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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DSEP29-06AS-Trl | 3.5776 | ![]() | 5238 | 0,00000000 | Ixys | Hiperfred ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | DSEP29 | Padrão | TO-263AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,61 V @ 30 A | 35 ns | 250 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | |||
Rsfblhrqg | - | ![]() | 2771 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-219AB | Rsfbl | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MBRF2050H | - | ![]() | 6412 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRF2050H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 820 mV @ 20 A | 200 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||
![]() | SBRF2045 | 0,3431 | ![]() | 6643 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | SBRF2 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | SBRF2045SMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 650 mV @ 20 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 900pf @ 5V, 1MHz | ||
![]() | F1T1G R0G | - | ![]() | 8457 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Através do buraco | T-18, axial | F1T1 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | CDBJSC101200-G | - | ![]() | 4515 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | CDBJSC101200 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-220-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 100 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 780pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | 1N1204BR | 34.7100 | ![]() | 1279 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1204 | Polaridada reversa padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 30 A | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - | ||||
![]() | CGRTS4007-HF | 0,3700 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | SOD-123F | CGRTS4007 | Padrão | TS/SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1 V @ 1 A | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | CDLL0.2A40 | 3.0191 | ![]() | 5157 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-213AA | CDLL0.2 | Schottky | DO-213AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 500 mV @ 200 mA | 5 µA A 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200Ma | 50pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | 1SS355-TP | 0,0431 | ![]() | 9996 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | SC-76, SOD-323 | 1SS355 | Padrão | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 100mA | 3pf @ 6V, 1MHz | ||
![]() | SE60PWGC-M3/i | 0,2714 | ![]() | 1791 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SE60 | Padrão | Slimdpak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-SE60PWGC-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 3 A | 1,2 µs | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 22pf @ 4V, 1MHz | |
![]() | 1N4448.143 | - | ![]() | 2857 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1n44 | Padrão | ALF2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 25 Na @ 20 V | 200 ° C (max) | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | NRVBA1H100T3G | - | ![]() | 1231 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem NA Superfície | DO-214AC, SMA | NRVBA1 | Schottky | SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 760 mV @ 1 a | 40 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||
![]() | BYS12-90HE3_A/H. | 0,1359 | ![]() | 9080 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-214AC, SMA | Bys12 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 750 mv @ 1 a | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | ||||
![]() | 1SS400TE61 | - | ![]() | 9057 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem NA Superfície | SC-79, SOD-523 | 1ss400 | Padrão | EMD2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1,2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 3pf @ 0,5V, 1MHz | ||
BYC30-1200PQ | 1.1550 | ![]() | 3865 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | BYC30 | Padrão | TO-220AC | download | 1 (ilimito) | 934072004127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3,3 V @ 30 A | 65 ns | 250 µA A 1200 V | 175 ° C (max) | 30a | - | ||||
VT760-M3/4W | 0,4373 | ![]() | 1210 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | VT760 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VT760M34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 800 mV @ 7,5 A | 700 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - | |||
RM 4Z | - | ![]() | 3573 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Axial | Padrão | Axial | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 3 a | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||
![]() | V30100SHM3/4W | - | ![]() | 1597 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | V30100 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 30 A | 350 µA A 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |||
![]() | SF58G-TP | 0,1716 | ![]() | 5255 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF58 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,75 V @ 5 A | 35 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | RL201-AP | - | ![]() | 1103 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | RL201 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 2 A | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SB05-05C-M-TB-EX | - | ![]() | 1807 | 0,00000000 | Onsemi | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | SB05 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | RGF1M-E3/67A | 0,5400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | DO-214BA | RGF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8.5pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | EGF1B-1HE3/5CA | - | ![]() | 9354 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem NA Superfície | DO-214BA | EGF1 | Padrão | DO-214BA (GF1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | VS-STT250M14MPBF | - | ![]() | 6786 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | - | STT250 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | VSSTT250M14MPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | - | - | - | |||||||
![]() | Uma5817-T7 | - | ![]() | 4491 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem NA Superfície | Ultramite ™ | Uma5817 | Schottky | Ultramite ™ | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 450 mv @ 1 a | 500 µA A 20 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | SRAS850 Mng | - | ![]() | 6116 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SRAS850 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 8 a | 100 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||
![]() | FFB06U40STM | - | ![]() | 8540 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FFB06 | Padrão | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,4 V @ 6 A | 50 ns | 20 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - | |||
![]() | NTS10120MFST3G | - | ![]() | 7460 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTS10120 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 820 mV @ 10 A | 30 µA A 120 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | |||
![]() | GI1-1200GPHE3/54 | - | ![]() | 8391 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Gi1 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 10 µA A 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - |
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