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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 7007L25pfg | - |  | 6165 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Última Vez compra | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 80-LQFP | 7007L25 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 80-TQFP (14x14) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 800-7007L25pfg | 45 | Volátil | 256kbit | 25 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 25ns | |||||
 | 7006S20pfg | - | | 8239 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64-LQFP | 7006S20 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-7006S20pfg | Obsoleto | 1 | Volátil | 128kbit | 20 ns | Sram | 16k x 8 | Paralelo | 20ns | |||||||
 | BR24H32FVT-5ACE2 | 0,8300 | | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | BR24H32 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8-TSSOP-B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 MHz | Não Volátil | 32kbit | EEPROM | 4k x 8 | I²C | 3,5ms | ||||
 | Mt40a4g4nre-083e: b tr | - | | 7097 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | MT40A4G4 | Sdram - ddr4 | 1.14V ~ 1,26V | 78-FBGA (8x12) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,2 GHz | Volátil | 16gbit | Dram | 4g x 4 | Paralelo | - | ||||
 | BR25H128F-2ACE2 | 1.7900 | | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) | BR25H128 | EEPROM | 2,5V ~ 5,5V | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 10 MHz | Não Volátil | 128kbit | EEPROM | 16k x 8 | Spi | 4ms | ||||
 | 71421SA25pfi8 | - | | 7730 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64-LQFP | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-71421SA25pfi8tr | 1 | Volátil | 16kbit | 25 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 25ns | |||||||||
 | SST39VF200A-70-4I-M1QE | - | | 3557 | 0,00000000 | Microchip Technology | SST39 MPF ™ | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-WFBGA | SST39VF200 | Clarão | 2.7V ~ 3,6V | 48-WFBGA (6x4) | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 740 | Não Volátil | 2MBIT | 70 ns | Clarão | 128k x 16 | Paralelo | 20µs | ||||
 | S25FL128SAGBHI310 | 3.5294 | | 9530 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Fl | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | S25FL128 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 24-BGA (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 676 | 133 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||||
| Mt29f2t08elleeg7-qd: e tr | 52.9800 | | 1704 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD: ETR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
 | W959D8NFYA5I | 5.1500 | | 303 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | W959D8 | Hyperram | 1.7V ~ 2V | 24-TFBGA, DDP (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 480 | 200 MHz | Volátil | 512MBIT | 35 ns | Dram | 64m x 8 | Hyperbus | 35ns | |||
 | MT57W1MH18BF-7.5 | 23.0000 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165-TBGA | SRAM - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 18Mbit | 500 ps | Sram | 1m x 18 | Hstl | - | ||||
| 5962-8976403MYA | - | | 6455 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-lcc | 5962-8976403 | SRAM - PORTA DUPLA, SÍNCRONA | 4.5V ~ 5,5V | 48-LCC (14.22x14.22) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 800-5962-8976403MYA | Obsoleto | 34 | Volátil | 32kbit | 55 ns | Sram | 4k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | W25N512GVEIR | 2.1715 | | 2821 | 0,00000000 | Electronics Winbond | Spiflash® | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | W25N512 | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (8x6) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W25N512GVEIR | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | Não Volátil | 512MBIT | 6 ns | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/s | 700µs | ||
 | 7053841-C | 170.0000 | | 1329 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-7053841-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| 70121S55JG | - | | 5720 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Última Vez compra | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 52-LCC (J-Lead) | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 800-70121S55JG | 1 | Volátil | 18kbit | 55 ns | Sram | 2k x 9 | Paralelo | 55ns | |||||||||
 | S34ML02G200BHV000 | 2.8700 | | 1 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-2 | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | S34ML02 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 63-BGA (11x9) | download | ROHS3 Compatível | 2832-S34ML02G200BHV000 | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1 | Não Volátil | 2gbit | Clarão | 256m x 8 | Paralelo | 25ns | ||||||
 | 043641wlad-7 | 47.6400 | | 69 | 0,00000000 | IBM | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 119 BBGA | 3.3V | 119-BGA (17x7) | download | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 4MBIT | Sram | 256k x 18 | Hstl | ||||||||||
 | CY7C1370D-2550AXC | - | | 9509 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | CY7C1370 | SRAM - Síncrono, SDR | 3.135V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x20) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Volátil | 18Mbit | 2.6 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | Não Verificado | |||
 | 24CS512-E/SN | 1.3500 | | 5592 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | 24CS512 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8-SOIC | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 150-24CS512-E/SN | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3,4 MHz | Não Volátil | 512kbit | 400 ns | EEPROM | 64k x 8 | I²C | 5ms | ||
| S25FL129P0XMFI000 | - | | 6900 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Volume | Obsoleto | - | 2156-S25FL129P0XMFI000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| W634GU8QB11I | 6.5523 | | 7006 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-VFBGA | W634GU8 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 78-VFBGA (8x10,5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W634GU8QB11I | Ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 933 MHz | Volátil | 4gbit | 20 ns | Dram | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | FM25CL64B-G | 4.0700 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | F-RAM ™ | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FM25CL64 | Fram (Ram Ferroelética) | 2.7V ~ 3,65V | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 97 | 20 MHz | Não Volátil | 64kbit | Fram | 8k x 8 | Spi | - | ||||
 | IS46LD32128C-18BPLA2 | - | | 9933 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 168-VFBGA | IS46LD32128 | Sdram - Móvel LPDDR2 | 1,14V ~ 1,3V, 1,7V ~ 1,95V | 168-VFBGA (12x12) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 706-IS46LD32128C-18BPLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Volátil | 4gbit | 5,5 ns | Dram | 128m x 32 | Hsul_12 | 15ns | ||
 | 70T653MS12BCI | 438.4800 | | 7332 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 256 lbga | 70T653 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 2.4V ~ 2,6V | 256-Cabga (17x17) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | Volátil | 18Mbit | 12 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | 12ns | ||||
 | MEM-CF-2GB-C | 70.0000 | | 4 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-MEM-CF-2GB-C | Ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
| IS25WP080D-JULE-TR | 0.6114 | | 6186 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-UFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1,65V ~ 1,95V | 8-USON (2x3) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP080D-JULE-TR | 5.000 | 133 MHz | Não Volátil | 8MBIT | 7 ns | Clarão | 1m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | 40µs, 800µs | ||||||
 | R1EX25032ATA00A#S0 | 0,6000 | | 11 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | R1EX25032 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 5 MHz | Não Volátil | 32kbit | EEPROM | 4k x 8 | Spi | 5ms | ||||
 | M24256-BRCS6TP/A. | - | | 3614 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-UFBGA | M24256 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-WLCSP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | Não Volátil | 256kbit | 450 ns | EEPROM | 32k x 8 | I²C | 5ms | |||
 | CAT25010S | - | | 9772 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | CAT25010 | EEPROM | 2,5V ~ 5,5V | 8-SOIC | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | Não Volátil | 1kbit | EEPROM | 128 x 8 | Spi | 5ms | |||||
| GD25LE16EEGR | 0,5678 | | 4022 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-XFDFN PAD EXPOSTO | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-USON (3x2) | download | 1970-GD25LE16EEGRTR | 3.000 | 133 MHz | Não Volátil | 16MBIT | 6 ns | Clarão | 2m x 8 | Spi - quad e/s, qpi | 60µs, 2,4ms |
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