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Matriza de Diodo (16722)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção
80CNQ035ASL	-	RFQ	7304	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Volume	Obsoleto	Montagem na Superfície	D-61-8-SL	80cnq	Schottky	D-61-8-SL	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	400	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	35 v	40A	520 mV @ 40 A		5 mA @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
1N4148UBCA/TR	27.2400	RFQ	9283	Microchip Technology	MIL-PRF-19500/116	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	3-SMD, sem chumbo		Padrão	Ub	-							100	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 par ânodo comum	75 v	200Ma	1,2 V @ 100 Ma	5 ns	500 Na @ 75 V	-65 ° C ~ 200 ° C.
GSXF120A100S1-D3	39.6525	RFQ	3564	Semiq	-	Tubo	Ativo	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	GSXF120	Padrão	SOT-227	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	13	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	1000 v	120a	2,35 V @ 120 A	135 ns	25 µA A 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
FFAF05U120DNTU	-	RFQ	1748	Onsemi	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	Pacote completo para 3p-3	FFAF05	Padrão	TO-3PF	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	30	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	1200 v	5a	3,5 V @ 5 A	100 ns	5 µA A 1200 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
MBR2090CT	0,9500	RFQ	1	Soluções de diodo SMC	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-3	MBR2090	Schottky	TO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	90 v	-	900 mV @ 10 A		1 ma @ 90 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
DD700N22KHPSA3	405.3200	RFQ	2	Tecnologias Infineon	-	Bandeja	Ativo	Montagem do chassi	Módlo	DD700N22	Padrão	Módlo	download	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	2	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	2200 v	700A	1,36 V @ 2200 A		40 mA a 2200 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
MBRP30060CTG	-	RFQ	8083	Onsemi	SwitchMode ™	Bandeja	Obsoleto	Montagem do chassi	Powertap II	MBRP3006	Schottky	Powertap II	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	MBRP30060CTGOS	Ear99	8541.10.0080	25	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	150a	790 mV @ 150 A		800 µA A 60 V
TSF20U60C	2.5400	RFQ	10	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	TSF20	Schottky	ITO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	10a	540 mV @ 10 A		300 µA A 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MBR20150CTP	-	RFQ	7177	Diodos Incorporados	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	Guia Isolada parágrafo 220-3	MBR20150CT	Schottky	Ito-220s	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO	MBR20150CTPDI	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	150 v	10a	900 mV @ 10 A		100 µA A 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
B481C-2	-	RFQ	5750	Sensata-Crydom	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	Módulo B48	B481C	Padrão	Módlo	download		Não Aplicável	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	10	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	600 v	35a (DC)	1,25 V @ 35 A			-40 ° C ~ 125 ° C.
UFT14280D	-	RFQ	3255	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	Montagem do parafuso	TO-249AA BASE ISOLADA		Padrão	To-249	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	800 v	70A	1,35 V @ 70 A	75 ns	25 µA a 800 V
MBRF20200CT	-	RFQ	2750	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada		Schottky	ITO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO	MBRF20200CTDI	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	10a	890 mV @ 10 A		100 µA A 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
MSRTA200140AD	85.9072	RFQ	3875	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	Montagem do chassi	Três Torre	MSRTA200	Padrão	Três Torre	-	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	18	RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	1400 v	200a	1,1 V @ 200 A		10 µA A 1400 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
6CWQ06FNTRR	-	RFQ	4443	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63	6CWQ06	Schottky	D-Pak (TO-252AA)	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	2.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	3.5a	610 mV @ 3 a		2 mA a 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
1SS374 (Te85L, F)	0,3700	RFQ	6	Semicondutor e Armazenento de Toshiba	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	1SS374	Schottky	SC-59	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE	10 v	100mA	500 mV @ 100 Ma		20 µA A 10 V	125 ° C (Máximo)
