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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
RGL41AHE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41AHE3/97 -
RFQ
 ECAD 3348 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) RGL41 Padrão DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Rgl41ahe3_a/i Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
CDBA1150-HF Comchip Technology CDBA1150-HF 0,3500
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA CDBA1150 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 870 mV @ 1 a 500 µA @ 150 V -50 ° C ~ 175 ° C. 1a 120pf @ 4V, 1MHz
VS-85HFLR10S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFLR10S02 9.8065
RFQ
 ECAD 1846 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 85HFLR10 Polaridada reversa padrão DO-203AB (DO-5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,75 V @ 266,9 A 200 ns 100 µA A 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a -
SS1200 MDD SS1200 0,1555
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Mdd SMA Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Schottky SMA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.39.0001 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1MHz
VS-15ETX06STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETX06STRL-M3 0,6174
RFQ
 ECAD 3925 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 15ETX06 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 3,2 V @ 15 A 32 ns 50 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
G3S06503A Global Power Technology-GPT G3S06503A 2.7300
RFQ
 ECAD 400 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 3 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 11.5a 181pf @ 0V, 1MHz
G4S06515QT Global Power Technology-GPT G4S06515QT 8.6300
RFQ
 ECAD 2458 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície 4-Powertsfn Sic (carboneto de Silíc) Schottky 4-DFN (8x8) download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 15 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 53a 645pf @ 0V, 1MHz
1N6700US Microchip Technology 1N6700US 30.9300
RFQ
 ECAD 9915 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem na Superfície SQ-Melf, c 1N6700 Schottky D-5c download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 470 mV @ 5 A 200 µA a 20 V -65 ° C ~ 125 ° C. 5a -
B260AF-13 Diodes Incorporated B260AF-13 0,4600
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads B260 Schottky SMAF download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 650 mV @ 2 a 200 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 80pf @ 4V, 1MHz
GAS06520P Global Power Technology-GPT GAS06520P 11.1000
RFQ
 ECAD 4087 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-247AC download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 20 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 66.5a 1390pf @ 0V, 1MHz
G5S06505CT Global Power Technology-GPT G5S06505CT 4.6400
RFQ
 ECAD 7560 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 5 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24a 395pf @ 0V, 1MHz
G4S06508CT Global Power Technology-GPT G4S06508CT 4.6900
RFQ
 ECAD 1563 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 8 a 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24a 395pf @ 0V, 1MHz
G3S12003H Global Power Technology-GPT G3S12003H 4.5600
RFQ
 ECAD 4100 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1200 v 1,7 V @ 3 A 0 ns 100 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9a 260pf @ 0V, 1MHz
FSF10A20 KYOCERA AVX FSF10A20 1.5300
RFQ
 ECAD 5545 0,00000000 Kyocera Avx - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão TO-220-2-2-MOLDURA CONCLUTA download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,03 V @ 10 A 35 ns 25 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 10a -
RBR1LAM60ATFTR Rohm Semiconductor Rbr1lam60atftr 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Rohm Semiconducor Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Rbr1lam60 Schottky Pmdtm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 75 µA A 60 V 150 ° C (Máximo) 1a -
EM01AV0 Sanken EM01AV0 -
RFQ
 ECAD 2573 0,00000000 Sanken - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Axial Em01 Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) EM01AV0 DK Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 970 mV @ 1 a 10 µA A 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a -
GP08GE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP08GE-E3/54 0,1840
RFQ
 ECAD 6776 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial GP08 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 800 mA 2 µs 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 800mA -
20ETS12FP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ets12fp -
RFQ
 ECAD 5289 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 20ets12 Padrão TO-220AC PACK CONCLUTO download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,1 V @ 20 A 100 µA A 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 20a -
CDS4246 Microchip Technology CDS4246 -
RFQ
 ECAD 8594 0,00000000 Microchip Technology * Volume Ativo - Alcançar Não Afetado 150-CDS4246 50
JANTXV1N5712UB/TR Microchip Technology Jantxv1n5712ub/tr 65.2200
RFQ
 ECAD 3184 0,00000000 Microchip Technology MIL-PRF-19500/444 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 3-SMD, sem chumbo Schottky Ub - 150-JANTXV1N5712UB/TR 100 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 16 v 1 V @ 35 mA 150 Na @ 16 V -65 ° C ~ 150 ° C. 75mA 2pf @ 0V, 1MHz
SR215HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR215HA0G -
RFQ
 ECAD 5833 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SR215 Schottky DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 2 a 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
FDLL485B Fairchild Semiconductor Fdll485b -
RFQ
 ECAD 5506 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 Padrão SOD-80 download Ear99 8542.39.0001 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 180 v 1 V @ 100 Ma 25 Na @ 180 V -65 ° C ~ 200 ° C. 200Ma 6pf @ 0V, 1MHz
SK26L_R1_00001 Panjit International Inc. SK26L_R1_00001 0,4800
RFQ
 ECAD 243 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SK26 Schottky SMB (DO-214AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 520 mV @ 2 a 150 µA A 60 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a -
SBA140CS_R1_00001 Panjit International Inc. SBA140CS_R1_00001 0,2900
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F SBA140 Schottky SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 510 mV @ 1 a 100 µA A 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
QD606S_S2_00001 Panjit International Inc. QD606S_S2_00001 -
RFQ
 ECAD 8098 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 QD606 Padrão TO-252 - ROHS3 Compatível Não Aplicável Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,45 V @ 6 A 75 ns 3 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a -
S5A-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5A-E3/9AT 0,1647
RFQ
 ECAD 7722 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S5a Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,15 V @ 5 A 2,5 µs 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 40pf @ 4V, 1MHz
SK53B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK53B R5G -
RFQ
 ECAD 9817 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SK53 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 5 A 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
SR215 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR215 B0G -
RFQ
 ECAD 3409 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SR215 Schottky DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 2 a 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
SF61-TP Micro Commercial Co SF61-TP -
RFQ
 ECAD 5786 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-201D, axial SF61 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1.200 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 975 mV @ 6 a 35 ns 5 µA a 50 V -65 ° C ~ 125 ° C. 6a 120pf @ 4V, 1MHz
IDD09E60BUMA1 Infineon Technologies Idd09e60buma1 -
RFQ
 ECAD 7944 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 IDD09E60 Padrão PG-A252-3 download 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2 V @ 9 A 75 ns 50 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 19.3a -
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