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Diodos únicos (57622)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | R7011003XXUA | - |  | 2081 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-200aa, a-puk | R7011003 | Polaridada reversa padrão | DO-200AA, R62 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 2,15 V @ 1500 A | 9 µs | 50 mA a 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | |||
| Em 1bv | - | | 6429 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Axial | Em 1 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,05 V @ 1 A | 20 µA A 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
 | Jantx1N5190 | 14.3100 | | 140 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/424 | Volume | Ativo | Através do buraco | B, axial | 1N5190 | Padrão | B, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 9 A | 400 ns | 2 µA A 600 V | - | 3a | - | ||
 | SE40njhm3/i | 0,4800 | | 14 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 2-VDFN | Padrão | DFN3820A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 4 A | 1,2 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 24pf @ 4V, 1MHz | |||
| Jantxv1N5811urs | 25.3350 | | 2441 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 1N5811 | Padrão | B, Sq-Melf | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10V, 1MHz | ||
 | STTH4L06Q | - | | 6396 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | STTH4L06 | Padrão | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 3 A | 75 ns | 3 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 4a | - | ||
 | 10TQ045STRR | - | | 8340 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 10TQ045 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 570 mV @ 10 A | 2 mA a 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | |||
 | APT30DQ120KG | 1.3100 | | 340 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | APT30DQ120 | Padrão | To-220 [k] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1200 v | 3,3 V @ 30 A | 320 ns | 100 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | ||
 | CDBU43-HF | 0,0600 | | 6543 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, sem chumbo | CDBU43 | Schottky | 0603/SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 Na @ 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | ||
 | SE20PJHM3/84A | 0.1048 | | 7515 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | SE20 | Padrão | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,05 V @ 2 A | 1,2 µs | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.6a | 13pf @ 4V, 1MHz | ||
 | V35dm120hm3/i | 0,8257 | | 1492 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia) Variante | V35dm120 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 120 v | 1,05 V @ 35 A | 1,2 mA a 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 6.3a | - | |||
| Esh1pa-E3/85a | - | | 9794 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-220AA | Esh1 | Padrão | DO-220AA (SMP) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA a 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
 | D650N04TXPSA1 | - | | 9620 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Do-200aa, a-puk | D650N04 | Padrão | - | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 950 mV @ 450 A | 20 mA a 400 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 650A | - | ||||
| HFA08TB60S | - | | 4605 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | HFA08 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 8 a | 55 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||
 | RGP02-16E-M3/54 | - | | 6123 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | RGP02 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1600 v | 1,8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA A 1600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 5pf @ 4V, 1MHz | ||
 | Esh1jm RSG | - | | 7885 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 2-SMD, Chumbo Plano | Esh1 | Padrão | Micro SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 1 A | 25 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 3pf @ 4V, 1MHz | ||
| SIDC03D60C8F1SA1 | - | | 1159 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | SIDC03 | Padrão | Morrer | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,95 V @ 10 A | 27 µA A 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | |||
 | VS-MBR1645-M3 | 1.5000 | | 48 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | MBR1645 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 630 mV @ 16 a | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||
 | JANS1N6661/TR | - | | 3665 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/587 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Padrão | DO-35 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N6661/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 225 v | 1 V @ 400 mA | 50 Na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | - | ||||
| GURB5H60HE3/45 | - | | 9492 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Gurb5 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,8 V @ 5 A | 30 ns | 20 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||
 | V8P20-M3/86A | 0,7200 | | 2620 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | V8p20 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,4 V @ 8 A | 250 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2.2a | - | |||
 | NRVBSS34FA | 0,9800 | | 2 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | NRVBSS34 | Schottky | SOD-123fl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 3 a | 12 ns | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 152pf @ 4V, 1MHz | ||
| R7011403XXUA | - | | 7372 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-200aa, a-puk | R7011403 | Polaridada reversa padrão | DO-200AA, R62 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 2,15 V @ 1500 A | 9 µs | 50 mA A 1400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | |||
| Byg22bhe3_a/i | 0,1815 | | 1949 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG22 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 2 A | 25 ns | 1 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||
| UPS1100/TR13 | 0,6300 | | 7588 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | UPS1100 | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | ||||||||||||||
 | VS-8ETL06-1-M3 | 0,5368 | | 8919 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | 8ETL06 | Padrão | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,05 V @ 8 A | 250 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||
| UFR7040 | 97.1250 | | 1938 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-UFR7040 | 1 | ||||||||||||||||||
| NGTD13R120F2WP | - | | 7150 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | Morrer | NGTD13 | Padrão | Morrer | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - | 1200 v | 2,6 V @ 25 A | 1 µA A 1200 V | 175 ° C (max) | - | - | ||||
| RL254GP-BP | 0,1425 | | 8107 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | R-3, axial | RL254 | Padrão | R-3 | download | 353-RL254GP-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 2,5 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | DA3X107K0L | - | | 3186 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DA3X107 | Padrão | Mini3-G3-B | - | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 300 v | 1,2 V @ 100 Ma | 60 ns | 1 µA A 300 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | 3pf @ 6V, 1MHz |
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