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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-16FL60S05 | 5.0570 | ![]() | 5802 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 16fl60 | Padrão | Do-203aa (DO-4) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 16 a | 500 ns | 50 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | ||
![]() | TSUP5M60SH S1G | 0,6525 | ![]() | 1070 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Tsup5 | Schottky | SMPC4.6U | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 640 mV @ 5 A | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 346pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MA2S1010GL | - | ![]() | 5781 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | MA2S101 | Padrão | Ssmini2-f4 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 250 v | 1,2 V @ 70 mA | 60 ns | 1 µA A 250 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | 3pf @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | HSM540JE3/TR13 | 0,9600 | ![]() | 5216 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | HSM540 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||
MMBD6050-E3-08 | 0,0270 | ![]() | 1857 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD6050 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1,1 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 Na @ 50 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | - | |||
![]() | BAS16D-HE3-18 | 0,0360 | ![]() | 6442 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Bas16 | Padrão | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,25 V @ 150 Ma | 6 ns | 1 µA A 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 250mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | 1F3 | 0.0303 | ![]() | 5230 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | R-1, axial | - | Padrão | R-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SR303 R0G | - | ![]() | 4975 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-201D, axial | SR303 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 3 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | |||
![]() | S16Q | 0,0430 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-S16QTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | S38160 | 61.1550 | ![]() | 2916 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-S38160 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | V8pam10shm3/h | 0,5000 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221BC, SMA PLL PLAT PAD | Schottky | DO-221BC (SMPA) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 840 mV @ 8 a | 180 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2.8a | 600pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SBRT15M50AP5-7 | - | ![]() | 9522 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Trenchsbr | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | Super Barreira | Powerdi ™ 5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 540 mV @ 15 A | 150 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||
![]() | 1N6701 | 23.6550 | ![]() | 9666 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | 1N6701 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||
![]() | STTA2006P | - | ![]() | 3050 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Turboswitch ™ | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | SOD-93-2 | STTA200 | Padrão | SOD-93-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,75 V @ 20 A | 60 ns | 100 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 20a | - | ||
![]() | 1N5408 | 0,3100 | ![]() | 456 | 0,00000000 | Componentes HV Associados | - | CAIXA | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3845-1N5408 | Ear99 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 3 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | S280W555-751 | - | ![]() | 9155 | 0,00000000 | Souiau-sunbank por Eaton | * | Volume | Ativo | Módlo | S280W55 | Módlo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | ||||||||||||
![]() | Bas85 L1 | - | ![]() | 9079 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Schottky | Mini Mell | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Bas85L1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | ||
ES15DLW RVG | - | ![]() | 9719 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | ES15 | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | ES15DLWRVG | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 1,5 A | 35 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 24pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | MA3D690 | - | ![]() | 5802 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MA3D69 | Padrão | TO-220D-A1 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 980 mV @ 5 A | 45 ns | 20 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||
SRP300B-E3/54 | - | ![]() | 5294 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | Srp300 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 3 A | 100 ns | 10 µA A 100 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | |||
UF5406GP-AP | 0,1220 | ![]() | 8566 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | UF5406 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||
S1kl rtg | - | ![]() | 2947 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1K | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Fesf16athe3_a/p | 1.3200 | ![]() | 8102 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | FESF16 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 975 mV @ 16 a | 35 ns | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | ||
![]() | B0530WS-7-F | 0,4000 | ![]() | 188 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | B0530 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 450 mV @ 500 mA | 500 µA A 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 500mA | 58pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | SS26-M3/52T | 0,1467 | ![]() | 4144 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS26 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 400 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||
![]() | Mur415 | - | ![]() | 9671 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Mur41 | Padrão | Axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 890 mV @ 4 a | 35 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - | ||
![]() | MUR440 B0G | - | ![]() | 3934 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Mur440 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,28 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | S3JB | 0.1105 | ![]() | 4505 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S3J | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | RGL41M-E3/97 | 0,1284 | ![]() | 8043 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | RGL41 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | IDD10SG60CXTMA2 | 6.7900 | ![]() | 490 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IDD10SG60 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 2.1 V @ 10 A | 0 ns | 90 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 290pf @ 1V, 1MHz |
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