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Diodos únicos (57622)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DZ1100N22KHPSA2 | 501.5500 |  | 8603 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | Montagem do chassi | Módlo | DZ1100 | Padrão | Módlo | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2200 v | 1,11 V @ 3000 A | 80 mA a 2200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1100A | - | |||
 | 75HQ045 | 9.6670 | | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-75HQ045 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 710 mV @ 75 A | 5 mA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 75a | 2600pf @ 5V, 1MHz | |||
 | S3b | 0.1116 | | 1290 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3b | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 3 A | 2,5 µs | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
 | VF30100S-M3/4W | 0,7118 | | 7242 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | VF30100 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 910 mV @ 30 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |||
 | 1N4007-F | 0,0220 | | 1407 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-1N4007-FTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1 V @ 1 A | 200 Na @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | 1N1201 | 1.9500 | | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N1201 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,2 V @ 30 A | 10 µA A 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - | |||
 | S1K-F | - | | 8297 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1K | Padrão | SMA (DO-214AC) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 2,5 µs | 5 µA A 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
 | VS-400U80D | 68.6900 | | 16 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | 400U80 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,62 V @ 1500 A | 15 mA a 800 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 400A | - | |||
 | Em 1zv | - | | 7560 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | Em 1 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 970 mV @ 1 a | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
 | Mer802ft_t0_00601 | 0,9400 | | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada | Mer802 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||
 | SE30DT12-M3/i | 2.0700 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | SE30DT12 | Padrão | Smpd | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,29 V @ 30 A | 3,4 µs | 10 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 132pf @ 4V, 1MHz | ||
 | MBR835 | - | | 1309 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-201aa, DO-27, axial | Schottky | Axial | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 550 mV @ 8 a | 1 ma @ 35 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - | ||||
 | LSIC2SD065A20A | 11.2400 | | 873 | 0,00000000 | Littelfuse Inc. | Gen2 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220-2L | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,8 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 45a | 960pf @ 1V, 1MHz | |||
 | JANS1N6621US/TR | 135.6150 | | 3948 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | A, SQ-Melf | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N6621US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,6 V @ 2 A | 45 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - | ||||
 | Rs1kfsh | 0,0603 | | 9891 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Rs1k | Padrão | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4V, 1MHz | ||
| Jantxv1n5616us/tr | 10.1400 | | 6815 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | Padrão | D-5A | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N5616US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 3 A | 2 µs | 500 Na @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - | |||
| R7014003XXUA | - | | 4969 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-200aa, a-puk | R7014003 | Polaridada reversa padrão | DO-200AA, R62 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 4000 v | 2,15 V @ 1500 A | 9 µs | 50 mA a 4000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | |||
 | UF5401-TP | - | | 1539 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | UF5401 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 75pf @ 4V, 1MHz | |||
 | S110 | 0,0200 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-S110TR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | CDSU101A | 0,3200 | | 443 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | CDSU101 | Padrão | 0603/SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 50 Na @ 75 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 3pf @ 0,5V, 1MHz | ||
| 1N4049R | - | | 5080 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | 1N4049 | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1N4049RPX | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 15 mA A 300 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | ||||
| VS-87HFR120M | 24.6782 | | 2300 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 87HFR120 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS87HFR120M | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 1,2 V @ 267 A | -55 ° C ~ 150 ° C. | 85a | - | |||
 | 1N4003GP-M3/73 | - | | 6933 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4003 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
 | V12p8hm3_a/h | 0,4506 | | 6843 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V12p8 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 80 v | 660 mV @ 12 A | 1 mA a 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - | |||||
| Com-08589 | 0,2500 | | 3510 | 0,00000000 | Sparkfun Electronics | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Com-08 | Padrão | Axial | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1568-com-08589 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | |||
| V8pm15-m3/i | 0,2393 | | 2722 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V8pm15 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,08 V @ 8 A | 150 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 460pf @ 4V, 1MHz | |||
| MR1126 | 1.9500 | | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-MR1126 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 12 A | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 12a | - | |||
 | Jantxv1n483b | - | | 5482 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/118 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 70 v | 1 V @ 100 Ma | 25 Na @ 60 V | 175 ° C (max) | 200Ma | - | ||||||
 | Utr32 | 9.2550 | | 4532 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | A, axial | Padrão | A, axial | - | Alcançar Não Afetado | 150-UTR32 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,1 V @ 1 A | 300 ns | 3 µA A 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 70pf @ 0V, 1MHz | ||||
 | VS-8EWF06S-M3 | 3.3300 | | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 8ewf06 | Padrão | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS-8EWF06S-M3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 8 A | 55 ns | 100 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - |
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