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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MR1A16AYS35R | 17.2350 |  | 6299 | 0,00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | MR1A16 | MRAM (Ram Magnetoresistiva) | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP2 | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 819-MR1A16AYS35RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Não Volátil | 2MBIT | 35 ns | Bater | 128k x 16 | Paralelo | 35ns | |||
 | 713981-S21-C | 72.5000 | | 7467 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-713981-S21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS61VF204836B-7.5TQLI-TR | 117.0000 | | 3158 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | IS61VF204836 | SRAM - Síncrono, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-lqfp (14x20) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Volátil | 72MBIT | 7,5 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | |||
| M3032316035NX0ITBR | 91.2247 | | 7032 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C. | Montagem na Superfície | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | MRAM (Ram Magnetoresistiva) | 2.7V ~ 3,6V | 54-TSOP | - | ROHS3 Compatível | 800-M3032316035NX0ITBRTR | 1 | Não Volátil | 32Mbit | 35 ns | Bater | 2m x 16 | Paralelo | 35ns | ||||||||
| S34MS04G200BHI000 | - | | 4600 | 0,00000000 | SkyHigh Memory Limited | - | Bandeja | Descontinuado no sic | S34MS04 | - | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | 2120-S34MS04G200BHI000 | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 210 | Não Verificado | ||||||||||||||||
 | Ft24c02a-udr-b | - | | 5973 | 0,00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | Tubo | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 85 ° C. | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FT24C02 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-DIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | Não Volátil | 2kbit | 550 ns | EEPROM | 256 x 8 | I²C | 5ms | |||
| SM619GEF EGSS | 93.1500 | | 2110 | 0,00000000 | Silicon Motion, Inc. | - | Volume | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1984-SM619GEFEGSS | 1 | |||||||||||||||||||||
 | S70FL01GSAGBHVC13 | 15.2600 | | 1784 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Fl | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | S70FL01 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 24-BGA (8x6) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 128m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||||
| Nsec00K064-AT | 95.7600 | | 6538 | 0,00000000 | Insignis Technology Corporation | Nsec | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C. | Montagem na Superfície | 100 lbga | Flash - NAND (MLC) | 3.3V | 100-BGA (14x18) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 1982-NSEC00K064-AT | 98 | 200 MHz | Não Volátil | 512Gbit | Clarão | 64g x 8 | Emmc_5 | - | |||||||
| Mt29f2t08elleeg7-qd: e | 52.9800 | | 3786 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD: e | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | 70V06S15PF8 | - | | 5001 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64-LQFP | 70V06S | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 3V ~ 3,6V | 64-TQFP (14x14) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | Volátil | 128kbit | 15 ns | Sram | 16k x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
| 879505-B21-C | 110.0000 | | 7949 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-879505-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C1318CV18-167BZC | 31.9600 | | 2 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1318 | SRAM - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 167 MHz | Volátil | 18Mbit | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | Não Verificado | |||||
| Gd25b16es2gr | 0,7090 | | 5594 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 8-SOP | - | 1970-GD25B16es2grtr | 2.000 | Não Volátil | 16MBIT | Clarão | 2m x 8 | Spi - quad e/s | - | ||||||||||
| S99GL256S90DHI020 | - | | 7443 | 0,00000000 | Analog Devices Inc. | - | Volume | Ativo | - | 2156-S99GL256S90DHI020 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| EDFP112A3PB-JD-FD TR | - | | 8830 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | EDFP112 | Sdram - Móvel lpddr3 | 1.14V ~ 1,95V | - | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 933 MHz | Volátil | 24 gbit | Dram | 192m x 128 | Paralelo | - | |||||
| 70824L35pfi | - | | 7365 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Última Vez compra | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 80-LQFP | Sram | 4.5V ~ 5,5V | 80-TQFP (14x14) | - | 800-70824L35PFI | 1 | 25 MHz | Volátil | 64kbit | 35 ns | Sram | 4K x 16 | Paralelo | 35ns | ||||||||
| 5962-9150810MXA | - | | 6321 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | - | Alcançar Não Afetado | 800-5962-9150810MXA | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||
| 44T1599-C | 32.5000 | | 6557 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-44T1599-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT55V1MV18PT-10 | 17.3600 | | 282 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | MT55V1MV | SRAM - Assíncrono, ZBT | 2.375V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volátil | 18Mbit | 5 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||
 | CY7C057V-12AC | 87.9900 | | 308 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 144-LQFP | CY7C057 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 3V ~ 3,6V | 144-TQFP (20x20) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | Volátil | 1.152MBBIT | 12 ns | Sram | 32k x 36 | Paralelo | 12ns | ||||
| S34ML08G201BHI003 | - | | 9922 | 0,00000000 | SkyHigh Memory Limited | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | S34ML08 | - | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | 2120-S34ML08G201BHI003 | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 2.300 | Não Verificado | ||||||||||||||||
 | IS42S32800J-6TLI | 6.4315 | | 2731 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volátil | 256Mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Paralelo | - | |||
 | W25Q128BVEAG | - | | 5067 | 0,00000000 | Electronics Winbond | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | W25Q128 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (8x6) | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W25Q128BVEAG | Obsoleto | 1 | 104 MHz | Não Volátil | 128Mbit | 7 ns | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | 50µs, 3ms | ||||
 | AS4C64M16D2A-25BANTR | 5.3250 | | 9659 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 84-TFBGA | AS4C64 | Sdram - ddr2 | 1.7V ~ 1,9V | 84-FBGA (8x12.5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 400 MHz | Volátil | 1Gbit | 400 ps | Dram | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| A4501464-C | 125.0000 | | 3209 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-A4501464-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Mt29f128g08ebebbwp: b tr | - | | 4575 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F128G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.000 | Não Volátil | 128 gbit | Clarão | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | W29N04GVSIAF TR | 6.5256 | | 9969 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 256-W29N04GVSIAFTR | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.500 | Não Volátil | 4gbit | 25 ns | Clarão | 512m x 8 | Onfi | 25ns, 700µs | |||||
 | 71T75802S100BG | 41.3158 | | 6290 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Última Vez compra | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 119-BGA | 71T75802 | SRAM - Síncrono, SDR (ZBT) | 2.375V ~ 2.625V | 119-PBGA (14x22) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 100 MHz | Volátil | 18Mbit | 5 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||
 | IS43DR82560B-3DBLI | - | | 5894 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 60-TFBGA | IS43DR82560 | Sdram - ddr2 | 1.7V ~ 1,9V | 60-TWBGA (10,5x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Q8667869 | Ear99 | 8542.32.0036 | 100 | 333 MHz | Volátil | 2gbit | 450 ps | Dram | 256m x 8 | Paralelo | 15ns |
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