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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M93C76-RMN3TP/K. | 0,6500 |  | 3 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | M93C76 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-14437-2 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 2 MHz | Não Volátil | 4kbit | EEPROM | 512 x 8, 256 x 16 | Micro -onda | 5ms | |||
 | CY7C057V-12AC | 87.9900 | | 308 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 144-LQFP | CY7C057 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 3V ~ 3,6V | 144-TQFP (20x20) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | Volátil | 1.152MBBIT | 12 ns | Sram | 32k x 36 | Paralelo | 12ns | ||||
 | CY7C1318CV18-167BZC | 31.9600 | | 2 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 165 lbga | CY7C1318 | SRAM - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 167 MHz | Volátil | 18Mbit | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | Não Verificado | |||||
 | IS61VF204836B-7.5TQLI-TR | 117.0000 | | 3158 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 100-lqfp | IS61VF204836 | SRAM - Síncrono, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-lqfp (14x20) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Volátil | 72MBIT | 7,5 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | |||
 | CY7C09289V-9AI | 72.2900 | | 296 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bolsa | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 100-lqfp | CY7C09289 | SRAM - PORTA DUPLA, SÍNCRONA | 3V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x14) | download | Rohs Não Compatível | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 67 MHz | Volátil | 1Mbit | 9 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | - | Não Verificado | ||||
 | Nsec00K064-AT | 95.7600 | | 6538 | 0,00000000 | Insignis Technology Corporation | Nsec | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C. | Montagem NA Superfície | 100 lbga | Flash - NAND (MLC) | 3.3V | 100-BGA (14x18) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 1982-NSEC00K064-AT | 98 | 200 MHz | Não Volátil | 512Gbit | Clarão | 64g x 8 | Emmc_5 | - | |||||||
| Gd25b16es2gr | 0,7090 | | 5594 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-SOP | - | 1970-GD25B16es2grtr | 2.000 | Não Volátil | 16MBIT | Clarão | 2m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||||||||||
 | MT55V1MV18PT-10 | 17.3600 | | 282 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 100-lqfp | MT55V1MV | SRAM - Assíncrono, ZBT | 2.375V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volátil | 18Mbit | 5 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||
| 70824L35pfi | - | | 7365 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Última Vez compra | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 80-LQFP | Sram | 4.5V ~ 5,5V | 80-TQFP (14x14) | - | 800-70824L35PFI | 1 | 25 MHz | Volátil | 64kbit | 35 ns | Sram | 4K x 16 | Paralelo | 35ns | ||||||||
| 879505-B21-C | 110.0000 | | 7949 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-879505-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS43TR81024BL-125KBLI | 28.7000 | | 2 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem NA Superfície | 78-TFBGA | IS43TR81024 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 78-TWBGA (10x14) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 706-IS43TR81024BL-125KBLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Volátil | 8gbit | 20 ns | Dram | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | 71V3556SA150BGGI | 11.5397 | | 6280 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 119-BGA | 71V3556 | SRAM - Síncrono, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 150 MHz | Volátil | 4,5Mbbit | 3,8 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||
| CG8415AAT | - | | 8633 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | S-93C46BR0I-J8T1G | 0,3364 | | 3713 | 0,00000000 | Ablic Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | 93C46b | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-SOP | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.000 | 2 MHz | Não Volátil | 1kbit | EEPROM | 64 x 16 | Micro -onda | 8ms | |||||
 | IS42S16800F-7BL-TR | 2.1838 | | 4973 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 54-TFBGA | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 54-TFBGA (8x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32..0002 | 2.500 | 143 MHz | Volátil | 128Mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Paralelo | - | |||
| 8 611 200 794 | - | | 5109 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| 5962-9150810MXA | - | | 6321 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | - | Alcançar Não Afetado | 800-5962-9150810MXA | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||
| M3032316035NX0ITBR | 91.2247 | | 7032 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C. | Montagem NA Superfície | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | MRAM (Ram Magnetoresistiva) | 2.7V ~ 3,6V | 54-TSOP | - | ROHS3 Compatível | 800-M3032316035NX0ITBRTR | 1 | Não Volátil | 32Mbit | 35 ns | Bater | 2m x 16 | Paralelo | 35ns | ||||||||
| S34MS04G200BHI000 | - | | 4600 | 0,00000000 | SkyHigh Memory Limited | - | Bandeja | Descontinuado no sic | S34MS04 | - | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | 2120-S34MS04G200BHI000 | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 210 | Não Verificado | ||||||||||||||||
| M39L0R8090U3ZE6E | - | | 2688 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 133-VFBGA | M39L0R8090 | Flash - NEM, Mobile LPDDR SDRAM | 1.7V ~ 1,95V | 133-VFBGA (8x8) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.560 | Não Volátil, Volátil | 256Mbit, 512Mbit | 70 ns | Flash, Ram | 16m x 16, 32m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | W29N04KZSIBF TR | 6.7961 | | 6314 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 1,95V | 48-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 256-W29N04KZSIBFTR | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.500 | Não Volátil | 4gbit | 25 ns | Clarão | 512m x 8 | Onfi | 35ns, 700µs | |||||
| IS46LQ16128A-062TBLA2 | 11.6916 | | 4969 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem NA Superfície | 200-TFBGA | Sdram - móvel lpddr4 | 1,06V ~ 1,17V, 1,7V ~ 1,95V | 200-TFBGA (10x14.5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16128A-062TBLA2 | 136 | 1.6 GHz | Volátil | 2gbit | 3,5 ns | Dram | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | ||||||
 | AS4C8M32MD2A-25BPCN | 5.5100 | | 2293 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Bandeja | Ativo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem NA Superfície | 168-VFBGA | AS4C8M32 | Sdram - Móvel LPDDR2 | 1,14V ~ 1,3V, 1,7V ~ 1,95V | 168-FBGA (12x12) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1450-AS4C8M32MD2A-25BPCN | Ear99 | 8542.32.0024 | 168 | 400 MHz | Volátil | 256Mbit | 18 ns | Dram | 8m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | 25LC040AT-E/ST | 0,7050 | | 7810 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | 25LC040 | EEPROM | 2,5V ~ 5,5V | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 10 MHz | Não Volátil | 4kbit | EEPROM | 512 x 8 | Spi | 5ms | ||||
| S34ML04G100TFA003 | - | | 9703 | 0,00000000 | SkyHigh Memory Limited | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | S34ML04 | - | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | 2120-S34ML04G100TFA003 | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Verificado | ||||||||||||||||
 | UPD46184362BF1-E40-EQ1-A | 42.0700 | | 467 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT: c | 56.5050 | | 7913 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem NA Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AAT: c | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 64GBIT | 3,5 ns | Dram | 2g x 32 | Paralelo | 18ns | ||||||||
| MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1 | - | | 9406 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem NA Superfície | Morrer | MT29F384G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | Morrer | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1 | Não Volátil | 384Gbit | Clarão | 48g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MT53E1G32D2NP-046 WT: A TR | - | | 7690 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem NA Superfície | 200-WFBGA | MT53E1G32 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 557-MT53E1G32D2NP-046WT: ATR | Obsoleto | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - | - | ||||||
 | MT53D384M32D2DS-053 WT: E TR | - | | 6225 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem NA Superfície | 200-WFBGA | MT53D384 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Volátil | 12 gbit | Dram | 384m x 32 | - | - |
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