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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UPD44324182BF5-E33-FQ1-A | 57.0300 |  | 463 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| CY7C1356A-133AI | 14.0800 | | 664 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | CY7C1356 | SRAM - Síncrono, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20) | download | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 9Mbbit | 4.2 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |||
 | 24AA64SC-I/W16K | - | | 6799 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Morrer | 24aa64 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | Morrer | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 400 kHz | Não Volátil | 64kbit | 900 ns | EEPROM | 8k x 8 | I²C | 5ms | |||
| CG8142AA | - | | 6747 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 675 | ||||||||||||||||||
| 7006L35J8 | - | | 6868 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 68-lcc (J-Lead) | 7006L35 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 250 | Volátil | 128kbit | 35 ns | Sram | 16k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | MT58L32L32FT-10 | 6.4500 | | 49 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | MT58L32L32 | SRAM - Síncrono | 3.135V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volátil | 1Mbit | 10 ns | Sram | 32k x 32 | Paralelo | - | |||
 | S29CL016J0PQFM030 | - | | 9899 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Cl-J | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 80-BQFP | S29CL016 | Flash - NEM | 1,65V ~ 3,6V | 80-PQFP (14x20) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 66 | 66 MHz | Não Volátil | 16MBIT | 54 ns | Clarão | 512k x 32 | Paralelo | 60ns | |||
 | AS4C64M8D2-25BIN | 5.9900 | | 21 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 60-TFBGA | AS4C64 | Sdram - ddr2 | 1.7V ~ 1,9V | 60-FBGA (8x10) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1450-1129 | Ear99 | 8542.32.0028 | 264 | 400 MHz | Volátil | 512MBIT | 400 ps | Dram | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| GD25LB512MEYJGR | 5.6243 | | 8663 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | download | 1970-GD25LB512MEYJGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | |||||||||
| MTFC128GBCAVC-AAT ES | 60.4800 | | 1573 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | - | 557-MTFC128GBCAVTC-AATES | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | NV34C02MUW3VTBG | 0,4132 | | 1833 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-UFDFN PAD EXPOSTO | NV34C02 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8-udfn (2x3) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-NV34C02MUW3VTBGTR | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | Não Volátil | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | I²C | 5ms | ||
 | Sm662gxe bess | 91.4600 | | 5 | 0,00000000 | Silicon Motion, Inc. | FERRI-EMMC® | Bandeja | Ativo | - | Montagem na Superfície | 100 lbga | Flash - NAND (TLC) | - | 100-BGA (14x18) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1984-SM662GXEBESS | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 980 | Não Volátil | - | Clarão | Emmc | - | ||||||
 | CY7C1360A1-150AJC | 7.0600 | | 1 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | CY7C1360 | SRAM - Síncrono, SDR | 3.135V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x20) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | ALCANCE AFETADO | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Volátil | 9Mbbit | 3,5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | W631GU8NB-15 TR | 2.9626 | | 1507 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-VFBGA | W631GU8 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V, 1.425V ~ 1.575V | 78-VFBGA (8x10,5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W631GU8NB-15TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 667 MHz | Volátil | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | GS8662D36BGD-400I | 194.5700 | | 15 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 165 lbga | GS8662D | SRAM - Quad Port, Síncrono, QDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FPBGA (13x15) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 2364-GS8662D36BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400 MHz | Volátil | 72MBIT | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | |||
| A5649221-C | 17.5000 | | 3425 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-A5649221-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | TMS48C121-10DZ | 8.0000 | | 276 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | Volume | Ativo | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CY14B104N-BA20XC | - | | 6851 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFBGA | CY14B104 | NVSRAM (SRAM Não Volátil) | 2.7V ~ 3,6V | 48-FBGA (6x10) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 299 | Não Volátil | 4MBIT | 20 ns | NVSRAM | 256k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||
| 4x70g00093-c | 68.7500 | | 4024 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-4X70G00093-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | NAND512W3A2DZA6E | - | | 2127 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-TFBGA | NAND512 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | -Nand512W3a2dza6e | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Não Volátil | 512MBIT | 50 ns | Clarão | 64m x 8 | Paralelo | 50ns | |||
| 413015-B21-C | 125.0000 | | 9201 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-413015-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Cy6264-55Snxi | - | | 4589 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | MOBL® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 28-SOIC (0,295 ", Largura de 7,50 mm) | Cy6264 | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | 28-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 270 | Volátil | 64kbit | 55 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
| IS43TR82560DL-107MBLI | 5.2177 | | 8327 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 78-TWBGA (8x10,5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR82560DL-107MBLI | 242 | 933 MHz | Volátil | 2gbit | 20 ns | Dram | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | ||||||
| M29DW256G7ANF6E | - | | 9211 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | M29DW256 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 56-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 96 | Não Volátil | 256Mbit | 70 ns | Clarão | 16m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | CY7C1320BV18-167BZCT | - | | 4460 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1320 | SRAM - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 167 MHz | Volátil | 18Mbit | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||||
| IS25LX064-JHLA3-TR | 2.2957 | | 5169 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | IS25LX064 | Clarão | 2.7V ~ 3,6V | 24-TFBGA (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 706-IS25LX064-JHLA3-TR | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Não Volátil | 64MBIT | Clarão | 8m x 8 | Spi - e/s octal | - | |||
 | DS1990A-F5/E4F | - | | 6713 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./maxim Integrado | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 71256l20ygi | - | | 6798 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 28-BSOJ (0.300 ", 7,62 mm de largura) | 71256L | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | 28-SOJ | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 270 | Volátil | 256kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
 | CY7S1041G30-10ZSXI | - | | 1668 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | CY7S1041 | SRAM - Assíncrono | 2.2V ~ 3,6V | 44-TSOP II | download | 1 | Volátil | 4MBIT | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 10ns | Não Verificado | ||||||||
 | IS42S32400B-6B | - | | 4503 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32..0002 | 240 | 166 MHz | Volátil | 128Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Paralelo | - |
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