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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NSR05T40XV2T5G | 0,3500 | ![]() | 6588 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | NSR05 | Schottky | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 640 mV a 500 mA | 20 ns | 55 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 70pf @ 1V, 1MHz | ||
![]() | 1N5406G-T | 0.1134 | ![]() | 7096 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | 1N5406 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 3 A | 2 µs | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SRA2060 | - | ![]() | 2293 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SRA2060 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mV @ 20 A | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | |||
![]() | VS-12FLR60S05 | 5.3962 | ![]() | 6244 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 12flr60 | Polaridada reversa padrão | Do-203aa (DO-4) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 12 A | 500 ns | 50 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | ||
![]() | SR240 | 0,2800 | ![]() | 6025 | 0,00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Schottky | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mv @ 2 a | 100 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 100pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | CDS5819-1 | - | ![]() | 4193 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-CDS5819-1 | 50 | ||||||||||||||||||
![]() | UGA8120 C0G | - | ![]() | 7312 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-2 | UGA8120 | Padrão | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 2,8 V @ 8 A | 70 ns | 5 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||
![]() | VS-90APS16L-M3 | 5.2800 | ![]() | 4938 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | 90APS16 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,21 V @ 90 A | 100 µA A 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 90A | - | |||
![]() | GS1BE-TP | - | ![]() | 1385 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | GS1B | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 2 µs | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | SFF1604GHC0G | - | ![]() | 7378 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1604 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | STPST8H100SFY | 0,9400 | ![]() | 7964 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | STPST8 | Schottky | TO-277A (SMPC) | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 695 mV @ 8 a | 17 µA A 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | |||||
![]() | SKL310 | 0,1322 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Schottky | SOD-123F (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-SKL310TR | 8541.10.0000 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 200 µA a 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||
![]() | BYS12-90-E3/TR | 0,4600 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Bys12 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 750 mv @ 1 a | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | - | |||
![]() | V8pm6hm3/i | 0,2541 | ![]() | 8966 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V8pm6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 640 mV @ 8 a | 600 µA A 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 1150pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | SR1502 R0G | - | ![]() | 1321 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Através do buraco | R-6, axial | SR1502 | Schottky | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV @ 15 A | 500 µA A 20 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||
![]() | MCL4448-TR3 | 0,2200 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | McL4448 | Padrão | Micromell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1 V @ 100 Ma | 8 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (max) | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | PMEG3020BEP-QX | 0,1426 | ![]() | 2005 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Schottky | SOD-128/CFP5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 450 mv @ 2 a | 100 µA A 30 V | 150 ° C. | 2a | 340pf @ 1V, 1MHz | ||||
Rmpg06bhe3_a/53 | 0,1792 | ![]() | 3455 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | MPG06, axial | Rmpg06 | Padrão | MPG06 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6.6pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | S5AHE3/57T | - | ![]() | 4730 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S5a | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,15 V @ 5 A | 2,5 µs | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N3174R | 21.0000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-9 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N3174R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,25 V @ 240 A | 75 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 240a | - | |||
![]() | SRT16 A1G | - | ![]() | 5678 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Descontinuado no sic | Através do buraco | T-18, axial | SRT16 | Schottky | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | ES3D-13-F | 0,4600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ES3D | Padrão | SMC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 3 a | 25 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||
Jantx1N4942 | 5.3550 | ![]() | 7166 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/359 | Volume | Ativo | Através do buraco | A, axial | 1N4942 | Padrão | A, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||
![]() | MBRB1660-E3/45 | 1.5000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB1660 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 16 a | 1 mA a 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - | |||
IDW20G65C5BXKSA2 | 11.2900 | ![]() | 240 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | IDW20G65 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-A247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 180 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 300pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | FSM14PL-TP | 0,3300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | FSM14 | Padrão | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | HER158-AP | - | ![]() | 6132 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | HER158 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1,5 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1.5a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | PMEG045T150EPDAZ | 0,9900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | PMEG045 | Schottky | CFP15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 550 mV @ 15 A | 20 ns | 100 µA A 45 V | 175 ° C (max) | 15a | 800pf @ 10V, 1MHz | ||
![]() | V6pwm45hm3/i | 0,2492 | ![]() | 9219 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Schottky | Slimdpak | download | Alcançar Não Afetado | 112-V6PWM45HM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 580 mV @ 6 a | 50 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 990pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | MSE1PGHM3/89A | 0,3700 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | MicroSMP | MSE1 | Padrão | MicroSMP (DO-219AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 780 ns | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 5pf @ 4V, 1MHz |
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