VS-20CTQ045pbf	-	RFQ	4836	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Descontinuado no sic	Através do buraco	To-220-3	20ctq045	Schottky	To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	45 v	10a	640 mV @ 10 A		2 mA a 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
1SS308 (TE85L, f	0,4300	RFQ	15	Semicondutor e Armazenento de Toshiba	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	SC-74A, SOT-753	1SS308	Padrão	Smv	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	4 ânodo comum	80 v	100mA	1,2 V @ 100 Ma	4 ns	500 Na @ 80 V	125 ° C (Máximo)
G20H150CTW	-	RFQ	9915	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3		Schottky	TO-220AB	-	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	31-G20H150CTW	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	150 v	20a	820 mV @ 10 A		8 µA A 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
HSU119TRF-E	0,1000	RFQ	189	Renesas Electronics America Inc	*	Volume	Ativo						download	Não Aplicável	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0070	3.000
SRF2090HC0G	-	RFQ	2479	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	SRF2090	Schottky	ITO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	90 v	20a	920 mV @ 10 A		100 µA A 90 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MMBD4448DW-7-F	0,4000	RFQ	3	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	Montagem na Superfície	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBD4448	Padrão	SOT-363	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	75 v	250mA	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	2,5 µA A 75 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
QRC0630R30	-	RFQ	9721	Powerex Inc.	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	Módlo		Padrão	Módlo	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	600 v	210a (DC)	2,5 V @ 210 A	120 ns	1 mA a 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
APT2X30DC120J	-	RFQ	9450	Microsemi Corporation	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	Apt2x30	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	SOT-227	-		1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	1	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	2 Independente	1200 v	30a	1,8 V @ 30 A	0 ns	600 µA A 1200 V
Mur3040pt	-	RFQ	3245	Harris Corporation	SwitchMode ™	Volume	Ativo	Através do buraco	TO-218-3	MUR30	Padrão	SOT-93	download	Rohs Não Compatível	1 (ilimito)	Fornecedor indefinido		Ear99	8541.10.0080	1	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	400 v	15a	1,25 V @ 15 A	60 ns	10 µA A 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
U10DCT-E3/4W	-	RFQ	8096	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	-	Tubo	Obsoleto	Através do buraco	To-220-3	U10	Padrão	To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0080	1.000	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	200 v	5a	1,1 V @ 5 A	25 ns	5 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
MBR2X060A045	52.2000	RFQ	1523	Genesco semicondutors	-	Volume	Ativo	Montagem do chassi	SOT-227-4, Minibloc	MBR2X060	Schottky	SOT-227	download	Rohs Compatível	1 (ilimito)		1242-1300	Ear99	8541.10.0080	52	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	2 Independente	45 v	120a	700 mV @ 60 A		1 ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C.
SDURF1030CT	0,6200	RFQ	234	Soluções de diodo SMC	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	SDURF1030	Padrão	ITO-220AB	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO	1655-1211	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	300 v	-	1,3 V @ 5 A	45 ns	30 µA A 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
RB215T-90NZC9	3.2900	RFQ	895	Rohm Semiconducor	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3	RB215	Schottky	TO-220FN	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	846-RB215T-90NZC9	Ear99	8541.10.0080	50	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	90 v	20a	750 mv @ 10 a		400 µA @ 90 V	150 ° C.
BAW56WE6327HTSA1	-	RFQ	5048	Tecnologias Infineon	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	Montagem na Superfície	SC-70, SOT-323	BAW56	Padrão	PG-SOT323	download		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.10.0070	3.000	Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade	1 par ânodo comum	80 v	200Ma (DC)	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	150 Na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
MBRF30060	-	RFQ	2330	Genesco semicondutors	-	Volume	Obsoleto	Montagem do chassi	TO-244AB	MBRF3006	Schottky	TO-244AB	-		1 (ilimito)			Ear99	8541.10.0080	25	RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)	1 par cátodo comum	60 v	150a	750 mV @ 150 A		1 mA a 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C.

2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
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Matriza de Diodo (16722)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²