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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT41K256M8DA-15E:M | - | ![]() | 1744 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Volátil | 2 Gbits | 13,5s | DRAM | 256M x 8 | Paralelo | - | |||
![]() | MTFC32GAZAQHD-WT | 18.0200 | ![]() | 1781 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | e•MMC™ | Bandeja | Ativo | -25°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 153-VFBGA | MTFC32G | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 557-MTFC32GAZAQHD-WT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | 200 MHz | Não volátil | 256 GB | CLARÃO | 32G x 8 | MMC | - | ||
![]() | N25Q256A13ESF40G | - | ![]() | 1954 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | N25Q256A13 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 557-1575-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 108 MHz | Não volátil | 256Mbps | CLARÃO | 64M x 4 | IPS | 8ms, 5ms | ||
![]() | MT29F4T08GMLCEJ4:C | 78.1500 | ![]() | 4679 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Caixa | Ativo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4:C | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR | - | ![]() | 9918 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 137-TFBGA | MT29C1G12 | FLASH - NAND, LPDRAM móvel | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-TFBGA (10,5x13) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Não Volátil, Volátil | 1 Gbit (NAND), 1 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 128M x 8 (NAND), 32M x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||
![]() | MT46H16M32LFCG-6 IT:B | - | ![]() | 2370 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 152-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - LPDDR móvel | 1,7 V ~ 1,95 V | 152-VFBGA (14x14) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Volátil | 512Mbps | 5 ns | DRAM | 16M x 32 | Paralelo | 15s | ||
![]() | MT62F768M64D4EK-023 AIT:B | 43.5300 | ![]() | 3414 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Caixa | Ativo | - | Montagem em superfície | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM-LPDDR5 móvel | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023AIT:B | 1 | 4.266 GHz | Volátil | 48 Gbits | DRAM | 768M x 64 | Paralelo | - | |||||||
![]() | MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR | - | ![]() | 3805 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -30°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Volátil | 32 Gbits | DRAM | 1G x 32 | - | - | ||||
![]() | MT41K1G4DA-107:PTR | - | ![]() | 6532 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | MT41K1G4DA-107:PTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volátil | 4 Gbits | 20 ns | DRAM | 1G x 4 | Paralelo | - | |
![]() | MT53E768M32D2FW-046 AUT:C | 43.6350 | ![]() | 6976 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Caixa | Ativo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AUT:C | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT41K2G4RKB-107 C:N | - | ![]() | 9969 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | TwinDie™ | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 557-MT41K2G4RKB-107C:N | OBSOLETO | 1.440 | 933 MHz | Volátil | 8 Gbits | 20 ns | DRAM | 2G x 4 | Paralelo | 15s | |||
![]() | M28W320FCT70ZB6E | - | ![]() | 1031 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 47-TFBGA | M28W320 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 47-TFBGA (6,39x6,37) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.380 | Não volátil | 32Mbps | 70 ns | CLARÃO | 2M x 16 | Paralelo | 70ns | |||
![]() | MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D TR | - | ![]() | 6127 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53D2048 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1V | - | - | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 64 Gbits | DRAM | 2G x 32 | - | - | ||||
![]() | MT29F2T08ELLEEG7-QD:E TR | 52.9800 | ![]() | 1704 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD:ETR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT62F1G128DAWA-031 XT:B TR | 136.0800 | ![]() | 3832 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | 557-MT62F1G128DAWA-031XT:BTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46V64M8BN-6 IT:F | - | ![]() | 7427 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 60-TFBGA | MT46V64M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 167 MHz | Volátil | 512Mbps | 700 CV | DRAM | 64M x 8 | Paralelo | 15s | ||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 AIT:C | 58.0650 | ![]() | 6446 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Caixa | Ativo | -40°C ~ 95°C | Montagem em superfície | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR5 móvel | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AIT:C | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 64 Gbits | DRAM | 2G x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F | 12.8500 | ![]() | 241 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | MT29F8G08 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Não volátil | 8 Gbits | CLARÃO | 1G x 8 | Paralelo | - | |||||
![]() | MTFC64GJDDN-4M TI | - | ![]() | 6226 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | e•MMC™ | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 169-LFBGA | MTFC64 | FLASH NAND | 1,65 V ~ 3,6 V | 169-LFBGA (14x18) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8523.51.0000 | 980 | Não volátil | 512 Kbits | CLARÃO | 64K x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT62F1536M64D8EK-026 AAT:B TR | 94.8300 | ![]() | 2637 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C | Montagem em superfície | 441-TFBGA | SDRAM-LPDDR5 móvel | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026AAT:BTR | 1.500 | 3,2 GHz | Volátil | 96 GB | DRAM | 1,5G x 64 | - | - | ||||||||
![]() | N25Q256A73ESF40G TR | - | ![]() | 5029 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | N25Q256A73 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | N25Q256A73ESF40GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 108 MHz | Não volátil | 256Mbps | CLARÃO | 64M x 4 | IPS | 8ms, 5ms | ||
![]() | MT55V512V32PT-7.5 | 17.3600 | ![]() | 551 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | MT55V512V | SRAM - Assíncrono, ZBT | 2.375 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20,1) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 18Mbps | 4,2ns | SRAM | 512 mil x 32 | Paralelo | - | ||
| MT53E256M32D1KS-046 AUT:L TR | 14.5800 | ![]() | 6828 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 200-VFBGA | 200-VFBGA (10x14,5) | - | REACH não afetado | 557-MT53E256M32D1KS-046AUT:LTR | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT40A1G16RC-062E:B | - | ![]() | 8406 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (10x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1,6 GHz | Volátil | 16 Gbits | 19 ns | DRAM | 1G x 16 | Paralelo | 15s | |||
![]() | N25Q064A13EF8H0E | - | ![]() | 5187 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-VDFN | N25Q064A13 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | Não volátil | 64Mbps | CLARÃO | 16M x 4 | IPS | 8ms, 5ms | |||
| MT47H32M16HR-25E AAT:G | - | ![]() | 6168 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montagem em superfície | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x12,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Volátil | 512Mbps | 400 CV | DRAM | 32M x 16 | Paralelo | 15s | |||
![]() | MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A | - | ![]() | 7367 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | MT53E768 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1V | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | MT53E768M64D4SQ-046AAT:A | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volátil | 48 Gbits | DRAM | 768M x 64 | - | - | ||||||
![]() | MT58L64L36PT-7.5 | 4.2600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | SINCURST® | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | SRAM - Padrão | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volátil | 2Mbit | 4 ns | SRAM | 64K x 36 | Paralelo | - | |||
![]() | MT53E768M32D2FW-046 AAT:CTR | 32.0250 | ![]() | 3941 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AAT:CTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MTFC128GBCAQTC-AAT | 62.4100 | ![]() | 2118 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Ativo | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 557-MTFC128GBCAQTC-AAT | 1.520 |

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