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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Vs-vskd250-12pbf | 174.6900 | ![]() | 9423 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | 3-MAGN-A-PAK ™ | Vskd250 | Padrão | Magn-a-Pak® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vsvskd25012pbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1200 v | 125a | 50 mA A 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | SBR4060CTFP | 2.0100 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SBR4060 | Super Barreira | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 700 mV @ 20 A | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
STPS30H100CT | 1.5100 | ![]() | 3792 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | STPS30 | Schottky | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 800 mV @ 15 A | 5 µA A 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | CMPD6263S BK PBFREE | 0,2850 | ![]() | 8740 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPD6263 | Schottky | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 70 v | 15mA (DC) | 410 mV @ 1 Ma | 200 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | CDBD10200-G | 0,7669 | ![]() | 9152 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | CDBD10200 | Schottky | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a (DC) | 1 V @ 10 A | 500 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
STPS30120CTN | 2.6100 | ![]() | 996 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | STPS30120 | Schottky | TO-220AB Labros Estrutos | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 15a | 920 mV @ 15 a | 15 µA A 120 V | 175 ° C (max) | ||||
![]() | Vs-6dkh02hm3/i | 0,3465 | ![]() | 1982 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | 6dkh02 | Padrão | Flatpak 5x6 (Duplo) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-6DKH02HM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 3a | 940 mV @ 3 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |
![]() | MBR20150SCT-E1 | - | ![]() | 3052 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | Schottky | To-220-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 900 mV @ 10 A | 500 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | ||||
![]() | V40M150CHM3/4W | - | ![]() | 1820 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | V40M150 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | V40M150CHM3/4WGI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 20a | 1,43 V @ 20 A | 250 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | Uft7260sm1a | - | ![]() | 8682 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | SM1 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 600 v | 35a | 1,35 V @ 35 A | 75 ns | 25 µA A 600 V | |||||
![]() | MBR30H100CTG | 2.2400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR30H100 | Schottky | To-220 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 800 mV @ 15 A | 4,5 µA a 100 V | 175 ° C (max) | |||
![]() | V20202C-M3/4W | 2.1400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | V20202 | Schottky | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 900 mV @ 10 A | 150 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||
![]() | Mbrta60030rl | - | ![]() | 3356 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Três Torre | Schottky | Três Torre | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 30 v | 300A | 580 mV @ 300 A | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | MUR20005CTR | - | ![]() | 1360 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Torre Dupla | Padrão | Torre Dupla | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | MUR20005CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 50 v | 100a | 1,3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | TSD10H100CW | 2.6400 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | TSD10 | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | |||||||||||
![]() | M1MA151WKT1 | - | ![]() | 8212 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | M1MA151 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||
![]() | VS-MBRB2545CTPBF | - | ![]() | 5821 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB25 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 15a | 820 mV @ 30 A | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | MBR1545CT | 0,5330 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | Schottky | To-220 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2383-MBR1545CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 45 v | 15a | - | |||||
![]() | F1827RD1400 | 134.2810 | ![]() | 9222 | 0,00000000 | Sensata-Crydom | - | Volume | Não é para desenhos para Novos | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Rohs Compatível | Não Aplicável | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1400 v | 25a (DC) | 1,55 V @ 75 A | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||
![]() | VI40120C-E3/4W | 2.7700 | ![]() | 708 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | TMBS® | Tubo | Ativo | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | VI40120 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 20a | 880 mV @ 20 A | 500 µA A 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||
BAT54STC | - | ![]() | 7463 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SOT-23-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 30 v | 200Ma (DC) | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 4 µA A 25 V | 125 ° C (Máximo) | ||||
![]() | Jantxv1n6660dt1 | - | ![]() | 2428 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/608 | Volume | Ativo | Através do buraco | TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) | 1N6660 | Schottky | TO-254AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 45 v | 15a | 750 mv @ 15 a | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||
![]() | VS-U5FH120FA120 | 24.4000 | ![]() | 159 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Vs-u5fh | Padrão | SOT-227 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 112-VS-U5FH120FA120 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 1200 v | 60a (DC) | 2,5 V @ 60 A | 71 ns | 80 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |
![]() | MURF40020R | - | ![]() | 3160 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | TO-244AB | Padrão | To-244 | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 200a | 1 V @ 200 A | 150 ns | 25 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | MUR2X060A04 | 47.1200 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Mur2x060 | Padrão | SOT-227 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | 1242-1310 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 400 v | 60a | 1,3 V @ 60 A | 75 ns | 25 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||
![]() | APT2X61S20J | 25.2600 | ![]() | 8941 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | Isotop | Apt2x61 | Schottky | Isotop® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 200 v | 75a | 900 mV @ 60 A | 55 ns | 1 ma @ 200 V | |||
![]() | DD350N12KKHPSA1 | - | ![]() | 6068 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Módlo | Padrão | Módlo | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1200 v | 350a | 1,28 V @ 1000 A | 30 mA a 1200 V | 150 ° C. | |||||
![]() | UFT20020A | - | ![]() | 6714 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem do parafuso | Módlo | Padrão | Módlo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 200 v | 100a | 975 mV @ 100 A | 50 ns | 50 µA A 200 V | |||||
![]() | MBR20300FCT | 0,7200 | ![]() | 400 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Schottky | ITO-220AB | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-MBR20300FCT | Ear99 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 20a | 975 mV @ 10 A | 50 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | IRKD56/10A | - | ![]() | 7666 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Montagem do chassi | Add-a-pak (3) | IRKD56 | Padrão | Add-a-Pak® | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 1000 v | 60a | 10 mA a 1000 V |
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