
![]() | 1N4044R | - | ![]() | 2271 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | 1N4044 | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N4044RPX | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 15 mA a 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | ||||
![]() | VS-8ETL06STRPBF | - | ![]() | 9822 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 8ETL06 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs8etl06strrpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,4 V @ 8 A | 25 ns | 50 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |
JANS1N5416US | 71.1150 | ![]() | 7257 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | Padrão | B, Sq-Melf | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,5 V @ 9 A | 150 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||||
![]() | SFF502GHC0G | - | ![]() | 3614 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF502 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 980 mV @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 70pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | UF1005-M3/73 | - | ![]() | 7662 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF1005 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Jantx1N6845U3 | - | ![]() | 2132 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/682 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1N6845 | Schottky | U3 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 860 mV @ 30 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 30a | 800pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | RGP15D | 0,2800 | ![]() | 159 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | RGP15 | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | Rohs Não Compatível | 2368-RGP15D | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA A 200 V | - | 1.5a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | 1N4448WS-G3-18 | 0,0409 | ![]() | 6901 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 1N4448 | Padrão | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 720 mV @ 5 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | - | ||
![]() | IDV03S60C | 1.1100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | ThinQ! ™ | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-PARA220-2-22 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 1,9 V @ 3 A | 0 ns | 30 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a (DC) | 90pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | Px8847ddqg004xuma1 | - | ![]() | 8634 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | PX8847DD | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||
![]() | SSL54 | 0,5300 | ![]() | 5711 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 450 mV @ 5 A | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | 330pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SF20GG-T | - | ![]() | 7012 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 2 A | 40 ns | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 75pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MBRLP20100-TP | - | ![]() | 3284 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MBRLP20100 | Schottky | DFN5060-8L | download | ROHS3 Compatível | 353-MBRLP20100-TPTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 700 mV @ 20 A | 250 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||||
![]() | Jantx1n6874utk2as/tr | 413.4000 | ![]() | 5938 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1N6874utk2as/tr | 100 |
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