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Matriza de Diodo (16722)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção
STPS640CT	-	RFQ	4363	Stmicroelectronics	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	STPS64	Schottky	To-220	download	ROHS3 Compatível	3 (168 Horas)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	40 v	3a	630 mV @ 3 a		100 µA A 40 V	150 ° C (Máximo)
FEP16JT-E3/45	1.5700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3	FEP16	Padrão	To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	600 v	16a	1,5 V @ 8 A	50 ns	10 µA A 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
BAT54AWT3	0,0600	RFQ	100	Onsemi	-	Volume	Ativo	Montagem na Superfície	SC-70, SOT-323	BAT54	Schottky	SOT-323	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0070	10.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 par ânodo comum	30 v	200Ma (DC)	800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA A 25 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MA3X704E0L	-	RFQ	5886	Componentes eletrônicos da Panasonic	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MA3X704	Schottky	Mini3-G1	download		1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 par cátodo comum	30 v	30MA (DC)	1 V @ 30 Ma	1 ns	1 µA a 30 V	125 ° C (Máximo)
STTH30L06CT	-	RFQ	2331	Stmicroelectronics	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	STTH30	Padrão	To-220	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	600 v	20a	1,55 V @ 15 A	85 ns	15 µA A 600 V	175 ° C (max)
MBR10200CT	-	RFQ	5561	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	MBR10200	Schottky	To-220-3	download		1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO	MBR10200CTDI	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	5a	910 mV @ 5 A		100 µA A 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
MBRF3050CTHC0G	-	RFQ	3231	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	MBRF3050	Schottky	ITO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	50 v	30a	900 mV @ 30 A		200 µA a 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MMBD4448DW-7	-	RFQ	8391	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado no sic	Montagem na Superfície	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBD4448DW	Padrão	SOT-363	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	75 v	250mA	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	2,5 µA A 75 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
UFT14020	-	RFQ	6916	Genesco semicondutors	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	TO-249AB		Padrão	TO-249AB	-		1 (ilimito)		UFT14020GS	Ear99	8541.10.0080	40	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	70A	1 V @ 70 A	75 ns	25 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
SBR30100CT	-	RFQ	3679	Diodos Incorporados	SBR®	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	SBR30100	Super Barreira	To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO	SBR30100CTDI	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	15a	850 mV @ 15 a		100 µA A 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
DSEI2X101-06A	36.7000	RFQ	1	Ixys	-	Tubo	Ativo	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	Dsei2x101	Padrão	SOT-227B	download	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	600 v	96a	1,25 V @ 100 A	50 ns	3 ma @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
MDD810-16N2	-	RFQ	9773	Ixys	*	CAIXA	Descontinuado no sic			MDD810			-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	4
MBR2045CT	0,8100	RFQ	9342	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3		Schottky	TO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99		1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	20a	600 mV @ 10 A		200 Na @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
BAV99, LM	0,1900	RFQ	687	Semicondutor e Armazenento de Toshiba	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bav99	Padrão	SOT-23-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0070	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	100 v	215mA	1,25 V @ 150 Ma	3 ns	200 Na @ 80 V	150 ° C (Máximo)
Vs-vskd320-12pbf	201.1700	RFQ	4504	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Ativo	Montagem do chassi	3-MAGN-A-PAK ™	Vskd320	Padrão	Magn-a-Pak®	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	Vsvskd32012pbf	Ear99	8541.10.0080	2	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	1200 v	160a			50 mA A 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
MBR20045CTR	90.1380	RFQ	1612	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	Montagem do chassi	Torre Dupla	MBR20045	Schottky	Torre Dupla	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		MBR20045CTRGN	Ear99	8541.10.0080	40	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par ânodo comum	45 v	200a (DC)	650 mV @ 100 A		5 mA a 20 V
VBT1045C-M3/4W	0,7192	RFQ	5123	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	TMBS®	Tubo	Ativo	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	VBT1045	Schottky	TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	5a	580 mV @ 5 A		500 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
RB851Y7HMT2R	-	RFQ	3443	Rohm Semiconducor	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montagem na Superfície	SC-75-4, SOT-543		Schottky	EMD4	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	846-RB851Y7HMT2RTR	Obsoleto		8.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	2 Independente	3 v	30MA (DC)	460 mV @ 1 Ma		700 Na @ 1 V	125 ° C (Máximo)
NTST30100CTH	-	RFQ	2470	Onsemi	-	Volume	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	NTST30	Schottky	To-220	download		Fornecedor indefinido	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	15a	850 mV @ 15 a		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
VS-30CTQ035-1HM3	1.2877	RFQ	6514	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo	Através do buraco	TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA	30CTQ035	Schottky	TO-262-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	35 v	15a	620 mV @ 15 a		2 mA a 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
MBR40035CT	98.8155	RFQ	9670	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	Montagem do chassi	Torre Dupla	MBR40035	Schottky	Torre Dupla	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		1242-1058	Ear99	8541.10.0080	40	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	35 v	200a	700 mv @ 200 a		1 ma @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
RURD3020	2.7200	RFQ	253	Harris Corporation	-	Volume	Ativo	Através do buraco	Taba isolada isolada to-218-3, to-218ac		Avalanche	TO-218 ISOLADO	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	30a	1 V @ 30 A	50 ns	30 µA A 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
16CTQ080	-	RFQ	5944	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	16ctq	Schottky	To-220-3	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	80 v	8a	720 mv @ 8 a		550 µA A 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
Uh4pdchm3_a/i	-	RFQ	3727	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-277, 3-POWERDFN	Uh4	Padrão	TO-277A (SMPC)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	6.500	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	2a	1,05 V @ 2 A	24 ns	5 µA A 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
MBR2X080A045	53.8500	RFQ	158	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	MBR2X080	Schottky	SOT-227	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		1242-1301	Ear99	8541.10.0080	52	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	45 v	80a	700 mV @ 80 A		1 ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
SDURF1530CT	0,7200	RFQ	1	Soluções de diodo SMC	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	SDURF1530	Padrão	ITO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO	1655-1221	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	300 v	-	1,3 V @ 8 A	45 ns	10 µA A 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
Ugb10bcthe3_a/i	-	RFQ	5346	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab		Padrão	TO-263AB	download			Alcançar Não Afetado	112-UGB10BCTHH3_A/ITR	Ear99	8541.10.0080	800	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	100 v	5a	1,1 V @ 5 A	25 ns	10 µA A 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
VS-MBRB2545CTPBF	-	RFQ	5821	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Descontinuado no sic	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	MBRB25	Schottky	TO-263AB (D²PAK)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	15a	820 mV @ 30 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
IV1D12020T3	17.9500	RFQ	120	InventChip	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-247-3		Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)		4084-IV1D12020T3	Ear99		30	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	1 par cátodo comum	1200 v	30a (DC)	1,8 V @ 20 A	0 ns	100 µA A 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
MBR1545CT	0,5330	RFQ	50	Solid State Inc.	-	Volume	Ativo	Através do buraco	To-220-3		Schottky	To-220	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido	2383-MBR1545CT	Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	45 v	15a				-

2000+
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Unidade de produto padrão
2800+
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Matriza de Diodo (16722)

2000+

30.000.000

2800+

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