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Diodos únicos (57622)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MBR140LSF-TP | - |  | 7035 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123F | MBR140 | Schottky | SOD-123fl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 400 mv @ 1 a | 1 mA a 40 V | -65 ° C ~ 100 ° C. | 1a | - | ||||
 | VS-80-7840 | - | | 4528 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | 80-7840 | - | 112-VS-80-7840 | 1 | ||||||||||||||||||
 | PMEG6045ETP-QX | 0,6000 | | 2 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Schottky | SOD-128/CFP5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 530 mV @ 4,5 A | 20 ns | 400 µA A 60 V | 175 ° C. | 4.5a | 575pf @ 1V, 1MHz | |||
 | 1N3766 | 2.5000 | | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N3766 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA a 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | |||
 | Jan1n6661/tr | - | | 5978 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N6661/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 225 v | 1 V @ 400 mA | 50 Na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | - | ||||
 | SS18AQ | 0,0500 | | 750 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SS18AQTR | Ear99 | 7.500 | ||||||||||||||||
 | VS-3EGU06WHM3/5BT | 0,1769 | | 4597 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 3EGU06 | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,35 V @ 3 A | 65 ns | 3 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | ||
 | SB145L_AY_00001 | 0,0378 | | 5377 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SB145 | Schottky | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 290.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 450 mv @ 1 a | 100 µA A 45 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||
| PCFF50S65MF | - | | 5066 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-PCFF50S65MF | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||
 | SB15100-TP | - | | 2522 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | SB15100 | Do-201d | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 353-SB15100-TPTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | |||||||||||
 | Sk55lhe3-tp | 0,1643 | | 4653 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK55 | Schottky | SMC (DO-214AB) | download | 353-SK55LHE3-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 750 mv @ 5 a | 100 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 200pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | 1N5621US | 8.3850 | | 1161 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | 1N5621 | Padrão | D-5A | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,6 V @ 3 A | 300 ns | 500 Na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 20pf @ 12V, 1MHz | ||
 | 1N1614R | 1.9500 | | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | CAIXA | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-1N1614R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 30 A | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - | |||
 | Jantx1N6761-1 | - | | 6277 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/586 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Schottky | DO-41 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 690 mV @ 1 a | 100 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 70pf @ 5V, 1MHz | ||||
| HS3ABF | 0,0720 | | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-HS3ABFTR | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||
| 1N6642UB2R/TR | 37.2400 | | 5754 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 100 | ||||||||||||||||||||
 | US1J | 0,1200 | | 9 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | US1 | Padrão | SMA (DO-214AC) | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||
| SIDC07D60F6X7SA1 | - | | 4786 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | Morrer | SIDC07D60 | Padrão | Morrer | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,6 V @ 22,5 A | 27 µA A 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 22.5a | - | |||
 | Jan1n647-1 | - | | 5936 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N647 | Padrão | DO-35 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 400 mA | 50 Na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400mA | - | |||
 | PR1005-T | 0,0400 | | 3665 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | PR1005 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||
 | C3D04065A | 2.7600 | | 1 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Z-REC® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | C3D04065 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | To-220-2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 650 v | 1,8 V @ 4 a | 0 ns | 60 µA A 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 13.5a | 251pf @ 0V, 1MHz | |||
| HSM2836-08TR-E | 0,1700 | | 3 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||
| PG4936_R2_00001 | 0,0389 | | 4729 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | PG4936 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||
 | PMEG100T080ELPEZ | 0,6400 | | 48 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | PMEG100 | Schottky | CFP15B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 810 mV @ 8 a | 19 ns | 4 µA A 100 V | 175 ° C. | 8a | 680pf @ 1V, 1MHz | ||
 | V2pl45l-m3/h | 0,4000 | | 744 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | V2pl45 | Schottky | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 530 mv @ 2 a | 300 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 390pf @ 4V, 1MHz | |||
| Esh1pchm3/85a | 0.1681 | | 7196 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | Esh1 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4V, 1MHz | ||
| SR303-AP | 0.1166 | | 1552 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR303 | Schottky | Do-201d | download | 353-SR303-AP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 30 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 180pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | D251N20BXPSA1 | - | | 4772 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | D251N | Padrão | - | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2000 v | 30 mA @ 2000 v | -40 ° C ~ 180 ° C. | 255a | - | |||||
 | Gsbat54t | 0,2000 | | 6 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-523 | Schottky | SOT-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 125 ° C. | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | |||
 | S1M-AQ-CT | 0,1972 | | 8826 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tira | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1M | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2721-S1M-AQ-CT | 8541.10.0000 | 30 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 5 µA @ 1 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - |
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