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Memória(10402)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página | SIC programável |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F1G32D2DS-023 AIT:C | 29.0250 |  | 8414 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Caixa | Ativo | - | Montagem em superfície | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR5 móvel | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AIT:C | 1 | 4.266 GHz | Volátil | 32 Gbits | DRAM | 1G x 32 | Paralelo | - | |||||||||
 | MT45W4MW16BCGB-701 WT TR | - | | 4987 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 64Mbps | 70 ns | PSRAM | 4M x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| MT40A16G4WPF-062H:B TR | 194.0100 | | 5362 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 0°C ~ 95°C (TC) | MT40A16G4 | SDRAM-DDR4 | - | - | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 557-MT40A16G4WPF-062H:BTR | 8542.32.0071 | 3.000 | 1,6 GHz | Volátil | 64 Gbits | DRAM | 16G x 4 | - | - | ||||||||
 | MT28EW512ABA1HPC-1SIT | - | | 2614 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 64-LBGA | MT28EW512 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 557-1788 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.104 | Não volátil | 512Mbps | 95 ns | CLARÃO | 64M x 8, 32M x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| MT41J512M4HX-125:D | - | | 4823 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 78-TFBGA | MT41J512M4 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-FBGA (9x11,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Volátil | 2 Gbits | 13,75ns | DRAM | 512M x 4 | Paralelo | - | |||
 | MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F | - | | 1186 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Não volátil | 4 Gbits | CLARÃO | 512M x 8 | Paralelo | - | |||||
 | PC28F640J3F75B | 4.6700 | | 3 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 64-TBGA | PC28F640 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (10x13) | download | Compatível com ROHS3 | 2832-PC28F640J3F75B-TR | EAR99 | 8542.32.0051 | 108 | Não volátil | 64Mbps | 75ns | CLARÃO | 4M x 16, 8M x 8 | Paralelo | 75ns | Não selecionado | ||||
| MT29F4G01ABBFD12-AUT:F | 4.2603 | | 6955 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Caixa | Ativo | - | 557-MT29F4G01ABBFD12-AUT:F | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y | - | | 8595 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Caixa | Obsoleto | Montagem em superfície | MT29VZZZ7 | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.520 | ||||||||||||||||||
| EDW2032BBBG-6A-FR TR | - | | 4398 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 170-TFBGA | EDW2032 | SGRAM-GDDR5 | 1,31 V ~ 1,65 V | 170-FBGA (12x14) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,5 GHz | Volátil | 2 Gbits | BATER | 64M x 32 | Paralelo | - | |||||
| MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C TR | - | | 9887 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1 V | - | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 1.866 GHz | Volátil | 32 Gbits | DRAM | 512M x 64 | - | - | |||||
| MT62F1536M64D8EK-023 WT:B TR | 67.8450 | | 6633 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -25°C ~ 85°C | Montagem em superfície | 441-TFBGA | SDRAM-LPDDR5 móvel | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023WT:BTR | 1.500 | 4.266 GHz | Volátil | 96 GB | DRAM | 1,5G x 64 | Paralelo | - | |||||||||
 | MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C | - | | 8779 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 100-VBGA | MT29F64G08 | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-VBGA (12x18) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Não volátil | 64 Gbits | CLARÃO | 8G x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT52L256M64D2QB-125XT:BTR | - | | 5570 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | MT52L256 | SDRAM - LPDDR3 móvel | 1,2V | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | MT52L256M64D2QB-125XT:BTR | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 800 MHz | Volátil | 16 Gbits | DRAM | 256M x 64 | - | - | |||||||
 | MTFC4GACAJCN-4M IT TR | - | | 7863 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | e•MMC™ | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 153-VFBGA | MTFC4 | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | MTFC4GACAJCN-4MITTR | OBSOLETO | 8542.32.0071 | 1.000 | Não volátil | 32 Gbits | CLARÃO | 4G x 8 | MMC | - | |||||
| EDW2032BBBG-50-FD | - | | 9268 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 170-TFBGA | EDW2032 | SGRAM-GDDR5 | 1,31 V ~ 1,65 V | 170-FBGA (12x14) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 1,25 GHz | Volátil | 2 Gbits | BATER | 64M x 32 | Paralelo | - | |||||
 | MT29F4G08ABAEAWP-IT:E | - | | 1255 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | MT29F4G08 | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Não volátil | 4 Gbits | CLARÃO | 512M x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MT58L512L18PS-6 | - | | 9880 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | SINCURST® | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | MT58L512L18 | SRAM - Sincrona | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volátil | 8Mbit | 3,5ns | SRAM | 512K x 18 | Paralelo | - | |||
| ECF440AACCN-V6-Y3 | - | | 3688 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Volume | Ativo | ECF440 | - | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | M25P128-VME6GB | - | | 6983 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-VDFN | M25P128 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 54 MHz | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 16M x 8 | IPS | 15ms, 5ms | ||||
| MT62F1G64D4EK-023 FAAT:CTR | 94.8900 | | 3792 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C | Montagem em superfície | 441-TFBGA | SDRAM-LPDDR5 móvel | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT:CTR | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 64 Gbits | DRAM | 1G x 64 | Paralelo | - | |||||||||
| MT62F2G64D8EK-023 WT:B | 90.4650 | | 6037 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Caixa | Ativo | -25°C ~ 85°C | Montagem em superfície | 441-TFBGA | SDRAM-LPDDR5 móvel | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT:B | 1 | 4.266 GHz | Volátil | 128 GB | DRAM | 2G x 64 | Paralelo | - | |||||||||
| N25Q008A11EF440F TR | - | | 5504 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | N25Q008A11 | FLASH - NEM | 1,7 V ~ 2 V | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Não volátil | 8Mbit | CLARÃO | 1M x 8 | IPS | 8ms, 5ms | |||||||
| MT41K512M8V00HWC1-N001 | - | | 5235 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Volume | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | - | - | MT41K512M8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | Volátil | 4 Gbits | DRAM | 512M x 8 | Paralelo | - | |||||||
| MT55L256L18F1T-12 | 4.4800 | | 89 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | SRAM-ZBT | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20,1) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 83 MHz | Volátil | 4Mbit | 9 ns | SRAM | 256K x 18 | Paralelo | - | ||||
 | MT53E384M32D2DS-053 AIT:E TR | 10.7700 | | 3771 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | MT53E384M32D2DS-053AIT:ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Volátil | 12 Gbits | DRAM | 384M x 32 | - | - | |||
 | MT46V64M8FN-75:DTR | - | | 3203 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 60-TFBGA | MT46V64M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - | RoHS não compatível | 5 (48 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volátil | 512Mbps | 750 cv | DRAM | 64M x 8 | Paralelo | 15s | |||
 | MT28F400B3WG-8 TETTR | - | | 9304 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | MT28F400B3 | FLASH - NEM | 3V~3,6V | 48-TSOP I | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Não volátil | 4Mbit | 80 ns | CLARÃO | 512K x 8, 256K x 16 | Paralelo | 80ns | ||||
 | M29W128FL70N6FTR | - | | 3711 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 56-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | M29W128 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.200 | Não volátil | 128Mbps | 70 ns | CLARÃO | 16M x 8, 8M x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| M29W640GB70NA6E | - | | 4266 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | M29W640 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Não volátil | 64Mbps | 70 ns | CLARÃO | 8M x 8, 4M x 16 | Paralelo | 70ns |
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