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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jantx1n645-1/tr | - | ![]() | 1132 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/240 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1N645-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 225 v | 1 V @ 400 mA | 50 Na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | - | ||||
![]() | 183NQ100-1 | 38.0000 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | Meio pak | 183NQ | Schottky | Prm1-1 (Módulo Half Pak) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 27 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 180 A | 4,5 mA a 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 180A | 4150pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | 1H85-MBD3070 | - | ![]() | 1901 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | MMBD30 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | - | - | - | - | ||||||
![]() | VS-60APH03-N-S1 | - | ![]() | 3095 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-247-3 | 60APH03 | Padrão | TO-247AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,45 V @ 60 A | 42 ns | 10 µA A 300 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - | ||
![]() | 1N4006GHA0G | - | ![]() | 6304 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4006 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | 1N248 | 2.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N248 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | |||
![]() | MBR8U45-TP | 0,5800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | MBR8U45 | Schottky | To-277 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 470 mV @ 8 a | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||
![]() | VS-3EYH01HM3/H. | 0,5400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | 3EYH01 | Padrão | Slimsmaw (DO-221AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 3 a | 30 ns | 2 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 16pf @ 200V | ||
S1dlHr3g | - | ![]() | 4095 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-219AB | S1D | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | V20120SG-E3/4W | 0,6268 | ![]() | 6291 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | V20120 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | V20120SG-E3/4WGI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 1,33 V @ 20 A | 250 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||
![]() | SS320 | 0,0720 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS320TR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | UTR3305 | 12.8400 | ![]() | 6031 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | Padrão | B, axial | - | Alcançar Não Afetado | 150-UTR3305 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 3 A | 250 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 600pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | EGP30CHE3/54 | - | ![]() | 6748 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | EGP30 | Padrão | GP20 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 3 a | 50 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||
![]() | 1N3290R | 15.5000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-8 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N3290R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,2 V @ 200 A | 50 µA A 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - | |||
![]() | SR806H | 0,2346 | ![]() | 6046 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR806 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 8 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||
![]() | S2BAH | 0,0725 | ![]() | 6399 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-S2BAHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 15.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1,5 A | 1,5 µs | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MBRB1650HE3/45 | - | ![]() | 2021 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB16 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 750 mv @ 16 a | 1 mA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||
![]() | S5340TS | 158.8200 | ![]() | 4864 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-S5340TS | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | PMEG10020ELRX | 0,4500 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | SOD-123W | PMEG10020 | Schottky | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 770 mV @ 2 a | 5 ns | 300 Na @ 100 V | 175 ° C (max) | 2a | 135pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | CD214A-B220R | 0,4500 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Bourns Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | 2-SMD, sem chumbo | CD214A | Schottky | 2-SMD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 200 µA a 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 115pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | ES2DPX | - | ![]() | 1595 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem NA Superfície | SOD-128 | Padrão | SOD-128/CFP5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 25 ns | 200 Na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | AL01Z | - | ![]() | 5951 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Axial | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | AL01Z DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 980 mV @ 1 a | 50 ns | 50 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
Tapete SS110L | 0,2100 | ![]() | 2696 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-219AB | SS110 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 1 a | 50 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | RA258 | 0,3583 | ![]() | 4386 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | Ra | Padrão | Ra | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 2796-RA258TR | 8541.10.0000 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 80 A | 1,5 µs | 5 µA A 800 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - | ||||
![]() | ST5100S | 0,4500 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | ST5100 | Schottky | TO-277B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 750 mv @ 5 a | 120 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 245pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | SDM05U40CSP-7 | 0,3800 | ![]() | 326 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | 2-xdfn | SDM05 | Schottky | X3-WLB1006-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 460 mV @ 500 mA | 75 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 35pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | DSK36 | 0,2155 | ![]() | 150 | 0,00000000 | Mdd | SOD-123fl | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | SOD-123F | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 300 µA A 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 160pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SBT2520A | 62.1000 | ![]() | 1660 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-SBT2520A | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SK310SMA-3G | 0,1396 | ![]() | 2509 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | DO-214AC, SMA | SK310 | Schottky | DO-214AC, SMA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2796-SK310SMA-3GTR | 8541.10.0000 | 7.500 | 100 v | -50 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
VS-EBU15006-F4 | 6.0100 | ![]() | 325 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | PowerTab® | EBU15006 | Padrão | PowerTab® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,63 V @ 150 A | 100 ns | 8 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 150a | - |
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