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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Rs1mwf-hf | 0,0595 | ![]() | 3082 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Rs1m | Padrão | SOD-123F | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-RS1MWF-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N6480-E3/96 | 0,4500 | ![]() | 48 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | 1N6480 | Padrão | DO-213AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Em 1av | - | ![]() | 1656 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | Em 1 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 970 mV @ 1 a | 10 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | E2af | 0,0300 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-E2AFTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | 1N3292 | - | ![]() | 6994 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | 1N3292 | Padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,5 V @ 100 A | 21 mA a 500 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - | |||
![]() | S5b | 0.1607 | ![]() | 60 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-S5Btr | 8541.10.0000 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 5 A | 1,5 µs | 10 µA a 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||
![]() | VS-8ETU04-1HM3 | 0,7425 | ![]() | 9252 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | 8ETU04 | Padrão | TO-262-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 8 A | 43 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||
![]() | PR2006G-T | - | ![]() | 5366 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Padrão | DO-15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 2 A | 500 ns | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 35pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MBR1020VL_R1_00001 | 0,4800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | MBR1020 | Schottky | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 340 mV @ 1 a | 600 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
![]() | Jan1n1184r | 57.6300 | ![]() | 8198 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/297 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,4 V @ 110 A | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - | |||||||
![]() | WNSC2D401200W6Q | 7.1044 | ![]() | 5248 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | WNSC2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-247-2 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,6 V @ 40 A | 0 ns | 200 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 40A | 2068pf @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | HSM130JE3/TR13 | 0,8550 | ![]() | 6863 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | HSM130 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||
RGP25BHE3/54 | - | ![]() | 6316 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | RGP25 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 2,5 A | 150 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2.5a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MBRD360T4G | 0,8700 | ![]() | 5211 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD360 | Schottky | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | MBRD360T4GOSTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 600 mv @ 3 a | 200 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||
![]() | DPF30I600AHA | 4.1980 | ![]() | 8067 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | - | - | DPF30 | - | - | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-DPF30I600AHA | 30 | - | - | - | - | ||||||||
![]() | SCS212AMC | 6.4500 | ![]() | 48 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | SCS212 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220FM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,55 V @ 12 A | 0 ns | 240 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 12a | 438pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | SSL33 | 0,3150 | ![]() | 1372 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SSL33 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 200 µA a 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||
![]() | RFNL10TJ6SGC9 | 1.5200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | RFNL10 | Padrão | TO-220ACFP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 10 A | 150 ns | 10 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10a | - | ||
![]() | 1N3673A | 2.9500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N3673A | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,2 V @ 30 A | 10 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 22a | - | |||
![]() | MSASC45W100K | - | ![]() | 9775 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-MSASC45W100K | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | MMBD1201 | 0,2300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD12 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 50 Na @ 50 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 2pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | S10JC-HF | 0.1961 | ![]() | 7432 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S10J | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-S10JC-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 10 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 100pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-71HFR20 | 8.6944 | ![]() | 4422 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 71HFR20 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,35 V @ 220 A | 15 mA a 200 V | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70A | - | |||
![]() | CDBVFHT160-HF | - | ![]() | 9660 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 2-SMD, Chumbo Plano | Schottky | SOD-323ST | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-CDBVFHT160-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 680 mV @ 1 a | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
Ss13lHrvg | 0,2235 | ![]() | 7526 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS13 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 400 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | ES3A M6G | - | ![]() | 9414 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ES3A | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 3 a | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | RL204 | - | ![]() | 8807 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | RL20 | Padrão | DO-15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 2 A | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | MSASC25W60K/TR | - | ![]() | 5386 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-MSASC25W60K/TR | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | GP10JE-M3/54 | - | ![]() | 8946 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Gp10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SR204 | 0,0972 | ![]() | 5251 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SR204 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mv @ 2 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - |
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