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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
F1T6G A1G Taiwan Semiconductor Corporation F1T6G A1G -
RFQ
 ECAD 2079 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco T-18, axial F1T6 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
VS-HFA15PB60PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA15PB60PBF -
RFQ
 ECAD 8754 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Hexfred® Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-2 HFA15 Padrão TO-247AC Modifado download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 15 A 60 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a -
ZLLS350TA-2477 Diodes Incorporated ZLLS350TA-2477 -
RFQ
 ECAD 6797 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Volume Última Vez compra Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 Schottky SOD-523 - 31-ZLLS350TA-2477 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 1 V @ 275 Ma 1 ns 4 µA A 30 V 150 ° C. 380mA
AS1FDHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS1FDHM3/H. 0,3800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Avalanche DO-219AB (SMF) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,15 V @ 1,5 A 1,3 µs 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.5a 8.8pf @ 4V, 1MHz
1N5402G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5402G B0G -
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 ECAD 2276 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial 1N5402 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 3 A 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 25pf @ 4V, 1MHz
G5S12010D Global Power Technology-GPT G5S12010D 12.6300
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 ECAD 2899 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-263 download Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30.9a 825pf @ 0V, 1MHz
FR12D05 GeneSiC Semiconductor FR12D05 6.7605
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 ECAD 6436 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR12D05GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 800 mV @ 12 A 500 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
PMEG100T080ELPEZ Nexperia USA Inc. PMEG100T080ELPEZ 0,6400
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 ECAD 48 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN PMEG100 Schottky CFP15B download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 810 mV @ 8 a 19 ns 4 µA A 100 V 175 ° C. 8a 680pf @ 1V, 1MHz
S1J-6605E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1J-6605E3/61T -
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 ECAD 8347 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AC, SMA S1J-6605 Padrão DO-214AC (SMA) download 1 (ilimito) 112-S1J-6605E3/61TTR Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 1 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 12pf @ 4V, 1MHz
BAT43WS RRG Taiwan Semiconductor Corporation BAT43WS RRG 0,3600
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BAT43 Schottky SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1 V @ 200 mA 5 ns 500 Na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200Ma 7pf @ 1V, 1MHz
FR70JR02 GeneSiC Semiconductor FR70JR02 17.7855
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 ECAD 6539 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR70JR02GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,4 V @ 70 A 250 ns 25 µA A 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 70A -
MBR7530R GeneSiC Semiconductor MBR7530R 21.9195
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 ECAD 2270 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud MBR7530 Schottky, reversa polaridada Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) MBR7530RGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 750 mV @ 75 A 1 mA a 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 75a -
SURS8160T3G onsemi SURS8160T3G -
RFQ
 ECAD 7818 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SURS8160 Padrão SMB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,25 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
V30KM120-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30KM120-M3/H. 1.0200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 8-PowerTdfn Schottky Flatpak (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 120 v 930 mV @ 30 A 700 µA A 120 V -40 ° C ~ 165 ° C. 4.1a 2500pf @ 4V, 1MHz
FM1500W Rectron USA FM1500W 0,0420
RFQ
 ECAD 1448 0,00000000 Rectron EUA - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão Smx download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2516-FM1500WTR Ear99 8541.10.0080 60.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1500 v 2 V @ 500 mA 5 µA A 1500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 35pf @ 4V, 1MHz
B360B-13-F-2477 Diodes Incorporated B360B-13-F-2477 -
RFQ
 ECAD 2676 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Última Vez compra Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Schottky SMB - 31-B360B-13-F-2477 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 200pf @ 4V, 1MHz
RBR1L40ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR1L40ADDTE25 0,5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA RBR1L40 Schottky PMDS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 520 mv @ 1 a 50 µA A 40 V 150 ° C. 1a -
RB551V-30_R1_00001 Panjit International Inc. RB551V-30_R1_00001 0,2100
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F RB551V Schottky SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-RB551V-30_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0070 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 470 mV @ 500 mA 100 µA a 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 500mA -
JANTXV1N6768 Microchip Technology Jantxv1N6768 -
RFQ
 ECAD 4842 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco TO-257-3 Padrão To-257 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,06 V @ 8 A 35 ns 10 µA A 40 V - 8a 150pf @ 5V, 1MHz
CUR806-G Comchip Technology CUR806-G -
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 ECAD 3965 0,00000000 Tecnologia Comchip - Volume Obsoleto Através do buraco To-220-2 Cur80 Padrão TO-220AC - ROHS3 Compatível 641-CUR806-G Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 8 a 60 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 40pf @ 4V, 1MHz
SFT13G A1G Taiwan Semiconductor Corporation SFT13G A1G -
RFQ
 ECAD 2109 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Descontinuado no sic Através do buraco T-18, axial SFT13 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
SS10P4-E3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P4-E3/87A -
RFQ
 ECAD 2381 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN SS10P4 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 560 mV @ 10 A 800 µA A 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
NTE5859 NTE Electronics, Inc NTE5859 5.2300
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 NTE Electronics, inc - Bolsa Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-4 download ROHS3 Compatível 2368-nte5859 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 19 A 12 mA a 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
6A6-T Rectron USA 6a6-t 0,5000
RFQ
 ECAD 1313 0,00000000 Rectron EUA - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco R-6, axial Padrão R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2516-6a6-ttr Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 6 A 300 Na @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 150pf @ 4V, 1MHz
1N4006GP onsemi 1N4006GP -
RFQ
 ECAD 2136 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4006 Padrão DO-41 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 1 A 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
SBR8U60P5-13-2169 Diodes Incorporated SBR8U60P5-13-2169 -
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 ECAD 5598 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Volume Última Vez compra Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 Super Barreira Powerdi ™ 5 - 31-SBR8U60P5-13-2169 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 60 v 530 mV @ 8 a 600 µA A 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 8a -
BZX84B36Q Yangjie Technology BZX84B36Q 0,0290
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-BZX84B36QTR Ear99 3.000
RS2G-2HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs2g-2he3_a/h -
RFQ
 ECAD 2189 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Padrão DO-214AA (SMBJ) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 112-rs2g-2he3_a/htr Ear99 8541.10.0080 3.200 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1,5 A 150 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 20pf @ 4V, 1MHz
ES1AL RVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL RVG 0,2408
RFQ
 ECAD 2293 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB ES1A Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
WNSC2D10650Q WeEn Semiconductors WNSC2D10650Q 2.9800
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 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores de Ween - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 WNSC2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 1740-WNSC2D10650Q Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 10 A 0 ns 50 µA A 650 V 175 ° C. 10a 310pf @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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