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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RMLV0808BGSB-4S2#AA0 | 6.2000 |  | 2504 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | RMLV0808 | Sram | 2.4V ~ 3,6V | 44-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | -1161-rmlv0808bgsb-4s2#AA0 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volátil | 8MBIT | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Paralelo | 45ns | |||
 | MT53E1G32D2FW-046 WT: A TR | 22.0050 | | 7894 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem NA Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046WT: ATR | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||||
 | W25Q32JVXGAQ | - | | 7178 | 0,00000000 | Electronics Winbond | Spiflash® | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-XDFN PAD EXPOSTO | W25Q32 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-xson (4x4) | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W25Q32JVXGAQ | 1 | 133 MHz | Não Volátil | 32Mbit | 6 ns | Clarão | 4m x 8 | Spi - quad e/s | 3ms | |||||
 | AS4C256M16D3C-93BCN | 8.8996 | | 7927 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem NA Superfície | 96-TFBGA | AS4C256 | Sdram - ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (7,5x13.5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1450-AS4C256M16D3C-93BCN | Ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 1.066 GHz | Volátil | 4gbit | 20 ns | Dram | 256m x 16 | 15ns | |||
 | C-2666D4DR4RN/16G | 113.5000 | | 6225 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-C-2666D4DR4RN/16G | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS61WV25616Fall-10Tli | 3.2472 | | 8981 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | SRAM - Assíncrono | 1,65V ~ 2,2V | 44-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV25616Fall-10Tli | 135 | Volátil | 4MBIT | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 10ns | |||||||
| NDS76PT5-16ET | 2.0259 | | 4360 | 0,00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | Sdram | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | - | 1982-nds76pt5-16et | 1.000 | 166 MHz | Volátil | 128Mbit | Dram | 8m x 16 | Lvttl | - | |||||||||
 | MT58L256L18F1T-10 | 5.9800 | | 37 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 100-lqfp | SRAM - Padrão | 3.135V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volátil | 4MBIT | 10 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | ||||
 | 70914S25pfgi8 | - | | 9257 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 80-LQFP | 70914s | SRAM - PORTA DUPLA, PADROO | 4.5V ~ 5,5V | 80-TQFP (14x14) | - | 800-70914S25pfgi8tr | Obsoleto | 250 | Volátil | 36kbit | 25 ns | Sram | 4k x 9 | Paralelo | 25ns | |||||||
| Mt62f1g32d2ds-023 wt es: c | 22.8450 | | 9532 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | -25 ° C ~ 85 ° C. | Montagem NA Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES: c | 1 | 3.2 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Paralelo | - | |||||||||
 | FM24C32ULEM8 | - | | 6668 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FM24C32 | EEPROM | 2.7V ~ 5,5V | 8-SOIC | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | Não Volátil | 32kbit | 3,5 µs | EEPROM | 4k x 8 | I²C | 15ms | |||
 | IS61VPS102436B-250B3L | 94.1664 | | 1583 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 165-TBGA | IS61VPS102436 | SRAM - Síncrono, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 165-TFBGA (13x15) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volátil | 36Mbbit | 2,8 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | |||
| 647907-S21-C | 35.0000 | | 4110 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-647907-S21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT46H64M32LFT89MWC2-N1004 | - | | 2353 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | - | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1,95V | - | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | Volátil | 2gbit | Dram | 64m x 32 | Paralelo | |||||||||||
| 70V09S20PFI8 | - | | 5457 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | - | 800-70V09S20PFI8TR | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | 485033-004-C | 17.5000 | | 3481 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-485033-004-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 7130LA35pdg | - | | 6413 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Através do buraco | 48-DIP (0,600 ", 15,24mm) | 7130LA | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 48-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 7 | Volátil | 8kbit | 35 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | CY7C1618KV18-333BZXC | 358.8200 | | 7936 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 165 lbga | CY7C1618 | SRAM - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (15x17) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 525 | 333 MHz | Volátil | 144MBIT | Sram | 8m x 18 | Paralelo | - | ||||
 | INT1600SB16L-C | 230.0000 | | 8844 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-INT1600SB16L-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY62138FV30LL-45zaxit | 7.7500 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | MOBL® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 32-TFSOP (0,465 ", 11,80 mm de largura) | CY62138 | SRAM - Assíncrono | 2.2V ~ 3,6V | 32-SSSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Volátil | 2MBIT | 45 ns | Sram | 256k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | CY27C256A-45JC | - | | 3695 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 32-lcc (J-Lead) | CY27C256 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5,5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | Não Volátil | 256kbit | 45 ns | Eprom | 32k x 8 | Paralelo | - | ||||
| GD25F64FSIGR | 0,8424 | | 1873 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-SOP | - | 1970-GD25F64FSIGRTR | 2.000 | 200 MHz | Não Volátil | 64MBIT | Clarão | 8m x 8 | Spi - quad e/s, dtr | - | |||||||||
 | W25X40VSNIG | - | | 8049 | 0,00000000 | Electronics Winbond | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | W25X40 | Clarão | 2.7V ~ 3,6V | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 75 MHz | Não Volátil | 4MBIT | Clarão | 512k x 8 | Spi | 3ms | ||||
 | SST25PF020B-80-4C-Q3AE | - | | 5684 | 0,00000000 | Microchip Technology | SST25 | Bolsa | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-UFDFN PAD EXPOSTO | SST25PF020 | Clarão | 2.3V ~ 3,6V | 8-USON (3x2) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 80 MHz | Não Volátil | 2MBIT | Clarão | 256k x 8 | Spi | 10µs | |||||
 | M95P16-IXMNT/E. | 1.6800 | | 4 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | EEPROM | 1.6V ~ 3,6V | 8-so | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-M95P16-IXMNT/E. | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 2.500 | 80 MHz | Não Volátil | 16MBIT | 10 ns | EEPROM | 2m x 8 | Spi - quad e/s | 1,5ms | |||
 | DS1250Y-100IND+ | 100.3209 | | 3853 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./maxim Integrado | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Através do buraco | Módulo de 32-DIP (0.600 ", 15,24mm) | DS1250Y | NVSRAM (SRAM Não Volátil) | 4.5V ~ 5,5V | 32-EDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | Não Volátil | 4MBIT | 100 ns | NVSRAM | 512k x 8 | Paralelo | 100ns | ||||
| CY7C1460KV25-200BZI | - | | 7062 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 165 lbga | CY7C1460 | SRAM - Síncrono, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 165-FBGA (15x17) | download | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 1 | 200 MHz | Volátil | 36Mbbit | 3.2 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | Não Verificado | |||||
 | S25FL127SABBHIT03 | 9.3400 | | 2 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Fl | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 24-TBGA | S25FL127 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 24-BGA (8x6) | download | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Fornecedor indefinido | 2832-S25FL127SABBHIT03TR | 3A991A2 | 8542.32.0070 | 54 | 108 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | - | Não Verificado | ||
 | STK22C48-SF45ITR | - | | 4482 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 28-SOIC (0,342 ", 8,69 mm de largura) | STK22C48 | NVSRAM (SRAM Não Volátil) | 4.5V ~ 5,5V | 28-SOIC | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Não Volátil | 16kbit | 45 ns | NVSRAM | 2k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | CY7C136-55NXIT | - | | 3167 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 52-BQFP | CY7C136 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 52-PQFP (10x10) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | Volátil | 16kbit | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 55ns |
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