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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRS360TR | - | ![]() | 5339 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | MBRS3 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 740 mV @ 3 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | S5G R7G | - | ![]() | 9303 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S5g | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,15 V @ 5 A | 1,5 µs | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | Au2pmhm3/86a | - | ![]() | 4431 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Au2 | Avalanche | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 2,5 V @ 2 A | 75 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.3a | 29pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | MBR160RL | - | ![]() | 6663 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MBR160 | Schottky | Axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 1 a | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
VS-300U40AM20 | 75.1117 | ![]() | 5789 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | 300U40 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs300u40am20 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,46 V @ 942 A | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | ||||
![]() | SB1H90-E3/54 | 0,3500 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SB1H90 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 770 mV @ 1 a | 1 µA A 90 V | 175 ° C (max) | 1a | - | |||
![]() | SS2P2L-M3/85A | 0,1363 | ![]() | 9559 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | SS2P2 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 200 µA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 130pf @ 4V, 1MHz | |||
ES1AL R3G | - | ![]() | 3748 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | ES1A | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | MBR1550LPS-TP | - | ![]() | 7299 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | MBR1550 | Schottky | TO-277-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 550 mV @ 15 A | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||
FFH15S60STU | - | ![]() | 2430 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-2 | FFH15 | Padrão | To-247-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 150 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,6 V @ 15 A | 35 ns | 100 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||
BAT54WQ-7-F | 0,2300 | ![]() | 69 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BAT54 | Schottky | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | VS-80SQ045 | - | ![]() | 9154 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ar, axial | 80SQ045 | Schottky | Do-204ar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 530 mV @ 8 a | 2 mA a 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||
Es1blhmtg | - | ![]() | 1035 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | ES1B | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | CD216A-B130LLF | - | ![]() | 6403 | 0,00000000 | Bourns Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-216AA | CD216A | Schottky | DO-216AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 380 mV @ 1 a | 410 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 70pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-30WQ04FNTRPBF | - | ![]() | 4969 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 30WQ04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 530 mV @ 3 a | 2 mA a 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.5a | 189pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | ES07B-GS18 | 0,4200 | ![]() | 185 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | ES07 | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 980 mV @ 1 a | 25 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | 4pf @ 4V, 50MHz | ||
![]() | 1N4448.143 | - | ![]() | 2857 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1n44 | Padrão | ALF2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 25 Na @ 20 V | 200 ° C (max) | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||
SDURF1060 | 0,6300 | ![]() | 959 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2,2 V @ 10 A | 32 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | - | - | ||||
![]() | NRVHPM220T3G | 0,6500 | ![]() | 5593 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-216AA | NRVHPM220 | Padrão | Powermite | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 2 A | 50 ns | 500 Na @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - | ||
![]() | GI818-E3/54 | - | ![]() | 9831 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | GI818 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 1 A | 750 ns | 10 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
![]() | G5S06506HT | 4.8300 | ![]() | 1799 | 0,00000000 | Tecnologia de Energia Global-GPT | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220F | download | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 18.5a | 395pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | 1N5396-TP | - | ![]() | 5253 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5396 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||
SS210LWHRVG | 0,6400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | SS210 | Schottky | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 2 a | 20 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||
![]() | SB12100 | 0,6642 | ![]() | 2410 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | Schottky | Axial | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-SB12100TR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 830 mV @ 12 A | 500 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||||
SK26AH | 0,0920 | ![]() | 9334 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SK26 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||
![]() | BAT54XV2T1 | - | ![]() | 8209 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BAT54 | Schottky | SOD-523 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | MBRH240200R | 76.4925 | ![]() | 2704 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | D-67 | MBRH240200 | Schottky | D-67 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 920 mV @ 240 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 240a | - | ||||
![]() | V30100SHM3/4W | - | ![]() | 1597 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | V30100 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 30 A | 350 µA A 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |||
![]() | SS26HE3-LTP | 0,4000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS26 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 90pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | V8PL6-M3/87A | 0,2652 | ![]() | 7223 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V8pl6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 580 mV @ 8 a | 2,4 mA a 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 4.3a | - |
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