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Memória(10402)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53B256M32D1GZ-062 WT:B | - |  | 1302 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1 V | 200-WFBGA (11x14,5) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 1,6 GHz | Volátil | 8 Gbits | DRAM | 256M x 32 | - | - | ||||
 | MT25QU512ABB8ESF-0SIT | - | | 3017 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | MT25QU512 | FLASH - NEM | 1,7 V ~ 2 V | 16-SO | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | Não volátil | 512Mbps | CLARÃO | 64M x 8 | IPS | 8ms, 2,8ms | |||
 | MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | 14.7000 | | 5366 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Caixa | Ativo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 200-TFBGA | SDRAM - LPDDR4X móvel | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046AIT:B | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 16 Gbits | 3,5ns | DRAM | 512M x 32 | Paralelo | 18 anos | |||||||
 | MT48H16M32LFCM-75:B TR | - | | 3073 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR móvel | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (10x13) | download | Compatível com ROHS3 | 2 (1 ano) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volátil | 512Mbps | 5,4ns | DRAM | 16M x 32 | Paralelo | 15s | ||
 | MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F | 5.3900 | | 564 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | MT29F4G08 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 557-MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Não volátil | 4 Gbits | CLARÃO | 512M x 8 | Paralelo | - | |||
| MT53E4D1BHJ-DC | 22.5000 | | 8794 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Volume | Ativo | MT53E4 | - | REACH não afetado | 557-MT53E4D1BHJ-DC | 1.360 | |||||||||||||||||||
| M29DW323DB5AN6FTR | - | | 6350 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | M29DW323 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | Não volátil | 256Mbps | 55 ns | CLARÃO | 16M x 16 | Paralelo | 55ns | |||
| MT35XU256ABA1G12-0AAT TR | - | | 9397 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Xccela™ - MT35X | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C | Montagem em superfície | 24-TBGA | MT35XU256 | FLASH - NEM | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | Não volátil | 256Mbps | CLARÃO | 32M x 8 | Ônibus Xccela | - | |||
 | N25Q128A23BF840F TR | - | | 5095 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-VDFN | N25Q128A23 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 16M x 8 | IPS | 8ms, 5ms | |||
 | MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR | 13.5900 | | 1483 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C (TC) | Montagem em superfície | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | MT53E384M32D2DS-046AUT:ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 12 Gbits | DRAM | 384M x 32 | - | - | ||
 | MT58L128L32P1T-7.5CTR | 4.7500 | | 3 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | SINCURST® | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | SRAM - Padrão | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | download | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volátil | 4Mbit | 4 ns | SRAM | 128K x 32 | Paralelo | - | |||
 | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G | - | | 3953 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 162-VFBGA | MT29RZ2B1 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | 1,8 V | 162-VFBGA (10,5x8) | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 533 MHz | Não Volátil, Volátil | 2 Gbit (NAND), 1 Gbit (LPDDR2) | FLASH, RAM | 256M x 8 (NAND), 32M x 32 (LPDDR2) | Paralelo | - | ||||
| MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR | - | | 1938 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | |||||||||||||||||
| MT29F512G08CKCABK7-6:A TR | - | | 8439 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Não volátil | 512 GB | CLARÃO | 64G x 8 | Paralelo | - | |||
| MT46H64M32LFCX-5 IT:B | - | | 3402 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR móvel | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volátil | 2 Gbits | 5 ns | DRAM | 64M x 32 | Paralelo | 15s | |||
| MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F | 2.9984 | | 8103 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | MT29F1G08 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 557-MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F | 8542.32.0071 | 96 | Não volátil | 1 Gbit | 20 ns | CLARÃO | 128M x 8 | Paralelo | 20 segundos | |||
| N25Q128A31EF840E | - | | 8034 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-VDFN | N25Q128A31 | FLASH - NEM | 1,7 V ~ 2 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.920 | 108 MHz | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 32M x 4 | IPS | 8ms, 5ms | ||||
| MT29F256G08EFEBBWP:B | - | | 6333 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | MT29F256G08 | FLASH NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | Não volátil | 256 GB | CLARÃO | 32G x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR | - | | 5490 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | MT29VZZZAD8 | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
| MT53D4DGSB-DC TR | - | | 9034 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | MT53D4 | - | REACH não afetado | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||||
 | EDB8132B4PM-1DAT-FD | - | | 3667 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montagem em superfície | 168-WFBGA | EDB8132 | SDRAM - LPDDR2 móvel | 1,14 V ~ 1,95 V | 168-FBGA (12x12) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.008 | 533 MHz | Volátil | 8 Gbits | DRAM | 256M x 32 | Paralelo | - | |||
| N25W128A11EF740F TR | - | | 4635 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-VDFN | N25W128 | FLASH - NEM | 1,7 V ~ 2 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 32M x 4 | IPS | - | ||||
 | MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:UM TR | - | | 6778 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | - | MT29F256G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-TBGA (12x18) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Não volátil | 256 GB | CLARÃO | 32G x 8 | Paralelo | - | ||||
| N25Q256A13ESF40G | - | | 1954 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | N25Q256A13 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 557-1575-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 108 MHz | Não volátil | 256Mbps | CLARÃO | 64M x 4 | IPS | 8ms, 5ms | ||
| MT29F4T08GMLCEJ4:C | 78.1500 | | 4679 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Caixa | Ativo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4:C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR | - | | 9918 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 137-TFBGA | MT29C1G12 | FLASH - NAND, LPDRAM móvel | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-TFBGA (10,5x13) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Não Volátil, Volátil | 1 Gbit (NAND), 1 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 128M x 8 (NAND), 32M x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||
| MT46H16M32LFCG-6 IT:B | - | | 2370 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 152-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - LPDDR móvel | 1,7 V ~ 1,95 V | 152-VFBGA (14x14) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Volátil | 512Mbps | 5 ns | DRAM | 16M x 32 | Paralelo | 15s | ||
| MT62F768M64D4EK-023 AIT:B | 43.5300 | | 3414 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Caixa | Ativo | - | Montagem em superfície | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM-LPDDR5 móvel | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023AIT:B | 1 | 4.266 GHz | Volátil | 48 Gbits | DRAM | 768M x 64 | Paralelo | - | |||||||
 | MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR | - | | 3805 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -30°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Volátil | 32 Gbits | DRAM | 1G x 32 | - | - | ||||
 | MT41K1G4DA-107:PTR | - | | 6532 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | MT41K1G4DA-107:PTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volátil | 4 Gbits | 20 ns | DRAM | 1G x 4 | Paralelo | - |
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