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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
BYM12-50-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM12-50-E3/96 0,4100
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 ECAD 10 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) BYM12 Padrão DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
SIDC23D60E6YX1SA1 Infineon Technologies SIDC23D60E6YX1SA1 -
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 ECAD 1759 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem NA Superfície Morrer Sidc23d Padrão Serra Em Papel Alumínio download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,25 V @ 50 A 27 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 50a -
MA3J74100L Panasonic Electronic Components MA3J74100L 0,1600
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 ECAD 3 0,00000000 Componentes eletrônicos da Panasonic - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície SC-85 MA3J7410 Schottky Smini3-f1 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1 V @ 30 Ma 1 ns 300 Na @ 30 V 125 ° C (Máximo) 30Ma 1.5pf @ 1V, 1MHz
RJS6004TDPP-EJ#T2 Renesas Electronics America Inc RJS6004TDPP-EJ#T2 -
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 ECAD 3260 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky TO-220FP-2L download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,8 V @ 10 A 15 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
UGB8BT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8BT-E3/81 -
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 ECAD 6268 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab UGB8 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
V5NM153HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V5nm153hm3/h 0,5300
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 ECAD 6492 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, TMBS® Volume Ativo Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 2-VDFN V5nm153 Schottky DFN3820A download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 112-V5NM153HM3/H. 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 970 mV @ 5 A 50 µA A 150 V -40 ° C ~ 175 ° C. 5a 290pf @ 4V, 1MHz
SS12P2L-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12P2L-M3/87A 0,4534
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 ECAD 9611 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-277, 3-POWERDFN SS12P2 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 560 mV @ 12 A 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a 930pf @ 4V, 1MHz
1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1ss387ct, l3f 0,2400
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 ECAD 129 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície SOD-882 1ss387 Padrão CST2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 80 v 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 100mA 0,5pf @ 0V, 1MHz
LL4148 MDD LL4148 0,0355
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 ECAD 810 0,00000000 Mdd LL34 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 Padrão LL-34 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3372-LL4148TR Ear99 8542.39.0001 25.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 75 v 1 V @ 50 Ma 8 ns 1 µA A 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
S4PG-BHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4pg-bhm3_b/i -
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 ECAD 5634 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Volume Ativo Montagem NA Superfície TO-277, 3-POWERDFN S4pg Padrão TO-277A (SMPC) - 112-S4PG-BHM3_B/i Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 4 A 2,5 µs 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 30pf @ 4V, 1MHz
ES1AL M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL M2G -
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 ECAD 8928 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-219AB ES1A Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 1V, 1MHz
SS210A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SS210A 0,2600
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 ECAD 9642 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
ER108_R2_00001 Panjit International Inc. ER108_R2_00001 0,0513
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 ECAD 2759 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial ER108 Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-ER108_R2_00001CT Ear99 8541.10.0080 60.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 2,5 V @ 1 a 35 ns 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
IDH06S60CAKSA1 Infineon Technologies IDH06S60CAKSA1 -
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 ECAD 4703 0,00000000 Tecnologias Infineon Coolsic ™+ Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 IDH06S60 Sic (carboneto de Silíc) Schottky PG-PARA220-2-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 600 v 1,7 V @ 6 A 0 ns 80 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 280pf @ 1V, 1MHz
1N3262 Solid State Inc. 1N3262 21.0000
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 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - CAIXA Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud Padrão Do-9 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-1N3262 Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,3 V @ 300 A 75 µA A 150 V -65 ° C ~ 190 ° C. 275a -
FE6D Diotec Semiconductor Fe6d -
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 ECAD 3421 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco P600, axial Padrão P600 download ROHS3 Compatível Não Aplicável 2796-FE6DTR 8541.10.0000 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 980 mV @ 5 A 50 ns 5 µA A 200 V -50 ° C ~ 175 ° C. 6a -
HER602G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER602G A0G -
RFQ
 ECAD 8238 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco R-6, axial HER602 Padrão R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 700 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 6 A 50 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 80pf @ 4V, 1MHz
JANTX1N6638/TR Microchip Technology Jantx1n6638/tr 5.2402
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 ECAD 1441 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial Polaridada reversa padrão DO-35 (DO-204AH) - Alcançar Não Afetado 150-Jantx1n6638/tr Ear99 8541.10.0070 134 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,1 V @ 200 mA 4,5 ns 500 Na @ 125 V -65 ° C ~ 200 ° C. 300mA 2pf @ 0V, 1MHz
1SS400LDTE61 Rohm Semiconductor 1SS400LDTE61 -
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 ECAD 7529 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Obsoleto - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 846-1SS400LDTE61TR Obsoleto 3.000
JANHCE1N5806 Microchip Technology Janhce1N5806 15.8100
RFQ
 ECAD 5685 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem NA Superfície Morrer Padrão Morrer - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANHCE1N5806 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 875 mV @ 1 a 25 ns 1 µA A 150 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 25pf @ 10V, 1MHz
FR1D-LTP Micro Commercial Co FR1D-LTP 0,0521
RFQ
 ECAD 3803 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície DO-214AA, SMB FR1D Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 150 ns 5 µA A 200 V -50 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
UFR3015PF Microchip Technology UFR3015PF 62.6700
RFQ
 ECAD 2277 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Presente Ajuste Do-208aa UFR3015 Padrão DO-21 download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 975 mV @ 30 A 35 ns 15 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C. 30a 140pf @ 10V, 1MHz
SR203 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR203 B0G -
RFQ
 ECAD 4957 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SR203 Schottky DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mv @ 2 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a -
1N5397BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1n5397bulk 0,1800
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 EIC Semicondutor Inc. - Bolsa Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2439-1N5397bulk 8541.10.0000 500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1,5 A 5 A @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1.5a 15pf @ 4V, 1MHz
SR010HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR010HB0G -
RFQ
 ECAD 7051 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Descontinuado no sic Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SR010 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mV a 500 mA 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 65pf @ 4V, 1MHz
HER605G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER605G B0G -
RFQ
 ECAD 6615 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco R-6, axial HER605 Padrão R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 400 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 6 A 50 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 80pf @ 4V, 1MHz
UF4003-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4003-M3/54 0,1287
RFQ
 ECAD 5519 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial UF4003 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
SS10P3HM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10p3hm3/87a -
RFQ
 ECAD 6927 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem NA Superfície TO-277, 3-POWERDFN Ss10p3 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 560 mV @ 10 A 800 µA A 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
RB168VAM150TR Rohm Semiconductor RB168VAM150TR 0,4600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície 2-SMD, Chumbo Plano RB168 Schottky TUMD2M download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 890 mV @ 1 a 1 µA A 100 V 150 ° C (Máximo) 1a -
SE20DJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20DJ-M3/i 1.1500
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 ECAD 3 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem NA Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante SE20 Padrão TO-263AC (SMPD) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,2 V @ 20 A 3 µs 25 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3.9a 150pf @ 4V, 1MHz
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