SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Tensão - Supimento Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Frequencia do Relógio Tipo de Memória TAMANHO DA MEMÓRIA Tempo de Aceso Formato de Memória Organização de Memória Interface de Memória Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AAT: A TR -
RFQ
ECAD 1216 0,00000000 Micron Technology Inc. Automotivo, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montagem na Superfície 200-WFBGA MT53B128 Sdram - móvel lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0036 2.000 1.6 GHz Volátil 4gbit Dram 128m x 32 - -
MT38M5041A3034EZZI.XR6 Micron Technology Inc. Mt38m5041a3034ezzi.xr6 -
RFQ
ECAD 4105 0,00000000 Micron Technology Inc. - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 56-VFBGA MT38M5041 Flash - NEM, PSRAM 1.7V ~ 1,95V 56-VFBGA (8x8) - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 1.560 133 MHz Não Volátil, Volátil 512Mbit (flash), 128Mbbit (RAM) Flash, Ram 32m x 16, 8m x 16 Paralelo -
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR Micron Technology Inc. Mt29e6t08ethbbm5-3es: b tr -
RFQ
ECAD 5779 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E6T08 Flash - NAND 2,5V ~ 3,6V - - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 1.000 333 MHz Não Volátil 6tbit Clarão 768g x 8 Paralelo -
MTFC8GAMALBH-AAT ES TR Micron Technology Inc. Mtfc8gamalbh-aat es tr -
RFQ
ECAD 6870 0,00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montagem na Superfície 153-TFBGA Mtfc8 Flash - NAND - 153-TFBGA (11,5x13) - 1 (ilimito) 3A991B1a 8542.32.0071 1.000 Não Volátil 64GBIT Clarão 8g x 8 Mmc -
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L Micron Technology Inc. Mt29f1g08abaeam68m3wc1l 2.8800
RFQ
ECAD 3986 0,00000000 Micron Technology Inc. - Volume Ativo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montagem na Superfície Morrer MT29F1G08 Flash - NAND (SLC) 2.7V ~ 3,6V Morrer - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 557-MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L 1 Não Volátil 1Gbit Clarão 128m x 8 - -
M29W640GB70ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GB70ZA6E -
RFQ
ECAD 2417 0,00000000 Micron Technology Inc. - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 48-TFBGA M29W640 Flash - NEM 2.7V ~ 3,6V 48-TFBGA (6x8) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado -M29W640GB70ZA6E 3A991B1a 8542.32.0071 187 Não Volátil 64MBIT 70 ns Clarão 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
PC48F4400P0VB02F TR Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB02F TR -
RFQ
ECAD 6250 0,00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montagem na Superfície 64 lbga PC48F4400 Flash - NEM 1.7V ~ 2V 64-Easybga (10x13) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) 3A991B1a 8542.32.0071 2.000 52 MHz Não Volátil 512MBIT 85 ns Clarão 32m x 16 Paralelo 85ns
M29W040B70N6E Micron Technology Inc. M29W040B70N6E -
RFQ
ECAD 3998 0,00000000 Micron Technology Inc. - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) M29W040 Flash - NEM 2.7V ~ 3,6V 32-TSOP - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 156 Não Volátil 4MBIT 70 ns Clarão 512k x 8 Paralelo 70ns
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AIT: b -
RFQ
ECAD 2066 0,00000000 Micron Technology Inc. Automotivo, AEC-Q100 Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montagem na Superfície 200-WFBGA MT53B384 Sdram - móvel lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volátil 12 gbit Dram 384m x 32 - -
MT29F128G08AEEBBH6-12:B Micron Technology Inc. MT29F128G08AEEBBH6-12: b -
RFQ
ECAD 4049 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montagem na Superfície 152-VBGA MT29F128G08 Flash - NAND 2.7V ~ 3,6V 152-VBGA (14x18) - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Obsoleto 0000.00.0000 1.120 83 MHz Não Volátil 128 gbit Clarão 16g x 8 Paralelo -
M29W200BB70N6 Micron Technology Inc. M29W200BB70N6 -
RFQ
ECAD 1616 0,00000000 Micron Technology Inc. - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) M29W200 Flash - NEM 2.7V ~ 3,6V 48-TSOP - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0071 96 Não Volátil 2MBIT 70 ns Clarão 256k x 8, 128k x 16 Paralelo 70ns
MT46H16M16LFBF-6 AT:H Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6 EM: H. -
RFQ
ECAD 2860 0,00000000 Micron Technology Inc. - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montagem na Superfície 60-VFBGA MT46H16M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1,95V 60-VFBGA (8x9) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0024 1.000 166 MHz Volátil 256Mbit 5 ns Dram 16m x 16 Paralelo 12ns
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR Micron Technology Inc. Mt29f1t08cuccbh8-6itr: c tr -
RFQ
ECAD 8418 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 152 lbga MT29F1T08 Flash - NAND 2.7V ~ 3,6V 152-lbga (14x18) - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Mt29f1t08cuccbh8-6itr: ctr 3A991B1a 8542.32.0071 1.000 167 MHz Não Volátil 1TBIT Clarão 128g x 8 Paralelo -
