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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGF1K | 0,1200 | ![]() | 6089 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | RGF1 | Padrão | SMA (DO-214AC) | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8.5pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | R4210F | 59.8350 | ![]() | 5628 | 0,00000000 | Microchip Technology | R42 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | R4210 | Polaridada reversa padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 200 A | 50 µA A 100 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 125a | - | ||||
![]() | VS-35EPF06L-M3 | 2.8500 | ![]() | 8482 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | 35EPF06 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,46 V @ 35 A | 160 ns | 100 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - | ||
Rsfdl rqg | - | ![]() | 9289 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rsfdl | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MBR5200VPC-G1 | - | ![]() | 8566 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Schottky | DO-27 | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 31-MBR5200VPC-G1 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 5 A | 500 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||
MPG06GHE3_A/53 | 0,1487 | ![]() | 5033 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | MPG06, axial | MPG06 | Padrão | MPG06 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 600 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||
Hs1glw rvg | 0,4800 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | HS1G | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 50 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 16pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | HER208G B0G | - | ![]() | 6438 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | HER208 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | GP15MHE3/73 | - | ![]() | 2281 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Gp15 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1,5 A | 3,5 µs | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | - | ||
Es1lj r3g | - | ![]() | 4888 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES1L | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 18pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SURA8140T3G | 0,3900 | ![]() | 87 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Sura8140 | Padrão | SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 65 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
![]() | 1n6895utk1as | 259.3500 | ![]() | 6195 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N6895utk1As | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | RHRU10040 | 4.0100 | ![]() | 7284 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | TO-218-1 | Padrão | To-218 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 2,1 V @ 100 A | 60 ns | 500 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 100a | - | |||
![]() | 1N4151WS-E3-18 | 0,2400 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 1N4151 | Padrão | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 50 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | - | ||
![]() | B340-13-F | 0,3700 | ![]() | 112 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | B340 | Schottky | SMC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 200pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VI30120SG-M3/4W | 0,7273 | ![]() | 7850 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | VI30120 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 1,28 V @ 30 A | 500 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |||
![]() | BAS170WS-G3-18 | 0,4100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | Bas170 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1 V @ 15 mA | 10 µA A 70 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 70mA | 2pf @ 0V, 1MHz | |||
SJPX-F2VR | 0,6200 | ![]() | 156 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, J-Lead | SJPX-F2 | Padrão | Sjp | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 980 mV @ 1,5 A | 30 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | ||||
![]() | 1N5059GP-E3/54 | 0,6300 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5059 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,2 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
Jantxv1n5621us/tr | 15.6000 | ![]() | 2885 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | D-5A | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N5621US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,6 V @ 3 A | 300 ns | 500 Na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 20pf @ 12V, 1MHz | ||||
![]() | MBR1520-BP | - | ![]() | 5397 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Última Vez compra | Através do buraco | To-220-2 | MBR1520 | Schottky | TO-220AC | - | Alcançar Não Afetado | 353-MBR1520-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 200 µA a 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||||
![]() | 1N5818 | 5.9550 | ![]() | 5625 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, do041, axial | Schottky | DO-41 | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N5818 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||
![]() | SE07PD-E3/85A | - | ![]() | 6558 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-220AA | SE07 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,05 V @ 700 mA | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 700mA | 5pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | R6020422PSYA | - | ![]() | 6122 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | R6020422 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 2,75 V @ 800 A | 500 ns | 50 mA a 400 V | -45 ° C ~ 150 ° C. | 220A | - | |||
![]() | M1MA152AT1 | - | ![]() | 9823 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | M1MA152 | Padrão | SC-59 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1,2 V @ 100 Ma | 3 ns | 100 Na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | SS22-M3/5BT | 0,1440 | ![]() | 7945 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS22 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 20 V | -60 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | |||
![]() | VS-18TQ035STRLPBF | - | ![]() | 1703 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 18TQ035 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs18tq035strlpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 600 mV @ 18 A | 2,5 mA A 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 18a | 1400pf @ 5V, 1MHz | ||
![]() | MURD560C-TP | 0,2745 | ![]() | 8770 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Murd560 | Padrão | DPAK (TO-252) | download | 353-MURD560C-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||
![]() | Vs-25ets10strlpbf | - | ![]() | 9336 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 25ets10 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs25ets10Strlpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,14 V @ 25 A | 100 µA A 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | ||
![]() | BAS83-GS08 | 0,3900 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Bas83 | Schottky | SOD-80 MINIMELL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 60 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 60 V | 125 ° C (Máximo) | 30Ma | 1.6pf @ 1V, 1MHz |
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