SIC
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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B 8.5100
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semiq AMP+™ Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 GP3D010 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247-2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 1700 v 1,65 V @ 10 A 0 ns 40 µA A 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 67a 699pf @ 1V, 1MHz
SS25LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation SS25LHRUG -
RFQ
 ECAD 5418 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS25 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 400 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
RD2006FR-H onsemi RD2006FR-H -
RFQ
 ECAD 3444 0,00000000 Onsemi - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco To-220-2 RD2006 Padrão TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,75 V @ 20 A 50 ns 100 µA A 600 V 150 ° C (Máximo) 20a -
D2G-T Diodes Incorporated D2G-T 0,0567
RFQ
 ECAD 7949 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco T1, axial D2G Padrão T-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 1 A 2 µs 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
VS-3EJU06HM3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EJU06HM3/6B 0,1485
RFQ
 ECAD 8232 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads 3EJU06 Padrão DO-221AC (Slimsma) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,35 V @ 3 A 50 ns 3 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a -
MBR2090CTE3/TU Microchip Technology MBR2090CTE3/TU -
RFQ
 ECAD 9818 0,00000000 Microchip Technology * Tubo Ativo MBR2090 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000
S5MHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5MHE3/9AT -
RFQ
 ECAD 5648 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S5m Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,15 V @ 5 A 2,5 µs 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 40pf @ 4V, 1MHz
1N4006-N-0-1-BP Micro Commercial Co 1N4006-N-0-1-BP -
RFQ
 ECAD 4069 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4006 Padrão DO-41 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 1N4006-N-0-1-BPMS Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1 V @ 1 A 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
FMV-G2GS Sanken FMV-G2GS -
RFQ
 ECAD 1006 0,00000000 Sanken - Volume Obsoleto - - - - - 1 (ilimito) FMV-G2GS DK Obsoleto 0000.00.0000 1.000 - - - -
SB590-T Diodes Incorporated SB590-T -
RFQ
 ECAD 4647 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-201D, axial Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.200 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 800 mV @ 5 A 500 µA @ 90 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a -
SCS302APC9 Rohm Semiconductor SCS302APC9 1.1520
RFQ
 ECAD 5172 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tubo Não é para desenhos para Novos Através do buraco To-220-2 SCS302 Sic (carboneto de Silíc) Schottky download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 2 A 0 ns 10,8 µA A 650 V 175 ° C (max) 2a 110pf @ 1V, 1MHz
SBRD8350T4G onsemi SBRD8350T4G -
RFQ
 ECAD 5300 0,00000000 Onsemi SwitchMode ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SBRD8350 Schottky DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 600 mv @ 3 a 200 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
SURS8210T3G onsemi SURS8210T3G -
RFQ
 ECAD 9409 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SURS8210 Padrão SMB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 940 mV @ 2 a 30 ns 2 µA a 50 V -60 ° C ~ 175 ° C. 2a -
S2A-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2A-E3/5BT 0,0841
RFQ
 ECAD 9619 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB S2A Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.200 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,15 V @ 1,5 A 2 µs 1 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 16pf @ 4V, 1MHz
S504140TS Microchip Technology S504140TS 158.8200
RFQ
 ECAD 4012 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud Padrão DO-205AB (DO-9) - Alcançar Não Afetado 150-S504140TS Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1400 v 1,25 V @ 1000 A 75 µA @ 1400 V -65 ° C ~ 200 ° C. 300A -
TMMBAT41FILM STMicroelectronics TMMBAT41FILM 0,4200
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-213AA (Vidro) TMMBAT41 Schottky Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 2.500 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 450 mV @ 1 mA 100 Na @ 50 V -65 ° C ~ 125 ° C. 100mA 2pf @ 1V, 1MHz
UG1A-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG1A-M3/54 0,0997
RFQ
 ECAD 1734 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial UG1 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 1 a 25 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 7pf @ 4V, 1MHz
FR601-T Diodes Incorporated FR601-T -
RFQ
 ECAD 5242 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco R-6, axial FR601 Padrão R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 6 A 150 ns 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
VS-18TQ045HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ045HN3 1.0067
RFQ
 ECAD 9347 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 18TQ045 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV @ 18 A 2,5 mA A 35 V -55 ° C ~ 175 ° C. 18a 1400pf @ 5V, 1MHz
S10CK-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S10CK-M3/i 0,3960
RFQ
 ECAD 3793 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S10 Padrão DO-214AB (SMC) download Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1 V @ 10 A 5 µs 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 79pf @ 4V, 1MHz
SFAS808GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAS808GH -
RFQ
 ECAD 1539 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SFAS808 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 8 a 35 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 60pf @ 4V, 1MHz
VI10150SHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI10150SHM3/4W -
RFQ
 ECAD 1947 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA VI10150 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,2 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C. 10a -
1N6077 Microchip Technology 1N6077 21.2400
RFQ
 ECAD 4354 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco A, axial 1N6077 Padrão A, axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,76 V @ 18,8 A 30 ns 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 155 ° C. 1.3a -
RB530VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB530VM-40TE-17 0,3400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F RB530 Schottky Umd2 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 690 mV @ 100 Ma 15 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 100mA -
SS3P3L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss3p3l-m3/86a 0,2362
RFQ
 ECAD 9597 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Ss3p3 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 470 mV @ 3 a 250 µA A 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
UGF10J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF10J C0G -
RFQ
 ECAD 9684 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 UGF10 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2 V @ 10 A 25 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
VS-8EWF12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF12ST-M3 3.4300
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 8ewf12 Padrão D-Pak (TO-252AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,3 V @ 8 A 270 ns 100 µA A 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 8a -
VS-T40HF60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T40HF60 26.2700
RFQ
 ECAD 186 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi D-55 T-Múdulo T40 Padrão D-55 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 15 mA a 600 V 40A -
VS-20TQ035-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ035-M3 0,6673
RFQ
 ECAD 3663 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 20TQ035 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 730 mV @ 40 A 2,7 mA a 35 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a 1400pf @ 5V, 1MHz
SRA1060 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1060 C0G -
RFQ
 ECAD 3815 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 SRA1060 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 10 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
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    2000+

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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