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MEMÓRIA (10402)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mt29f2t08elleeg7-qd: e | 52.9800 |  | 3786 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD: e | 1 | |||||||||||||||||||||
| EDFP112A3PB-JD-FD TR | - | | 8830 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | EDFP112 | Sdram - Móvel lpddr3 | 1.14V ~ 1,95V | - | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 933 MHz | Volátil | 24 gbit | Dram | 192m x 128 | Paralelo | - | ||||
 | MT55V1MV18PT-10 | 17.3600 | | 282 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | MT55V1MV | SRAM - Assíncrono, ZBT | 2.375V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volátil | 18Mbit | 5 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | ||
| MT61K512M32KPA-24: U TR | 33.4650 | | 8915 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 180-TFBGA | Sgram - gddr6 | 1.3095V ~ 1.3905V | 180-FBGA (12x14) | - | 557-MT61K512M32KPA-24: UTR | 2.000 | 12 GHz | Volátil | 16gbit | Dram | 512m x 32 | Pod_135 | - | ||||||||
 | MT47H64M8JN-25E: g | - | | 2160 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 60-TFBGA | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1.7V ~ 1,9V | 60-FBGA (8x10) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Volátil | 512MBIT | 400 ps | Dram | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| MT55L512Y36FT-11 | 18.6700 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | SRAM - ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volátil | 18Mbit | 8,5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT: C tr | 31.9350 | | 2943 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C. | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: Ctr | 2.000 | 3.2 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| Mt29f1t08eeej4-qa: e tr | 26.4750 | | 8139 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 557-MT29F1T08EEEJ4-QA: ETR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT: c | 82.1100 | | 9147 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT: c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MTFC4GLGDQ-AAIT A. | 9.2611 | | 7047 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Última Vez compra | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100 lbga | Mtfc4 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 100 lbga (14x18) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | MTFC4GLGDQ-AITA | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1 | Não Volátil | 32Gbit | Clarão | 4g x 8 | Mmc | - | |||
| MT40A512M8SA-062E: F tr | 8.3250 | | 7717 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1.14V ~ 1,26V | 78-FBGA (7,5x11) | download | 557-MT40A512M8SA-062E: FTR | 2.000 | 1.6 GHz | Volátil | 4gbit | 19 ns | Dram | 512m x 8 | Pod | 15ns | |||||||
| MT53E1G16D1Z42NWC1 | 18.5900 | | 4472 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | - | 557-MT53E1G16D1Z42NWC1 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT28EW512ABA1LPN-0SIT | - | | 4436 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-VFBGA | MT28EW512 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 56-VFBGA (7x9) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.560 | Não Volátil | 512MBIT | 95 ns | Clarão | 64m x 8, 32m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES: D. | - | | 2010 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-VFBGA | MT53D1024 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - | - | ||||
 | MT53E384M32D2DS-046 WT: E TR | - | | 5803 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | MT53E384 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | MT53E384M32D2DS-046WT: ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 12 gbit | Dram | 384m x 32 | - | - | |||
 | M25P16-VMN3YPB | - | | 4965 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | M25P16 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 280 | 75 MHz | Não Volátil | 16MBIT | Clarão | 2m x 8 | Spi | 15ms, 5ms | |||
 | MT53E256M32D1KS-046 AAT: l | 9.2705 | | 6022 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | Montagem na Superfície | 200-VFBGA | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Alcançar Não Afetado | 557-MT53E256M32D1KS-046AAT: l | 1 | |||||||||||||||||
| MT47H128M4CF-25E: g | - | | 1015 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 60-TFBGA | MT47H128M4 | Sdram - ddr2 | 1.7V ~ 1,9V | 60-FBGA (8x10) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Volátil | 512MBIT | 400 ps | Dram | 128m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
| MTFC64GBCAQTC-AAT ES TR | 29.4000 | | 7673 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 557-MTFC64GBCAQTC-AATEST | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | N25Q128A11EF840E | - | | 6016 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 8-VDFN | N25Q128A11 | Flash - NEM | 1.7V ~ 2V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 557-1559 | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.920 | 108 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 32m x 4 | Spi | 8ms, 5ms | ||
| MT53B768M32D4NQ-062 AIT: B TR | - | | 9970 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-VFBGA | MT53B768 | Sdram - móvel lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.6 GHz | Volátil | 24 gbit | Dram | 768m x 32 | - | - | |||
 | Mt29f2g01abagdsf-it: g tr | - | | 4528 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | MT29F2G01 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 16-SO | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Volátil | 2gbit | Clarão | 2g x 1 | Spi | - | ||||
| PF48F4000P0ZTQE3 | - | | 6201 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | AXCELL ™ | Bandeja | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 88-VFBGA, CSPBGA | 48F4000P0 | Flash - NEM | 1.7V ~ 2V | 88-SCSP (8x11) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0051 | 176 | 52 MHz | Não Volátil | 256Mbit | 100 ns | Clarão | 16m x 16 | Paralelo | 100ns | ||
| Mt29f2t08elchd4-qa: c tr | 41.9550 | | 3226 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 557-MT29F2T08ELCHD4-QA: CTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | Mt46v64m8bn-6 l: f tr tr | - | | 6285 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 60-TFBGA | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2.3V ~ 2,7V | 60-FBGA (10x12.5) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Volátil | 512MBIT | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MTFC64GAXAUEA-WT TR | 7.2600 | | 3248 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -25 ° C ~ 85 ° C. | - | - | Flash - NAND (SLC) | - | - | - | 557-MTFC64GAXAUEA-WTTR | 2.000 | Não Volátil | 512Gbit | Clarão | 64g x 8 | Ufs2.2 | - | |||||||||
| MTFC4GLGDQ-AAIT Z. | - | | 9244 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100 lbga | Mtfc4 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 100 lbga (14x18) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Mtfc4glgdq-aaitz | Obsoleto | 980 | Não Volátil | 32Gbit | Clarão | 4g x 8 | Mmc | - | |||||
| MTFC64GAXAUEA-WT | 7.5024 | | 3517 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | -25 ° C ~ 85 ° C. | Montagem na Superfície | 153-VFBGA | Flash - NAND (SLC) | - | 153-VFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC64GAXAUEA-WT | 1 | Não Volátil | 512Gbit | Clarão | 64g x 8 | Ufs2.2 | - | |||||||||
| Mtfc64gasaons-it tr | 34.2750 | | 5351 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 153-TFBGA | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC64GASAONS-ITTR | 2.000 | 52 MHz | Não Volátil | 512Gbit | Clarão | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT62F2G32D4DS-026 WT: B TR | 45.6900 | | 8742 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -25 ° C ~ 85 ° C. | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-026WT: BTR | 2.000 | 3.2 GHz | Volátil | 64GBIT | Dram | 2g x 32 | Paralelo | - |
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