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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
SF31GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31GHA0G -
RFQ
 ECAD 2011 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SF31 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 3 a 35 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 80pf @ 4V, 1MHz
ES1PD-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1PD-E3/85A -
RFQ
 ECAD 4056 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-220AA ES1 Padrão DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 920 mV @ 1 a 25 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
SK16_R1_00001 Panjit International Inc. SK16_R1_00001 0,3900
RFQ
 ECAD 690 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SK16 Schottky SMB (DO-214AA) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 100 µA A 60 V -50 ° C ~ 150 ° C. 1a -
SS16HE onsemi SS16HE 0,4200
RFQ
 ECAD 465 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano SS16 Schottky Sod-323He download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 680 mV @ 1 a 8.3 ns 50 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 43pf @ 4V, 1MHz
1N5059TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5059TAP 0,2178
RFQ
 ECAD 5756 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Sod-57, axial 1N5059 Avalanche SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,15 V @ 2,5 A 4 µs 1 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 40pf @ 0V, 1MHz
UF308G_R2_00001 Panjit International Inc. UF308G_R2_00001 0.1107
RFQ
 ECAD 1028 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial UF308 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 60.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,7 V @ 3 A 100 ns 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 50pf @ 4V, 1MHz
S12MC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S12MC R7 -
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 ECAD 7925 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-S12MCR7TR Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 12 A 1 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a 78pf @ 4V, 1MHz
SK56C Taiwan Semiconductor Corporation SK56C 0,1938
RFQ
 ECAD 7689 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC SK56 Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 750 mv @ 5 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
SK24A Taiwan Semiconductor Corporation SK24A 0,0821
RFQ
 ECAD 5344 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SK24 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mv @ 2 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
HT18G A1G Taiwan Semiconductor Corporation HT18G A1G -
RFQ
 ECAD 5928 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Descontinuado no sic Através do buraco T-18, axial HT18 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
RGL34DHE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL34DHE3/98 -
RFQ
 ECAD 3955 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-213AA (Vidro) RGL34 Padrão DO-213AA (GL34) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Rgl34dhe3_a/h Ear99 8541.10.0070 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 500 mA 150 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500mA 4pf @ 4V, 1MHz
SK13BH Taiwan Semiconductor Corporation SK13BH 0.1145
RFQ
 ECAD 7716 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SK13 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
EM01ZV0 Sanken EM01ZV0 -
RFQ
 ECAD 1558 0,00000000 Sanken - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Axial Em01 Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) EM01ZV0 DK Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 970 mV @ 1 a 10 µA A 200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a -
NRVRGF1A onsemi Nrvrgf1a 0,1402
RFQ
 ECAD 7073 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 488-nrvrgf1atr Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8.5pf @ 4V, 1MHz
1N4001E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4001E-E3/73 -
RFQ
 ECAD 8043 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4001 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,1 V @ 1 A 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
CDBJFSC5650-G Comchip Technology CDBJFSC5650-G 2.9300
RFQ
 ECAD 496 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 CDBJFSC5650 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 5 A 0 ns 100 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 430pf @ 0V, 1MHz
MBRM110ET1 onsemi MBRM110ET1 -
RFQ
 ECAD 4646 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-216AA MBRM110 Schottky Powermite download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 10 v 530 mV @ 1 a 1 µA A 10 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
BYWF29-50-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWF29-50-E3/45 0,6197
RFQ
 ECAD 9073 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada BYWF29 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 20 A 25 ns 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 8a -
STTH112 STMicroelectronics STTH112 -
RFQ
 ECAD 5798 0,00000000 Stmicroelectronics - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial STTH112 Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,9 V @ 1 a 75 ns 5 µA A 1200 V 175 ° C (max) 1a -
UFS170JE3/TR13 Microchip Technology UFS170JE3/TR13 0,9000
RFQ
 ECAD 7377 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214BA UFS170 Padrão DO-214BA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 700 v 1,2 V @ 1 A 60 ns 20 µA @ 700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a -
BAS70T-7-F Diodes Incorporated Bas70T-7-F 0,4600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOT-523 Bas70 Schottky SOT-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 70 v 1 V @ 15 mA 5 ns 100 Na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C. 70mA 2pf @ 0V, 1MHz
SBLF1040-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF1040-E3/45 -
RFQ
 ECAD 3094 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SBLF1040 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV @ 10 A 1 mA a 40 V -40 ° C ~ 125 ° C. 10a -
ES1G Taiwan Semiconductor Corporation Es1g 0,0932
RFQ
 ECAD 6934 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Es1g Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 35 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 18pf @ 1V, 1MHz
CDBC3100-HF Comchip Technology CDBC3100-HF 0,5600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC CDBC3100 Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 810 mV @ 3 a 500 µA @ 100 V -50 ° C ~ 150 ° C. 3a 250pf @ 4V, 1MHz
ACGRC507-HF Comchip Technology ACGRC507-HF -
RFQ
 ECAD 4532 0,00000000 Tecnologia Comchip Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) download 641-ACGRC507-HFTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,15 V @ 5 A 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 25pf @ 4V, 1MHz
VS-HFA25TB60SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA25TB60SHM3 2.2039
RFQ
 ECAD 7293 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotive, AEC-Q101, HEXFRED® Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab HFA25 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSHFA25TB60SHM3 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 25 A 50 ns 20 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 25a -
S5Y-CT Diotec Semiconductor S5Y-CT 1.4343
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tira Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão SMC (DO-214AB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada 2721-S5Y-CT 8541.10.0000 15 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 2000 v 1,1 V @ 5 A 1,5 µs 10 µA @ 2 V -50 ° C ~ 150 ° C. 5a -
STTH1R06A STMicroelectronics STTH1R06A 0,5000
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA STTH1 Padrão SMA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1 A 45 ns 1 µA A 600 V 175 ° C (max) 1a -
A390PE Powerex Inc. A390PE -
RFQ
 ECAD 3846 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Prenda Do-200aa, a-puk A390 Padrão DO-200AA, R62 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1500 v 1,4 V @ 400 A 25 mA a 1500 V 400A -
DB2J30800L Panasonic Electronic Components DB2J30800L -
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 ECAD 5765 0,00000000 Componentes eletrônicos da Panasonic - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F DB2J308 Schottky - Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 420 mV @ 100 Ma 1,3 ns 120 µA A 30 V 125 ° C (Máximo) 100mA 2,9pf @ 10V, 1MHz
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