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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
SE70PB-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE70PB-M3/87A 0,3787
RFQ
 ECAD 1492 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN SE70 Padrão TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,05 V @ 7 A 2,5 µs 20 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2.9a 76pf @ 4V, 1MHz
BYP25A1 Diotec Semiconductor BYP25A1 1.0184
RFQ
 ECAD 2063 0,00000000 Diotec Semiconductor - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-208aa Padrão DO-208 download ROHS3 Compatível Não Aplicável 2796-BYP25A1TR 8541.10.0000 12.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1.1 V @ 25 A 1,5 µs 100 µA A 100 V -50 ° C ~ 215 ° C. 25a -
CLH02(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH02 (TE16L, Q) -
RFQ
 ECAD 5715 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Volume Obsoleto Montagem na Superfície L-FLAT ™ CLH02 Padrão L-Flat ™ (4x5.5) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,3 V @ 3 A 35 ns 10 µA A 300 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3a -
RM 11BV Sanken RM 11bv -
RFQ
 ECAD 2273 0,00000000 Sanken - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Axial RM 11 Padrão Axial download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 920 mV @ 1,5 A 10 µA a 800 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1.2a -
MS110_R1_00001 Panjit International Inc. MS110_R1_00001 0,3400
RFQ
 ECAD 341 0,00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA MS110 Schottky SMA (DO-214AC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 800 mv @ 1 a 1 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
MUR810 onsemi Mur810 -
RFQ
 ECAD 8420 0,00000000 Onsemi SwitchMode ™ Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 Mur81 Padrão To-220-2 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 975 mV @ 8 a 35 ns 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 8a -
GP02-20-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-20-M3/54 -
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 ECAD 5239 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial GP02 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 5.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 2000 v 3 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 2000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 250mA 3pf @ 4V, 1MHz
DTH8L06FP Diodes Incorporated DTH8L06FP 1.1000
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada Padrão ITO-220AC (TIPO WX) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 31-DTH8L06FP Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 8 A 70 ns 8 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
SBRD8835LT4G-VF01 onsemi SBRD8835LT4G-VF01 1.0500
RFQ
 ECAD 1667 0,00000000 Onsemi SwitchMode ™ Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SBRD8835 Schottky DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 510 mV @ 8 a 1,4 mA a 35 V -65 ° C ~ 150 ° C. 8a -
BYD33GGP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD33GGPPP-E3/73 -
RFQ
 ECAD 5796 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BYD33 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
SBR8E20P5-13 Diodes Incorporated SBR8E20P5-13 -
RFQ
 ECAD 4963 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 SBR8E20 Super Barreira Powerdi ™ 5 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 20 v 450 mV @ 8 a 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
SB53AFC-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. SB53AFC-AU_R1_000A1 0,4700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Panjit International Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads SB53 Schottky SMAF-C download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3757-SB53AFC-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 540 mV @ 5 A 100 µA A 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 159pf @ 10V, 1MHz
BYC8-600,127 WeEn Semiconductors BYC8-600.127 0,9300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutores de Ween - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 BYC8 Padrão TO-220AC download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,9 V @ 8 A 52 ns 150 µA A 600 V 150 ° C (Máximo) 8a -
VS-65EPF12L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-65EPF12L-M3 3.3080
RFQ
 ECAD 6837 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 65EPF12 Padrão TO-247AD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,42 V @ 65 A 480 ns 100 µA A 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 65a -
SFA807G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA807G C0G -
RFQ
 ECAD 1772 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 SFA807 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,7 V @ 8 a 35 ns 10 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 60pf @ 4V, 1MHz
RS2DA-13 Diodes Incorporated RS2DA-13 -
RFQ
 ECAD 2326 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Rs2d Padrão SMA download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 1,5 A 150 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 30pf @ 4V, 1MHz
NSD350HT1G onsemi NSD350HT1G 0,3500
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 NSD350 Padrão SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 350 v 1,1 V @ 100 Ma 55 ns 5 µA A 350 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
RHRP4120CC Harris Corporation RHRP4120CC -
RFQ
 ECAD 2053 0,00000000 Harris Corporation * Volume Ativo - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 400
1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1ss427, l3m 0,2700
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-923 1SS427 Padrão SOD-923 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 80 v 1,2 V @ 100 Ma 1.6 ns 500 Na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C. 100mA 0,3pf @ 0V, 1MHz
RF 1B Sanken RF 1b -
RFQ
 ECAD 4363 0,00000000 Sanken - Volume Obsoleto Através do buraco Axial Padrão - download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 2 V @ 1 A 400 ns 10 µA a 800 V -40 ° C ~ 150 ° C. 600mA -
SF1200-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF1200-TR 0,2673
RFQ
 ECAD 1681 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Sod-57, axial SF1200 Padrão SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 3,4 V @ 1 a 75 ns 5 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a -
NA05HSA08-TE12L KYOCERA AVX NA05HSA08-TE12L 0,6400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Kyocera Avx - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221BC, SMA PLL PLAT PAD Schottky NA (DO-221BC) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 80 v 700 mv @ 5 a 100 µA A 80 V -40 ° C ~ 150 ° C. 5a -
RGP10DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DHE3/73 -
RFQ
 ECAD 6542 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial RGP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
PMEG3010BEA,115 Nexperia USA Inc. PMEG3010BEA, 115 0,4400
RFQ
 ECAD 92 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 PMEG3010 Schottky SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 560 mV @ 1 a 150 µA A 30 V 150 ° C (Máximo) 1a 70pf @ 1V, 1MHz
VS-HFA06PB120PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA06PB120PBF -
RFQ
 ECAD 3966 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Hexfred® Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-2 HFA06 Padrão TO-247AC Modifado download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 3 V @ 6 A 80 ns 5 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a -
B5819W MDD B5819W 0,0955
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Mdd SOD-123fl Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F Schottky SOD-123fl download Rohs Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 3372-B5819WTR Ear99 8542.39.0001 12.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 690 mV @ 1 a 1 mA a 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 120pf @ 4V, 1MHz
NGTD8R65F2WP onsemi NGTD8R65F2WP 1.0272
RFQ
 ECAD 9080 0,00000000 Onsemi - Volume Ativo Montagem na Superfície Morrer NGTD8 Padrão Morrer download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 - 650 v 2,8 V @ 30 A 1 µA A 650 V 175 ° C (max) - -
VS-VSKE91/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-vske91/12 37.9900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do chassi Add-a-pak (3) Vske91 Padrão Add-a-Pak® download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSVSKE9112 Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,55 V @ 314 A 10 mA a 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 100a -
SK52BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK52BHR5G -
RFQ
 ECAD 6743 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SK52 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 5 A 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
BAS40,215 Nexperia USA Inc. Bas40.215 0,2500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky TO-236AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 1 V @ 40 Ma 10 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 120mA 5pf @ 0V, 1MHz
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    Unidade de produto padrão

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