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Memória(10402)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F1T08CUCBH8-6ITR:B | - |  | 8973 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 152-LBGA | MT29F1T08 | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-LBGA (14x18) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Não volátil | 1Tbit | CLARÃO | 128G x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT62F1G32D4DS-031 AAT:B TR | 32.5650 | | 3030 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C | Montagem em superfície | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR5 móvel | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT:BTR | 2.000 | 3,2 GHz | Volátil | 32 Gbits | DRAM | 1G x 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT57W1MH18BF-7.5 | 23.0000 | | 1 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 165-TBGA | SRAM - Sincrona, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 18Mbps | 500 CV | SRAM | 1M x 18 | HSTL | - | |||
| MT62F1G64D8EK-031 AUT:B | 71.3850 | | 9767 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Caixa | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 441-TFBGA | SDRAM-LPDDR5 móvel | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AUT:B | 1 | 3,2 GHz | Volátil | 64 Gbits | DRAM | 1G x 64 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT53E2G32D4DT-046 WT ES:A TR | 96.1650 | | 1726 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1V | - | REACH não afetado | 557-MT53E2G32D4DT-046WTES:ATR | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 64 Gbits | DRAM | 2G x 32 | - | - | |||||||||
 | MT29F8G01ADBFD12-ITES:F | - | | 9166 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 24-TBGA | MT29F8G01 | FLASH NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | Não volátil | 8 Gbits | CLARÃO | 8G x 1 | IPS | - | ||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-R:E TR | 42.9300 | | 4484 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 0°C ~ 70°C | Montagem em superfície | 132-VBGA | FLASH NAND (TLC) | 2,6 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-R:ETR | 2.000 | Não volátil | 2Tbit | CLARÃO | 256G x 8 | Paralelo | - | |||||||||
 | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR | - | | 3683 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montagem em superfície | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 32 Gbits | DRAM | 1G x 32 | - | - | ||||
 | N25Q256A13ESF40F TR | - | | 7788 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | N25Q256A13 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 108 MHz | Não volátil | 256Mbps | CLARÃO | 64M x 4 | IPS | 8ms, 5ms | |||
 | M29W200BB70N6 | - | | 1616 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | M29W200 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Não volátil | 2Mbit | 70 ns | CLARÃO | 256K x 8, 128K x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MT62F1G64D4EK-023 FAAT:B | 63.8550 | | 6443 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Caixa | Ativo | - | Montagem em superfície | 441-TFBGA | SDRAM-LPDDR5 móvel | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT:B | 1 | 4.266 GHz | Volátil | 64 Gbits | DRAM | 1G x 64 | Paralelo | - | ||||||||
| MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR | - | | 6517 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1V | - | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6 GHz | Volátil | 24GB | DRAM | 384M x 64 | - | - | |||
 | MTFC32GJWEF-4M AIT Z | - | | 3086 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | e•MMC™ | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 169-TFBGA | MTFC32G | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-TFBGA (14x18) | - | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Não volátil | 256 GB | CLARÃO | 32G x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C | - | | 5203 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-VBGA | MT29F32G08 | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-VBGA (12x18) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 83 MHz | Não volátil | 32 Gbits | CLARÃO | 4G x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT | - | | 2585 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Caixa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | - | - | MT29C4G96 | FLASH - NAND, LPDRAM móvel | 1,7 V ~ 1,95 V | - | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Não Volátil, Volátil | 4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 256M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
| MT60B2G8HS-48B AAT:A | 31.3050 | | 3478 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Caixa | Ativo | -40°C ~ 105°C | - | - | SDRAM-DDR5 | - | - | - | 557-MT60B2G8HS-48BAAT:A | 1 | 2,4 GHz | Volátil | 16 Gbits | DRAM | 2G x 8 | Paralelo | - | ||||||||
| MT58L1MY18DF-7.5 | 18.9400 | | 211 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | SINCURST® | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 165-TBGA | SRAM - Padrão | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-FBGA (13x15) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 18Mbps | 4,2ns | SRAM | 1M x 18 | Paralelo | - | |||
| MTFC16GLTDV-WT TR | - | | 8913 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | e•MMC™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | - | MTFC16G | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Não volátil | 128 GB | CLARÃO | 16G x 8 | MMC | - | |||||
 | MT29F512G08CUCABH3-12:A | - | | 1171 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LBGA | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LBGA (12x18) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Não volátil | 512 GB | CLARÃO | 64G x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT47H64M8CF-25E L:G TR | - | | 6018 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volátil | 512Mbps | 400 CV | DRAM | 64M x 8 | Paralelo | 15s | |||
 | NAND512W3A2CN6E | - | | 5620 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | NAND512 | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | -NAND512W3A2CN6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Não volátil | 512Mbps | 50 ns | CLARÃO | 64M x 8 | Paralelo | 50ns | ||
 | MT29E256G08CECCBH6-6:C TR | - | | 9790 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 152-VBGA | MT29E256G08 | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-VBGA (14x18) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 167 MHz | Não volátil | 256 GB | CLARÃO | 32G x 8 | Paralelo | - | |||
| MT28F800B3WP-9T | - | | 9938 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | MT28F800B3 | FLASH - NEM | 3V~3,6V | 48-TSOP I | download | Compatível com ROHS3 | 2 (1 ano) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Não volátil | 8Mbit | 90 ns | CLARÃO | 1M x 8, 512K x 16 | Paralelo | 90ns | |||
 | M29W256GSL70ZS6E | - | | 9514 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 64-LBGA | M29W256 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (11x13) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | -M29W256GSL70ZS6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Não volátil | 256Mbps | 70 ns | CLARÃO | 32M x 8, 16M x 16 | Paralelo | 70ns | ||
 | MTFC8GAMALBH-AIT TR | 10.1550 | | 3894 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | e•MMC™ | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 153-TFBGA | MTFC8 | FLASH NAND | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Não volátil | 64 Gbits | CLARÃO | 8G x 8 | MMC | - | ||||
| N25Q128A13ESFH0E | - | | 1685 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | N25Q128A13 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108 MHz | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 32M x 4 | IPS | 8ms, 5ms | |||
| M29W640GB7AN6E | - | | 4234 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | M29W640 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Não volátil | 64Mbps | 70 ns | CLARÃO | 8M x 8, 4M x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MTFC64GAPALBH-AAT ES | - | | 6827 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | e•MMC™ | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 153-TFBGA | MTFC64 | FLASH NAND | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | Não volátil | 512 GB | CLARÃO | 64G x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR | - | | 1589 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 132-VBGA | MT29E768G08 | FLASH NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Não volátil | 768 GB | CLARÃO | 96G x 8 | Paralelo | - | |||
| MT35XU02GCBA2G12-0AAT | 42.6500 | | 1 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Xccela™ - MT35X | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C | Montagem em superfície | 24-TBGA | MT35XU02 | FLASH - NEM | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 200 MHz | Não volátil | 2 Gbits | CLARÃO | 256M x 8 | Ônibus Xccela | - |
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