MT53E1G32D4NQ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D4NQ-046 WT: E TR -
RFQ
ECAD 6086 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E1G32 Sdram - móvel lpddr4 1.1V - Obsoleto 0000.00.0000 2.000 2.133 GHz Volátil 32Gbit Dram 1g x 32 - -
MTFC32GLUDM-WT Micron Technology Inc. MTFC32GLUDM-WT -
RFQ
ECAD 5751 0,00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Volume Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície - MTFC32G Flash - NAND 2.7V ~ 3,6V - - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) 3A991B1a 8542.32.0071 1.000 Não Volátil 256 gbit Clarão 32g x 8 Mmc -
EDFB232A1MA-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFB232A1MA-GD-FD -
RFQ
ECAD 8640 0,00000000 Micron Technology Inc. - Bandeja Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - EDFB232 Sdram - Móvel lpddr3 1.14V ~ 1,95V - - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.680 800 MHz Volátil 32Gbit Dram 1g x 32 Paralelo -
MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES: D TR -
RFQ
ECAD 3805 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montagem na Superfície 200-VFBGA MT53D1024 Sdram - móvel lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0036 2.000 1.6 GHz Volátil 32Gbit Dram 1g x 32 - -
MT41J128M8DA-093:J Micron Technology Inc. MT41J128M8DA-093: J. -
RFQ
ECAD 3076 0,00000000 Micron Technology Inc. - Bandeja Obsoleto MT41J128M8 - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 100
MT46V32M16P-5B:J TR Micron Technology Inc. Mt46v32m16p-5b: j tr 6.4700
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montagem na Superfície 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) MT46V32M16 Sdram - ddr 2.5V ~ 2,7V 66-TSOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0036 2.000 200 MHz Volátil 512MBIT 700 ps Dram 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29F8T08GULCEM4:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4: C tr 156.3000
RFQ
ECAD 2767 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo - 557-MT29F8T08GULCEM4: Ctr 2.000
MT29F1T08EELEEJ4-QJ:E TR Micron Technology Inc. Mt29f1t08eeej4-qj: e tr 26.4750
RFQ
ECAD 8581 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo - 557-MT29F1T08EELEEJ4-QJ: ETR 2.000
N25Q032A11EF440F TR Micron Technology Inc. N25Q032A11EF440F TR -
RFQ
ECAD 8556 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 8-AUDFN PAD EXPOSTO N25Q032A11 Flash - NEM 1.7V ~ 2V 8-updfn (4x3) (MLP8) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Obsoleto 0000.00.0000 4.000 108 MHz Não Volátil 32Mbit Clarão 8m x 4 Spi 8ms, 5ms
M58LT256KST8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT256KST8ZA6F TR -
RFQ
ECAD 7509 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 64-TBGA M58LT256 Flash - NEM 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x13) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) 3A991B1a 8542.32.0071 2.500 52 MHz Não Volátil 256Mbit 85 ns Clarão 16m x 16 Paralelo 85ns
MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-AAT: C tr 36.7600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montagem na Superfície 100-VBGA MT29F16G08 Flash - NAND (SLC) 2.7V ~ 3,6V 100-VBGA (12x18) - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 2.000 Não Volátil 16gbit 20 ns Clarão 2g x 8 Onfi 20ns
PC28F512P33BFD Micron Technology Inc. Pc28f512p33bfd -
RFQ
ECAD 8900 0,00000000 Micron Technology Inc. AXCELL ™ Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 64-TBGA PC28F512 Flash - NEM 2.3V ~ 3,6V 64-Easybga (8x10) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado 3A991B1a 8542.32.0071 1.800 52 MHz Não Volátil 512MBIT 95 ns Clarão 32m x 16 Paralelo 95ns
MT62F3G32D8DV-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 IT: b 74.6400
RFQ
ECAD 2741 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo -40 ° C ~ 95 ° C. - - Sdram - móvel lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023IT: b 1 4.266 GHz Volátil 96Gbit Dram 3g x 32 Paralelo -
MT29F2T08EELCHD4-M:C Micron Technology Inc. Mt29f2t08elchd4-m: c 41.9550
RFQ
ECAD 3409 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo - 557-MT29F2T08ELCHD4-M: c 1
MT48LC16M8A2P-6A IT:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-6A It: l -
RFQ
ECAD 4167 0,00000000 Micron Technology Inc. - Bandeja Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) MT48LC16M8A2 Sdram 3V ~ 3,6V 54-TSOP II download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32..0002 1.000 167 MHz Volátil 128Mbit 5.4 ns Dram 16m x 8 Paralelo 12ns
MT47H512M8WTR-3:C Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-3: c -
RFQ
ECAD 4970 0,00000000 Micron Technology Inc. - Bandeja Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montagem na Superfície 63-TFBGA MT47H512M8 Sdram - ddr2 1.7V ~ 1,9V 63-FBGA (9x11.5) - ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8542.32.0036 1.000 333 MHz Volátil 4gbit 450 ps Dram 512m x 8 Paralelo 15ns
MTC10C1084S1EC48BAZ Micron Technology Inc. MTC10C1084S1EC48BAZ 171.6000
RFQ
ECAD 4467 0,00000000 Micron Technology Inc. - CAIXA Ativo - 557-MTC10C1084S1EC48BAZ 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque