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MEMÓRIA (10402)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F4T08EQLEEG8-QD: E TR | 105.9600 |  | 4206 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 557-MT29F4T08EQLEEG8-QD: ETR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | MT53B128M32D1DS-062 AAT: A TR | - | | 1216 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | MT53B128 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.6 GHz | Volátil | 4gbit | Dram | 128m x 32 | - | - | |||
 | PC28F512M29EWHA | - | | 6620 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64 lbga | PC28F512 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 64-FBGA (11x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.104 | Não Volátil | 512MBIT | 100 ns | Clarão | 64m x 8, 32m x 16 | Paralelo | 100ns | |||
 | Mt29f2g08abagawp-aat: g tr | 2.7962 | | 4305 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F2G08 | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 557-MT29F2G08ABAGAWP-AAT: GTR | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Volátil | 2gbit | 20 ns | Clarão | 256m x 8 | Paralelo | 20ns | |||
| MT29F4G08ABAFAWP-ites: f | - | | 8486 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F4G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 960 | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53D512M64D8TZ-053 WT ES: B TR | - | | 4008 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D512 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | - | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT53E256M32D2FW-046 AAT: B TR | 15.4950 | | 1410 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | download | 557-MT53E256M32D2FW-046AAT: BTR | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 8gbit | 3,5 ns | Dram | 256m x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| Mt38m5071a3063rzzi.ye8 | - | | 3020 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 133-VFBGA | MT38M5071 | Flash - NEM, PSRAM | 1.7V ~ 1,95V | 133-VFBGA (8x8) | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.564 | 133 MHz | Não Volátil, Volátil | 512Mbit (flash), 512Mbit (RAM) | Flash, Ram | 32m x 16, 32m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | M29W128FL70N6F TR | - | | 3711 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | M29W128 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 56-TSOP | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.200 | Não Volátil | 128Mbit | 70 ns | Clarão | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 | 3.5200 | | 2794 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Morrer | MT29F4G01 | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 1,95V | Morrer | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 1 | Não Volátil | 4gbit | Clarão | 4g x 1 | Spi | - | |||||
| Mt53e384m32d2fw-046 ait: e | 10.7700 | | 2007 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | download | 557-MT53E384M32D2FW-046AIT: e | 1 | |||||||||||||||||||||
| MTFC16GLAM-WT TR | - | | 2272 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | - | Mtfc16g | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | - | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Volátil | 128 gbit | Clarão | 16g x 8 | Mmc | - | |||||
 | MT46H64M32LFMA-5 WT: B TR | - | | 2469 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 168-WFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1,95V | 168-WFBGA (12x12) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volátil | 2gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | Mtfc8gacaens-k1 ait tr | - | | 1461 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 153-TFBGA | Mtfc8 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Volátil | 64GBIT | Clarão | 8g x 8 | Mmc | - | ||||
| MT42L256M32D2LK-25 WT: A TR | - | | 9619 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 216-WFBGA | MT42L256M32 | Sdram - Móvel LPDDR2 | 1.14V ~ 1,3V | 216-FBGA (12x12) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volátil | 8gbit | Dram | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | Mt35xl512aba1g12-0sit tr | - | | 3780 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C. | Montagem na Superfície | 24-TBGA | MT35XL512 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Mt35xl512aba1g12-0sittr | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | BUS XCCELA | - | ||
| MT53E512M32D4NQ-053 RS WT: F TR | - | | 1179 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 557-MT53E512M32D4NQ-053RSWT: FTR | Obsoleto | 2.000 | ||||||||||||||||||||
 | Mt46v32m8cy-5b: m tr | - | | 2246 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 60-TFBGA | MT46V32M8 | Sdram - ddr | 2.5V ~ 2,7V | 60-FBGA (8x12.5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volátil | 256Mbit | 700 ps | Dram | 32m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| Mt29f512g08ebleej4-qj: e | 13.2450 | | 6614 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ: e | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR | - | | 2279 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 162-VFBGA | MT29RZ2B1 | Flash - NAND, DRAM - LPDDR2 | 1.8V | 162-VFBGA (10,5x8) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 533 MHz | Não Volátil, Volátil | 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDDR2) | Flash, Ram | 256m x 8 (NAND), 32M x 32 (LPDDR2) | Paralelo | - | |||
 | Mt29f2t08emhbfj4-t: b tr | - | | 2212 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - NAND (TLC) | 1.7V ~ 1,95V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 557-MT29F2T08EMHBFJ4-T: BTR | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Volátil | 2tbit | Clarão | 256g x 8 | Paralelo | - | |||
| N25Q016A11EV7A0 | - | | 3506 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | - | - | N25Q016A11 | Flash - NEM | 1.7V ~ 2V | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | Não Volátil | 16MBIT | Clarão | 2m x 8 | Spi | 8ms, 1ms | ||||
 | MTFC32GAPALNA-AAT | 34.6800 | | 760 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Bandeja | Última Vez compra | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-TBGA | MTFC32G | Flash - NAND | - | 100-TBGA (14x18) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 980 | Não Volátil | 256 gbit | Clarão | 32g x 8 | Mmc | - | ||||
| Mt62f768m64d4zu-026 wt: b | 27.9300 | | 6515 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | -25 ° C ~ 85 ° C. | - | - | MT62F768 | Sdram - móvel lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4ZU-026WT: b | 1 | 3.2 GHz | Volátil | 48Gbit | Dram | 768m x 64 | Paralelo | - | |||||||
 | MT46H32M16LFBF-5 IT: B TR | - | | 7569 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1,95V | 60-VFBGA (8x9) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Volátil | 512MBIT | 5 ns | Dram | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | M29W160EB70N6 | - | | 7309 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | M29W160 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Não Volátil | 16MBIT | 70 ns | Clarão | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MT53D512M16D1DS-046 IT: D TR | 8.5200 | | 4756 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C. | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr4 | 1,06V ~ 1,17V | 200-WFBGA (10x14.5) | download | 557-MT53D512M16D1DS-046IT: DTR | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 8gbit | Dram | 512m x 16 | Paralelo | - | ||||||||
| Mt29f2t08elleeg7-qd: e | 52.9800 | | 3786 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD: e | 1 | |||||||||||||||||||||
| EDFP112A3PB-JD-FD TR | - | | 8830 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | EDFP112 | Sdram - Móvel lpddr3 | 1.14V ~ 1,95V | - | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 933 MHz | Volátil | 24 gbit | Dram | 192m x 128 | Paralelo | - | ||||
 | MT55V1MV18PT-10 | 17.3600 | | 282 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | MT55V1MV | SRAM - Assíncrono, ZBT | 2.375V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volátil | 18Mbit | 5 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - |
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