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MEMÓRIA (10402)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29F800FT55M3F2 TR | - |  | 7551 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 44-SOIC (0,496 ", 12,60 mm de largura) | M29F800 | Flash - NEM | 4.5V ~ 5,5V | 44-SO | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Não Volátil | 8MBIT | 55 ns | Clarão | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 55ns | |||
| Mt41k512m16vrp-107 it: p tr | 15.2250 | | 9429 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-FBGA (8x14) | - | 557-MT41K512M16VRP-107IT: PTR | 2.000 | 933 MHz | Volátil | 8gbit | 20 ns | Dram | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||||
| Mt53e4d1bhj-dc | 22.5000 | | 8794 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Ativo | MT53E4 | - | Alcançar Não Afetado | 557-MT53E4D1BHJ-DC | 1.360 | |||||||||||||||||||
 | Mt40a4g4dvn-062h: e | - | | 9411 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 78-TFBGA | MT40A4G4 | Sdram - ddr4 | 1.14V ~ 1,26V | 78-FBGA (7,5x11) | download | 557-MT40A4G4DVN-062H: e | Obsoleto | 8542.32.0071 | 210 | 1.6 GHz | Volátil | 16gbit | 27 ns | Dram | 4g x 4 | Paralelo | - | ||||
| MT62F512M32D2DS-031 AIT: b | 15.5550 | | 2754 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C. | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-mt62f512m32d2ds-031ait: b | 1 | 3.2 GHz | Volátil | 16gbit | Dram | 512m x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| Mt62f768m64d4ej-031 ait: a | 93.4500 | | 9757 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Ativo | MT62F768 | - | Alcançar Não Afetado | 557-MT62F768M64D4EJ-031AIT: a | 1.190 | |||||||||||||||||||
| MT28GU01GAAA1EGC-0SIT TR | - | | 9442 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64-TBGA | MT28GU01 | Flash - NEM | 1.7V ~ 2V | 64-TBGA (10x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Não Volátil | 1Gbit | 96 ns | Clarão | 64m x 16 | Paralelo | - | ||
| M29W640GL70ZF3E | - | | 2089 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64-TBGA | M29W640 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 64-TBGA (10x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 136 | Não Volátil | 64MBIT | 70 ns | Clarão | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MT29VZZZ7D8GQFSL-046 W.9P8 | - | | 3924 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
| Mt62f4g32d8dv-023 wt es: b | 90.4650 | | 6434 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | -25 ° C ~ 85 ° C. | - | - | Sdram - móvel lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023WTES: b | 1 | 4.266 GHz | Volátil | 128 gbit | Dram | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MT62F1G64D4EK-023 WT: B TR | 45.6900 | | 5908 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -25 ° C ~ 85 ° C. | Montagem na Superfície | 441-TFBGA | Sdram - móvel lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023WT: BTR | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 64GBIT | Dram | 1g x 64 | Paralelo | - | ||||||||
 | NAND128W3A2BNXE | - | | 6249 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | Nand128 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 576 | Não Volátil | 128Mbit | 50 ns | Clarão | 16m x 8 | Paralelo | 50ns | |||
| MTFC128GAZAOTD-AIT TR | 40.2300 | | 3452 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 557-MTFC128GAZAOTD-AATTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | MTFC8GACAENS-AIT TR | - | | 5150 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 153-TFBGA | Mtfc8 | 153-TFBGA (11,5x13) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Mtfc8gacaens-ATTR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||
 | MT55L512L18FF-11 | 8.9300 | | 1825 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165-TBGA | MT55L512L | SRAM - Síncrono, ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volátil | 8MBIT | 8,5 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||
 | MT47H128M8CF-25E IT: H TR | - | | 1126 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 60-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1.7V ~ 1,9V | 60-FBGA (8x10) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Volátil | 1Gbit | 400 ps | Dram | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| Mt60b2g8hb-48b: a | 16.5750 | | 4524 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 82-VFBGA | Sdram - ddr5 | - | 82-VFBGA (9x11) | - | 557-MT60B2G8HB-48B: a | 1 | 2.4 GHz | Volátil | 16gbit | 16 ns | Dram | 2g x 8 | Paralelo | - | |||||||
| MT29F8T08GULCEM4-QA: c | 156.3000 | | 4244 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QA: c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F2T08GELBEJ4: b | - | | 1328 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - NAND (TLC) | 2.7V ~ 3,6V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08GELBEJ4: b | Obsoleto | 1.120 | Não Volátil | 2tbit | Clarão | 256g x 8 | Paralelo | - | |||||||
| MT53E1536M32D4DE-046 AIT: b | 44.2350 | | 8780 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT: b | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 48Gbit | 3,5 ns | Dram | 1,5g x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | PC28F00AM29EWLA | - | | 7769 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64 lbga | PC28F00A | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 64-FBGA (11x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.104 | Não Volátil | 1Gbit | 100 ns | Clarão | 128m x 8, 64m x 16 | Paralelo | 100ns | |||
 | MT29F512G08CKCBBH7-6ITC: b | - | | 5927 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash - NAND (MLC) | 2.7V ~ 3,6V | 152-TBGA (14x18) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1 | 166 MHz | Não Volátil | 512Gbit | Clarão | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53E1536M32D4DE-046 WT ES: C | 30.2400 | | 5215 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046WTES: c | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 48Gbit | 3,5 ns | Dram | 1,5g x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MTFC128GBCAQTC-AAT ES TR | 53.7600 | | 4891 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | 557-MTFC128GBCAQTC-AATEST | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT | - | | 9155 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 168-WFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, LPDRAM MOvel | 1.7V ~ 1,95V | 168-WFBGA (12x12) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Não Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Flash, Ram | 256m x 16 (Nand), 64m x 32 (lpdram) | Paralelo | - | |||
 | MT29F1G08ABADAH4-ITX: D tr | - | | 1993 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 128m x 8 | Paralelo | - | ||||
| M29W640GH70ZF6E | - | | 4498 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64-TBGA | M29W640 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 64-TBGA (10x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 816 | Não Volátil | 64MBIT | 70 ns | Clarão | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| Mt53d4daka-dc tr | - | | 1203 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | - | - | MT53D4 | Sdram - móvel lpddr4 | - | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 0000.00.0000 | 2.000 | Volátil | Dram | |||||||||||
 | Mt53e256m32d1ks-046 wt: l | 9.6500 | | 4709 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | Montagem na Superfície | 200-VFBGA | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Alcançar Não Afetado | 557-MT53E256M32D1KS-046WT: l | 1 | |||||||||||||||||
| Mt62f2g32d4ds-023 ait: c | 58.0650 | | 6446 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C. | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AIT: c | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 64GBIT | Dram | 2g x 32 | Paralelo | - |
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